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谁能指点下反激次级肖特基的关断过程的理解(波形详细、注解齐全、欢迎讨论指点)

因为最近一个辅助电源肖特基反向峰值在起机状态时特别高,应力不够用了,向前辈们讨教下

多路输出,这是主反馈回路的波形,输入随便弄了110VDC抓波形,

DCM设计,匝比8,原边32匝,主反馈4匝,PQ2620磁芯,三明治绕法。

变压器440UH,原边漏感在2UH。


一个图是稳态时半载抓波,DCM状态,原边MOS管开通,副边变压器电压马上反向,肖特基正向电流为0,反向峰值形成。

图一:

 

另一个图是起机状态抓波,因为输出电压未建立起来,所以处于CCM状态。

图二:

 

问题:

1,在稳态时,DCM状态,肖特基正向电流早就为0,出现负向电流是因为反向电压建立起来后结电容反向充电形成,肖特基的反向电压尖峰是因为该电容充电与次级漏感形成的尖峰?

2,在起机状态时,看肖特基的电流应该处于CCM模式。如何理解图示内的那个延迟时间Tdelay?在稳态时,DCM状态下没有这个延时,为什么初级MOS管开通后,变压器次级绕组电压还未反向?(图一的DCM状态下,MOS管刚开通次级电压就翻转了)

3,在CCM状态下,肖特基的正向电流有一个负向尖峰,高达1A多,这难道是结电容反向充电和肖特基反向恢复电流共同的结果?我查看肖特基的DATASHEET,结电容2个并联才50pF左右,反向电流额定5mA为什么会这么大?

4,现在因为起机过程中肖特基的反向第一个尖峰特别高,超过耐压上限,各位高手有无良策?

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shawn.xu
LV.4
2
2010-12-26 12:51

没人回答么。。。

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liuhou
LV.9
3
2010-12-26 19:18
@shawn.xu
没人回答么。。。
给你顶一下吧。
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2010-12-26 21:22
@liuhou
给你顶一下吧。

他这个是用的什么软件啊 ??求解。。

 

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hlp330
LV.9
5
2010-12-26 23:00
@liyuan_todd
他这个是用的什么软件啊??求解。。 
可否上传你的肖特基的那一部分的电路,看看是如何?
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shawn.xu
LV.4
6
2010-12-26 23:09
@hlp330
可否上传你的肖特基的那一部分的电路,看看是如何?

就是普通的反激输出肖特基整流,然后并联有RC吸收,别无其他东西


自己那些问题下午再分析了下,基本上弄得差不多清楚了,多谢大家关心。。。

1,DCM状态下,反向电压尖峰就是结电容反向充电电流与肖特基内部寄身电感形成的,跟漏感或者其他引线电感没多少关系。(特别是这一句,各位高手是否同意?)

2,CCM模式下,出现的那个延时实际上是被肖特基正向电压箝位了

3,因为起机时没有做软启动,刚起机时每个周期占空比储能过多,变压器匝比比较大,导致次级整流电流很大,这样肖特基反向恢复时电流过大,形成了特别大的电压尖峰

4,增加软启动和调整匝比应该可以解决该问题(软启动这个方案已经证明可行了)。

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shawn.xu
LV.4
7
2010-12-26 23:14
@shawn.xu
就是普通的反激输出肖特基整流,然后并联有RC吸收,别无其他东西自己那些问题下午再分析了下,基本上弄得差不多清楚了,多谢大家关心。。。1,DCM状态下,反向电压尖峰就是结电容反向充电电流与肖特基内部寄身电感形成的,跟漏感或者其他引线电感没多少关系。(特别是这一句,各位高手是否同意?)2,CCM模式下,出现的那个延时实际上是被肖特基正向电压箝位了3,因为起机时没有做软启动,刚起机时每个周期占空比储能过多,变压器匝比比较大,导致次级整流电流很大,这样肖特基反向恢复时电流过大,形成了特别大的电压尖峰4,增加软启动和调整匝比应该可以解决该问题(软启动这个方案已经证明可行了)。

今天也看了之前几篇有关整流二极管的帖子,还有RC吸收的。里面有的说法也不全对


各位高手有时间抽空看看我后来自己理解的是否正确,欢迎讨论。。。

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shawn.xu
LV.4
8
2010-12-26 23:17
@liyuan_todd
他这个是用的什么软件啊??求解。。 

这个是示波器。。。。不是软件仿真。。。

波形抓下来后,自己添加了文字注释,方便大家分析的。。。

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