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200~300K工作频率的反激开关电源

有没有人做过工作频率200~300K的反激开关电源?AC-DC的,输入AC90-264V,输出5V/2.5A的,帮忙推荐个IC型号以及EMC的处理技巧。
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2011-03-11 18:16

怎么?没人做过吗?拜托给点建议呀,感谢!

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2011-03-11 18:32
@javike
怎么?没人做过吗?拜托给点建议呀,感谢!

确实没有做过这么搞频率的硬开关反激电路。

为何要上这么高的频率,是体积太小吗?还是别的原因考虑

说几点理论上的分析:

1、从IC来说,大部分的IC都能跑这么搞的频率

2、频率一高,MOSFET的开关损耗将非常可观

3、变压器磁芯的材质一定要跟得上,否则铁损也会很大

4、因为考虑到EMI,布线就一定要注意了,否则EMI将是个噩梦

5、频率高就意味着体积小,那么热设计也将是个挑战

暂时就想到这么多,希望对你有帮助

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2011-03-11 20:46
@心中有冰
确实没有做过这么搞频率的硬开关反激电路。为何要上这么高的频率,是体积太小吗?还是别的原因考虑说几点理论上的分析:1、从IC来说,大部分的IC都能跑这么搞的频率2、频率一高,MOSFET的开关损耗将非常可观3、变压器磁芯的材质一定要跟得上,否则铁损也会很大4、因为考虑到EMI,布线就一定要注意了,否则EMI将是个噩梦5、频率高就意味着体积小,那么热设计也将是个挑战暂时就想到这么多,希望对你有帮助

非常感谢!

就是因为体积小才考虑使用高频的。

好像一般的反激电源IC都有把频率上限锁在130K或150K以下,搞不了这么高哦。

MOS管的开关损耗可以用节电容较小的COOL MOS,磁芯材质好办,布线讲究下就应该可以了,温度可能就得好好调一下了。

另外,想问问LTC3803-3可以做吗?它频率是300K的,但他的MOS驱动电压只有6~9V哦,加图腾柱又没空间。

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2011-05-04 15:43
@javike
非常感谢!就是因为体积小才考虑使用高频的。好像一般的反激电源IC都有把频率上限锁在130K或150K以下,搞不了这么高哦。MOS管的开关损耗可以用节电容较小的COOLMOS,磁芯材质好办,布线讲究下就应该可以了,温度可能就得好好调一下了。另外,想问问LTC3803-3可以做吗?它频率是300K的,但他的MOS驱动电压只有6~9V哦,加图腾柱又没空间。
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zvszcs
LV.12
6
2011-05-04 16:11
@CHENJIANMEI1988
[图片]
最要命的时普通电解电容恐怕受不了 啊,次级的
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2011-05-04 16:31
@zvszcs
最要命的时普通电解电容恐怕受不了啊,次级的
关注
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2011-05-04 16:40
@zvszcs
最要命的时普通电解电容恐怕受不了啊,次级的
用钽电容呀
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2011-05-04 16:47
@javike
用钽电容呀
学习中
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2011-05-04 16:49
@zvszcs
最要命的时普通电解电容恐怕受不了啊,次级的
电容不会成为障碍的
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2011-05-04 16:51

帮忙看下这个IC能不能做到?

LTC3803 

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2011-05-04 16:52
@javike
帮忙看下这个IC能不能做到?[图片]LTC3803 
384X的最高可以做到500K
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lf8754321lf
LV.5
13
2011-05-04 16:53
@javike
非常感谢!就是因为体积小才考虑使用高频的。好像一般的反激电源IC都有把频率上限锁在130K或150K以下,搞不了这么高哦。MOS管的开关损耗可以用节电容较小的COOLMOS,磁芯材质好办,布线讲究下就应该可以了,温度可能就得好好调一下了。另外,想问问LTC3803-3可以做吗?它频率是300K的,但他的MOS驱动电压只有6~9V哦,加图腾柱又没空间。

频率高只能减小变压器的,一般变压器体积站电源总体积的比重只有1/4~1/8,单纯的只提高开关频率获得的效果其实不会很明显!

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2011-05-04 16:55
@心中有冰
384X的最高可以做到500K

384X系列没优势呀。

外围元件多,还是SO-8的外置MOS

是因为体积小才用高频IC的

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2011-05-04 16:57
@lf8754321lf
频率高只能减小变压器的,一般变压器体积站电源总体积的比重只有1/4~1/8,单纯的只提高开关频率获得的效果其实不会很明显!

1/4~1/8??

不只吧

我用100K和400K做的DC-DC 100W那电感体积简直没法比。

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2011-05-04 17:14
@lf8754321lf
频率高只能减小变压器的,一般变压器体积站电源总体积的比重只有1/4~1/8,单纯的只提高开关频率获得的效果其实不会很明显!
高频不仅使磁性元件的体积大为缩小,同样可以减少电容的体积,避免使用大容量的电解电容,从而使电源的功率密度得以提高
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2011-05-04 17:16
@javike
384X系列没优势呀。外围元件多,还是SO-8的外置MOS是因为体积小才用高频IC的

此IC不也是外接MOSFET的吗?

还不如用34063来搞呢

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2011-05-04 17:25
@心中有冰
此IC不也是外接MOSFET的吗?还不如用34063来搞呢[图片]

但这个IC是SOT-26的呀,可以省空间呀。

34063的EMC怎么过呀,AC-DC隔离的哦

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LV.1
19
2011-05-05 07:31
@javike
但这个IC是SOT-26的呀,可以省空间呀。34063的EMC怎么过呀,AC-DC隔离的哦

楼主,整好了来个实物图看看。。

学习一下。。

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2011-05-05 07:33
@
楼主,整好了来个实物图看看。。[图片]学习一下。。

先帮忙提提意见呀?

那个IC行不行还不确定哦?

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LV.1
21
2011-05-05 08:53
@javike
先帮忙提提意见呀?那个IC行不行还不确定哦?
我还没整过这么高频率的反激哟。。。
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2011-05-05 08:56
@
我还没整过这么高频率的反激哟。。。[图片]
我见过模块电源有这样整过。
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liuhou
LV.9
23
2011-05-05 17:04
个人感觉IC应该不是问题,几乎所有的反激芯片都能跑这么高频率,只是EMI怕是很难整哦。
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2011-05-05 17:40
@liuhou
个人感觉IC应该不是问题,几乎所有的反激芯片都能跑这么高频率,只是EMI怕是很难整哦。

反激IC一般都有限频吧

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amonson
LV.8
25
2011-05-05 22:24
@javike
帮忙看下这个IC能不能做到?[图片]LTC3803 
要看你用什么磁心啊,你连so-8都嫌大,估计200k的频率可能有点不够,用260k保险点。热和EMI是关键,要仔细斟酌,其他的粗选一下总有合适的。
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2011-05-05 22:27
@amonson
要看你用什么磁心啊,你连so-8都嫌大,估计200k的频率可能有点不够,用260k保险点。热和EMI是关键,要仔细斟酌,其他的粗选一下总有合适的。
嗯,这么说来EMC是关键哦。
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2011-05-05 22:42
@javike
反激IC一般都有限频吧

用半桥来做

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2011-05-05 22:45
@宛东骄子
用半桥来做[图片]
那储能电感还得外置
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amonson
LV.8
29
2011-05-05 22:46
@javike
嗯,这么说来EMC是关键哦。
假定你峰值电流不变,同等功率条件下频率翻倍则感量减半,那么Ton也减半,所以di/dt和dv/dt都加倍。
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2011-05-05 22:47
@javike
那储能电感还得外置[图片]

开环,无需储能电感,

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2011-05-05 22:52
@宛东骄子
开环,无需储能电感,[图片]
开环?那负载调整率
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