NMOS驱动电路栅极所接元件的作用？

加电容的接法倒是第一次见，加二级管的话就是要加速关断（也就是让开通与关断走不同的路径）。

关键词：二级管

同二楼，关注下。

在阻尼电阻上并加电容可以提高上升和下降沿起始阶段的充放电速度，阻尼电阻只管最后的一小段。一般加的电容要比门极电容大3-4倍，可以提高上升和下降沿前面75%-80%幅度段的充放电速度，既减小了开关损耗，又改善了EMI。

电容也是用来加速的，是双向的。

电容是用来加速的毫无疑问

但能改善EMI吗？好像说反了吧

长见识了，呵呵；

不过很少见这种并电容的驱动（并二极管的就多了），不知应用在哪方面？

关键词：二极管

1 Ohm 和10 Ohm 阻尼电阻的EMI不一样。

驱动电阻大EMI好，这个自然正确

但加了电容之后，这个驱动就加快了，EMI肯定得变差呀

没有漏极过冲，没有阻尼振荡，EMI自然就好了。

EMI并不仅仅是由于振荡引起的

EMI是由于过快的di/dt与du/dt引起的，开通过快的话，必然会引起电压的快速变化，其结果必然会导致更差的EMI

软开关为何会获得良好的EMI，就是因为其开关的过程是个慢，软的过程，你看看那些波形就明白了

冰版，我在书上看到三极管驱动电路中加这个电容，就是在《开关电源设计技术与应用实例》的17页提到的。

但是从来没看到FET的驱动电路加上这个电容，想来是因为FET得速度足够快，不需要加这个电容吧。

敢问冰版设计的电路中有没有加上这个电容？

关键词：三极管  FET

我个人认为是没有必要，所以我一般不加

电容这样画是不是不大合适？方向是不是该反过来啊！虽然这里一般用的是无极性。。。。。

是反了

R1电阻上并联一只加速电容器，当驱动电压由零电压往上升并开始送电流至基极时，电容器由于无法瞬间充电，故形同短路，然而此时却有瞬间的大电流由电容器流向基极，因此也就加快了开关导通的速度。当驱动电压变低时，电容左侧电压变为零，而电容有保持其压差的特性，所以MOSFET栅源加速反偏！

一般用在功率BJT和MOSFET驱动电路中！

关键词：导通  MOSFET

电容好像方向反了吧

根据各位的讨论结果，做出如下总结：

电容用来加速开通的

电阻用来改善EMI

二极管用来加速关断

关键词：二极管

你还是没搞明白，所有加上的或你也可在加上点件，原来是给管子当绿叶的。因为做管子的工程师没做好或许设备不行，使用时搞不好就坏掉，于是高级工程绘画大师们就想法加上一些自己想想的也有实用的最总是为了保护那个管子别坏掉，总结出来的作用就是保安的作用。其实安全问题多了它们还是存在的。

说到保安，其中一个件就是必须到位合理的，另外那二个可有可无，台上唱歌那些伴舞的没有她们可能小一些分红的。你自己试试就知道了。别抄或假唱哈

那二极管呢？二极管是怎么加速关断货开通的呢？

关键词：二极管

这个解释的好，学习了。以前只是知道此电容可以加速导通过程，但是没有分析它驱动电压变为低电平时，电容给MOSFET加反偏电压，加速关断。楼主的电容符号要换下吧，你那符号是有极性电容，这里应该是无极性电容

关键词：MOSFET

16贴的电容作用分析中，加入了加速关断这一环节，感觉挺有道理，所以你的总结应该把那个也加上吧

冰版：问一个问题啊

我做了一批电源，老化500PCS，出现30多PCS不良，MOS管GS极击穿短路大部分，还有一部分是GDS三个极都击穿短路，我测量了我的IC供电电压有点高都22V，驱动电压都有19。6V了，我想向你确定下是不是我的驱动电压高了。

一般的MOSFET的Vgs在20V以下，基本可以保证没有问题。

你可以在MOSFET的g.s端并联一个18V稳压管来钳位你的驱动电压