我的SPWM波从单片机出来后,进入下图这个死区电路。但有些地方的死区总跟理论上不一样。出现下图中“实际输出”的波形,原因是G3信号没有死区成功。(有部分波形跟理论输出一致,特别是当占空比比较小时容易出现该问题) 请问下这是什么原因造成的 ?
增强型CCP(ECCP)能通过设置寄存器实现死区。我想 我用具有两个ECCP模块的单片机 能直接输出我需要的SPWM波。
请问是这样吗?(目前我使用的PIC18F4520只有一个ECCP)
测试时发现 低电平在维持10us以上时 死区正确。
电容的充电时间是2us左右。是不是 电容的充电回路 和 放电回路不一样吗?导致了充放电的时间不一样?
感谢师长指教。已经试过并二极管,没有得到改善。我用示波器看电容两端发现在占空比较大时,电容放电不完全。
目前解决方法:IR2101输出自带了50ns死区,(示波器观察能达到500ns)。再请教下师长,做逆变器很多都用IR2110, 但2110跟2101在datasheet上的区别主要是驱动电流大小和上下沿时间。 IR2101能做逆变器吗?
想省事就用IR2184吧,自带死区。
2184确实省事
加大R9、R10