FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道 IGBT具有极佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热 (IH) 应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD 专为微波炉、IH电饭煲和其他IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达10℃,因而能够延长系统寿命。它能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。
FGA25N120ANTD的其他特性包括:
低饱和电压 (VCE(sat), typ = 2.0V @ IC = 25A 和 TC = 25°C) 以限制导通损耗;
低开关损耗 (Eoff, typ = 0.96mJ @ IC = 25A 和 TC = 25°C) 以减少系统功耗;
内置FRD (快速恢复二极管) 以简化电路设计和减少元件数。FGA25N120ANTD以TO-3P无铅封装形式供货,能达到甚至超越IPC/JEDEC的 J-STD-020B标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
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