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IR2520D 调试中遇到的问题

1134714815.doc
大家好,我现在采用这个电路设计Ballast.调试过程中遇到这样一个问题:1:接通电源时,有时候灯管启动一下就灭了.特别是采用菲利蒲灯管.
        2:接通电源后,灯能正常点亮,点一段时间后,连续的开关电源,刚开始开关正常,五到十次连续的开关后会出现连灯管都不启动一下的现象,就象进入了保护状态.
        3:调试过程中发现滚光现象特别严重.
        请帮忙分析这写是什么原因造成.该如何改善这种情况.
小弟我先谢谢各位!!!
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gaihong
LV.5
2
2005-12-16 14:57
先看看,Pin4脚的电压是否有6V?如果无,要调整频率,使其达到6V先
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ammi
LV.4
3
2005-12-16 15:10
@gaihong
先看看,Pin4脚的电压是否有6V?如果无,要调整频率,使其达到6V先
那为什么我用这种线路设计T8 一拖一怎么没有这种现象.我会现在就做实验看.我现在的工作频率在43K左右.是调大还是调小.
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trust_me
LV.6
4
2005-12-16 19:10
@ammi
那为什么我用这种线路设计T8一拖一怎么没有这种现象.我会现在就做实验看.我现在的工作频率在43K左右.是调大还是调小.
這個跟你的輸出功率有關,,,還有你的管壓與管流!!!
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ken21cn
LV.8
5
2005-12-16 23:30
1.启动一下就灭.
首先姑且认为你的电感未出现饱和,单纯从过流角度分析,Vs点可能超过了3V,你不妨测试一下Vs-Com半波峰值.由于你采用了串管,触发电压比单管高很多,这时触发电流应该是:Iign=fign*c*Vign*2*pi,这里C表示回路的谐振电容,不难看出Vign提高后,Iign会提高(在同频时)C越大,Iign也会大.由于VS点兼顾了电流采样的功能,通过了下MOSFET的Rds(on),显然这点取样电压会高,基于CF>5保护以及VCC=15V,不难推断出保护点在3V左右,那么如果大于3V,不管是否电感饱和,IC应进入保护.式中表达的fign其实与谐振电容的根号分之一成正比,所以Iign=K*C^1/2,为增函数,减小C可以降低I.同时采用Rds(on)更小的MOSFET可以降低最终的采样电压I*Rds(on)*2^1/2.
2.开关时不启动.建议先解决掉第一个问题,同时再检查Vcc是否低过欠压门槛
3.滚光.建议在隔直电容处并上电阻,这个可以借鉴你原来2166,2156的方法.
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ken21cn
LV.8
6
2005-12-16 23:33
@ammi
那为什么我用这种线路设计T8一拖一怎么没有这种现象.我会现在就做实验看.我现在的工作频率在43K左右.是调大还是调小.
T8触发电压低,你不但用了T5,而且还用了串管.差好多了.具体解释,见第5贴
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longman
LV.3
7
2005-12-19 11:13
@ken21cn
1.启动一下就灭.首先姑且认为你的电感未出现饱和,单纯从过流角度分析,Vs点可能超过了3V,你不妨测试一下Vs-Com半波峰值.由于你采用了串管,触发电压比单管高很多,这时触发电流应该是:Iign=fign*c*Vign*2*pi,这里C表示回路的谐振电容,不难看出Vign提高后,Iign会提高(在同频时)C越大,Iign也会大.由于VS点兼顾了电流采样的功能,通过了下MOSFET的Rds(on),显然这点取样电压会高,基于CF>5保护以及VCC=15V,不难推断出保护点在3V左右,那么如果大于3V,不管是否电感饱和,IC应进入保护.式中表达的fign其实与谐振电容的根号分之一成正比,所以Iign=K*C^1/2,为增函数,减小C可以降低I.同时采用Rds(on)更小的MOSFET可以降低最终的采样电压I*Rds(on)*2^1/2.2.开关时不启动.建议先解决掉第一个问题,同时再检查Vcc是否低过欠压门槛3.滚光.建议在隔直电容处并上电阻,这个可以借鉴你原来2166,2156的方法.
并上电阻后,滚光还是很严重,可否还有其他的解决问题的方案??
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谐振器
LV.2
8
2005-12-19 12:52
个人认为问题1与问题2是同一个问题,是2520的CF误保护.解决方案是增大谐振电感的磁芯面积,或者增加线匝数,解决启动时的电感饱和问题.
问题3是你自身电路设计的问题.非2520的缺陷.
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老楊
LV.4
9
2005-12-19 13:50
C9放到燈的另一邊試試
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ammi
LV.4
10
2005-12-19 13:57
@老楊
C9放到燈的另一邊試試
谐振电感我采用EF25/160Ts  1.2mH GAP:2.4mm
还要加大GAP吗?气隙已足够大了.
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ammi
LV.4
11
2005-12-19 14:04
@ammi
谐振电感我采用EF25/160Ts  1.2mHGAP:2.4mm还要加大GAP吗?气隙已足够大了.
我采用相同的电压预热灯丝接法+APFC设计T5,没有出线滚光现象.
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老楊
LV.4
12
2005-12-19 14:35
@ammi
谐振电感我采用EF25/160Ts  1.2mHGAP:2.4mm还要加大GAP吗?气隙已足够大了.
C9放的位置或容值有問題
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2005-12-19 16:18
@gaihong
先看看,Pin4脚的电压是否有6V?如果无,要调整频率,使其达到6V先
PCB 可能有问题
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ken21cn
LV.8
14
2005-12-20 01:03
@ammi
我采用相同的电压预热灯丝接法+APFC设计T5,没有出线滚光现象.
似乎你没有理解上面说的一大堆,对于IC的镇流器设计,如果直停留在那种:试-看结果-再试 的模式下,即使调出来,意义也不大.搞得换了个管子就真成一个新项目了,哪那么痛苦?

几乎可以肯定地说,没搞清楚原理,一定设计不出什么好东西的.设计要基于理解的基础之上.

小刘同志,另外建议你一点.别人给了建议,最好要给出结果
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谐振器
LV.2
15
2005-12-21 17:13
@ammi
谐振电感我采用EF25/160Ts  1.2mHGAP:2.4mm还要加大GAP吗?气隙已足够大了.
要结合线路启动频率计算电感在起动时的饱和程度.你根据主回路参数计算一下把吧.光有电感量是无法计算的.
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ken21cn
LV.8
16
2005-12-21 17:26
@谐振器
要结合线路启动频率计算电感在起动时的饱和程度.你根据主回路参数计算一下把吧.光有电感量是无法计算的.
他的电感多半不是饱和,可能是过流.实际当中IR2520D的电感需要在谐振点的位置设计成饱和或者此时过流.否则,漏气不保护.
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2005-12-27 11:58
@ammi
我采用相同的电压预热灯丝接法+APFC设计T5,没有出线滚光现象.
ass
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谐振器
LV.2
18
2005-12-27 12:09
@ken21cn
他的电感多半不是饱和,可能是过流.实际当中IR2520D的电感需要在谐振点的位置设计成饱和或者此时过流.否则,漏气不保护.
谐振时当然会饱和,当2520检测到CF到设定值时,2520进入保护态.而LZ出现误保护我怀疑就是这种保护.所以建议调节电感避免这种误保护,而又不影响正常保护.
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ken21cn
LV.8
19
2005-12-27 13:19
@谐振器
谐振时当然会饱和,当2520检测到CF到设定值时,2520进入保护态.而LZ出现误保护我怀疑就是这种保护.所以建议调节电感避免这种误保护,而又不影响正常保护.
谁说谐振时电感就一定会饱和?
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谐振器
LV.2
20
2005-12-27 14:02
@ken21cn
谁说谐振时电感就一定会饱和?
除非是超级电感,磁芯特性决定的.如果串联谐振回路中没有阻性元件,谐振时电流是无穷大的.
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ken21cn
LV.8
21
2005-12-27 17:09
@谐振器
除非是超级电感,磁芯特性决定的.如果串联谐振回路中没有阻性元件,谐振时电流是无穷大的.
兄弟,谐振和饱和是不同的东西.实际当中也不可能是无穷大.
实际当中IR2520D需要使电感至少在谐振点处达到饱和,以其满足IR2520D的CF保护的功能.CF本身的计算是PEAK/RMS,本身并不表示实际电流的大小.
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谐振器
LV.2
22
2005-12-27 18:22
@ken21cn
兄弟,谐振和饱和是不同的东西.实际当中也不可能是无穷大.实际当中IR2520D需要使电感至少在谐振点处达到饱和,以其满足IR2520D的CF保护的功能.CF本身的计算是PEAK/RMS,本身并不表示实际电流的大小.
你的理解基本正确.在CF计算上有问题:你可以用一个实际例子计算一下.是达不到5的(用实际测量波形计算).
那么就回到什么时候CF饱和问题了.LZ调试中出现误保护我认为是CF保护的问题.并不是在谐振点处保护.否则就不能称为误保护.在没有达到谐振点处就保护了,所以灯没有打亮.
可能是我没有解释清楚,你再好好考虑一下.
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ken21cn
LV.8
23
2005-12-27 22:35
@谐振器
你的理解基本正确.在CF计算上有问题:你可以用一个实际例子计算一下.是达不到5的(用实际测量波形计算).那么就回到什么时候CF饱和问题了.LZ调试中出现误保护我认为是CF保护的问题.并不是在谐振点处保护.否则就不能称为误保护.在没有达到谐振点处就保护了,所以灯没有打亮.可能是我没有解释清楚,你再好好考虑一下.
如果你看了我上面第5帖的回复应该可以理解我在说什么.
2520内部的5倍波峰比检测原理,我已经涉及到了.
这里面包含了过流还是饱和的概念.如果你坚持一定出现饱和,你不妨看看把气隙加大,看是不是一样出现这个情况?
Crest Factor的定义就是如此,如果你有什么,不妨说说.
“...并不是在谐振点处保护.否则就不能称为误保护...”
你理解错了.
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谐振器
LV.2
24
2005-12-28 11:00
@ken21cn
如果你看了我上面第5帖的回复应该可以理解我在说什么.2520内部的5倍波峰比检测原理,我已经涉及到了.这里面包含了过流还是饱和的概念.如果你坚持一定出现饱和,你不妨看看把气隙加大,看是不是一样出现这个情况?CrestFactor的定义就是如此,如果你有什么,不妨说说.“...并不是在谐振点处保护.否则就不能称为误保护...”你理解错了.
IR公司的CF定义绝对不是这样的,不信你测试一下看看.差很多的.你可与IR的技术人员沟通一下.
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ken21cn
LV.8
25
2005-12-28 11:11
@谐振器
IR公司的CF定义绝对不是这样的,不信你测试一下看看.差很多的.你可与IR的技术人员沟通一下.
到底你要想表达什么呢?
是CF的定义还是讨论上面问题?
IR哪个人跟你说CF的定义的?
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谐振器
LV.2
26
2005-12-28 11:25
@ken21cn
到底你要想表达什么呢?是CF的定义还是讨论上面问题?IR哪个人跟你说CF的定义的?
算了,你自己不测测看,你不会发现这个问题的.我不想再和你讨论这个问题了.不能只看看资料就设计电路的.要根据自己的测试结果设计的.
IR提到的CF达到5,芯片保护.你可以只把CF当作一个代码.它在这里决对不是一个周波内峰值与有效值的比值的.
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ken21cn
LV.8
27
2005-12-28 11:36
@谐振器
算了,你自己不测测看,你不会发现这个问题的.我不想再和你讨论这个问题了.不能只看看资料就设计电路的.要根据自己的测试结果设计的.IR提到的CF达到5,芯片保护.你可以只把CF当作一个代码.它在这里决对不是一个周波内峰值与有效值的比值的.
不是这,不是那,那是啥你可以说说?IC设计的镇流器本来就是以机理为依据的,整个是严格的数学过程.机理如果不去仔细阅读DATASHEET,你能测出啥.我确实不想讨论这个了;如果你有新发现,不妨直接给出你的CF新发现即可.是对是错,都没关系.
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flute
LV.8
28
2005-12-28 16:29
@ken21cn
不是这,不是那,那是啥你可以说说?IC设计的镇流器本来就是以机理为依据的,整个是严格的数学过程.机理如果不去仔细阅读DATASHEET,你能测出啥.我确实不想讨论这个了;如果你有新发现,不妨直接给出你的CF新发现即可.是对是错,都没关系.
go on
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ebenshi
LV.8
29
2005-12-28 20:04
@flute
goon
启动后灯灭,由于楼主采用了T5管串联,我认为多半还是触发电压不够造成,CF误保护的可能性很小,
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yzm800112
LV.5
30
2005-12-28 23:52
@ebenshi
启动后灯灭,由于楼主采用了T5管串联,我认为多半还是触发电压不够造成,CF误保护的可能性很小,
就着个方案,有没有做成功的?
我想只有自己动手作了.发言才比较心得.
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ken21cn
LV.8
31
2005-12-29 00:03
@yzm800112
就着个方案,有没有做成功的?我想只有自己动手作了.发言才比较心得.
这根本就不是个什么新鲜玩意,很普通的现象.只是由于很多人对现象缺乏足够的认识,导致出了问题不知道如何分析而已.不信过段让上面的小刘回个结果就知道了.
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