请问用IGBT做全桥时,其驱动电源和输入电压有什么厉害关系吗,比如驱动电压要一直有这样是对的吗
这里输入电压为高压直流,
日本SANKEN(三垦/三肯)在大陆市场推广太阳能逆变器专用MOSFET。主要有以下规格:500V/42A、600V/34A和800V/31A。特征如下:
高耐圧MOS-FET 低RDS(on)品 VDSS 500V to 800V High Reliability TO-3P PKG
我也有一事请问大家,输入电压1400V,全桥变频输出,纯电阻负载,可用耐压1200V的IGBT吗?
谢谢!