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【讨论】大家来谈谈吸收电容失效引起的炸管炸机！！！

  记得之前的一次老化炸机经历，吸收电阻、MOS、IC、启动电阻等，都考虑过。唯独忽略了RCD里面的吸收电容。

此电容用的是CBB28 2.2nF 1250v耐压的。当时或许满足于耐压足够，未曾往更深入考虑。现在重新考虑，感觉有些疑点。因那时老化温度是70度，会不会是因为温度的原因，导致电容失效，RCD吸收即失效，引起炸管？很有可能。

不过，后来我在炸机的上面拆的吸收电容，都是好的！但CBB28具有良好的自愈性，会不会温度下降后，又自行恢复？

下面是CBB28的基本描述：金属化聚丙烯做介质、无感式卷饶 、耐脉冲性能好、耐高温、低损耗、高绝缘、能承受较高电压和大电流冲击并有自愈性！

希望大家可以谈谈因为吸收电容失效引起炸管的经历，并赐教一下两个问题：


1：CBB28作为吸收电容是否合适？我知道CBB21、CBB22、CBB81是可以作为吸收电容的，CBB28在节能灯上用的多。用作电源的RCD吸收，是否合适？对电容知识了解有限，盼赐教！


2：大家的RCD都是用的神马电容？是EACO、爱普科斯这些专做电力电子电容的突波吸收电容？还是别的？


谢谢！另有 asslx 的 帖子讨论的也不错，可以借鉴http://bbs.dianyuan.com/topic/56826！

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jtlove88
LV.4
2
2011-03-15 09:58

可以改用贴片陶瓷电容代替CBB电容

效果好，耐高温，长寿命，低ESR

 

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jepsun
LV.9
3
2011-03-15 10:01
@jtlove88
可以改用贴片陶瓷电容代替CBB电容效果好，耐高温，长寿命，低ESR 
你那贴片电容是什么介质的？X7R？先发点资料上来看下吧！
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liuhou
LV.9
4
2011-03-15 10:35
这种情况倒是遇到的少。。
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jepsun
LV.9
5
2011-03-15 11:59
@liuhou
这种情况倒是遇到的少。。
那你的吸收电容，用的是什么类型？
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冰上鸭子
LV.10
6
2011-03-15 13:06
恩 每遇到过,
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hk2007
LV.8
7
2011-03-15 14:00
@jepsun
那你的吸收电容，用的是什么类型？
我们这用到的都是陶瓷电容，贴片(500V)或插件（500V/1000V).CBB电容还没用过
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hk2007
LV.8
8
2011-03-15 14:03
@hk2007
我们这用到的都是陶瓷电容，贴片(500V)或插件（500V/1000V).CBB电容还没用过
是X7R的材质，热稳定性较好。
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jepsun
LV.9
9
2011-03-15 15:41
@hk2007
是X7R的材质，热稳定性较好。

我陶瓷的都用在输出肖特基的吸收上。RCD上还没用过陶瓷的~

下次试试陶瓷的！

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hk2007
LV.8
10
2011-03-15 15:48
@jepsun
我陶瓷的都用在输出肖特基的吸收上。RCD上还没用过陶瓷的~下次试试陶瓷的！

不知道这个电容的选用跟功率有没有关系？

我们这做的中小功率（150W以内）的电原，用的都是这种陶瓷电容，体积小还便宜。

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jepsun
LV.9
11
2011-03-15 15:54
@hk2007
不知道这个电容的选用跟功率有没有关系？我们这做的中小功率（150W以内）的电原，用的都是这种陶瓷电容，体积小还便宜。

你还别说，还真没见过用陶瓷的，用陶瓷的比较少吧？还是我见得少?

你确定是用在原边吸收MOS管上尖峰的电容吗？不是次级肖特基上的那个哦！咱俩可别说反了。

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hk2007
LV.8
12
2011-03-15 17:31
@jepsun
你还别说，还真没见过用陶瓷的，用陶瓷的比较少吧？还是我见得少?你确定是用在原边吸收MOS管上尖峰的电容吗？不是次级肖特基上的那个哦！咱俩可别说反了。
确定以及肯定，是原边的RCD吸收中的C；次级的话是用RC吸收，还是用陶瓷电容，都没出现过啥问题。
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心中有冰
13
2011-03-15 19:03
@jepsun
你还别说，还真没见过用陶瓷的，用陶瓷的比较少吧？还是我见得少?你确定是用在原边吸收MOS管上尖峰的电容吗？不是次级肖特基上的那个哦！咱俩可别说反了。

呵呵，一般初级MOSFET的吸收电容都是使用高压陶瓷电容

因为高压陶瓷电容的高频特性好，能做到很高的耐压，体积也小，最主要的一点就是成本低；但容量会随温度变化，特别是Y5V材质的，X7R材质的要好得多

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jepsun
LV.9
14
2011-03-15 19:14
@心中有冰
呵呵，一般初级MOSFET的吸收电容都是使用高压陶瓷电容因为高压陶瓷电容的高频特性好，能做到很高的耐压，体积也小，最主要的一点就是成本低；但容量会随温度变化，特别是Y5V材质的，X7R材质的要好得多

汗！见识少了，大家无怪！

那请教冰版：用CBB的聚丙烯薄膜电容来作吸收电容，有何劣势及优势呢？谈谈你的见解吧。我嘛，看重它的耐冲击性及自愈性，高温下（100度环境温度）工作也没事。

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xmullp
LV.4
15
2011-03-15 21:35
@jepsun
你还别说，还真没见过用陶瓷的，用陶瓷的比较少吧？还是我见得少?你确定是用在原边吸收MOS管上尖峰的电容吗？不是次级肖特基上的那个哦！咱俩可别说反了。
旅长，RCD吸收你不用瓷片电容吗？
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jtlove88
LV.4
16
2011-03-15 22:26
@jepsun
你那贴片电容是什么介质的？X7R？先发点资料上来看下吧！

X7R材质的贴片陶瓷电容，我不知道资料怎么贴上来....

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jtlove88
LV.4
17
2011-03-15 22:40
@jepsun
汗！见识少了，大家无怪！那请教冰版：用CBB的聚丙烯薄膜电容来作吸收电容，有何劣势及优势呢？谈谈你的见解吧。我嘛，看重它的耐冲击性及自愈性，高温下（100度环境温度）工作也没事。

高压贴片陶瓷电容也具有耐高温+125度，长寿命，缩小是源体积，代替CBB电容

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jtlove88
LV.4
18
2011-03-15 22:42
@心中有冰
呵呵，一般初级MOSFET的吸收电容都是使用高压陶瓷电容因为高压陶瓷电容的高频特性好，能做到很高的耐压，体积也小，最主要的一点就是成本低；但容量会随温度变化，特别是Y5V材质的，X7R材质的要好得多

一般高压贴片陶瓷电容都有NPO X7R这两种材质~

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心中有冰
19
2011-03-16 09:52
@jepsun
汗！见识少了，大家无怪！那请教冰版：用CBB的聚丙烯薄膜电容来作吸收电容，有何劣势及优势呢？谈谈你的见解吧。我嘛，看重它的耐冲击性及自愈性，高温下（100度环境温度）工作也没事。

体积太大，成本太高，耐热性能较差，其余都是优点了

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jepsun
LV.9
20
2011-03-16 10:08
@xmullp
旅长，RCD吸收你不用瓷片电容吗？
我倒是一直用的薄膜的。以后可以试试陶瓷的。
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hk2007
LV.8
21
2011-03-16 10:28
@jepsun
我倒是一直用的薄膜的。以后可以试试陶瓷的。

回到主题：楼主的老化炸机是因为RCD电路中的C失效引起的么？

一般只要这个容值下降的不是很厉害，不至于会引起炸机；要是电容完全失效，倒是有可能。但又是什么原因引起电容的失效呢？

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jepsun
LV.9
22
2011-03-16 10:56
@hk2007
回到主题：楼主的老化炸机是因为RCD电路中的C失效引起的么？一般只要这个容值下降的不是很厉害，不至于会引起炸机；要是电容完全失效，倒是有可能。但又是什么原因引起电容的失效呢？

老化炸机，当时判断是MOS过热，当时老化温度是70度。后来下降到60度，老化炸机现象就未曾发生。

说是因为电容失效，只是我的推测。但CBB28的耐热性是比较好的，这种可能性比较小，所以请大家探讨下。

至于倘若用陶瓷电容，高温下，似乎难说。

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jepsun
LV.9
23
2011-03-16 15:47
@心中有冰
体积太大，成本太高，耐热性能较差，其余都是优点了

下午换用陶瓷的试了下，室温工作了下。似乎还好，体积优势么，感觉不是很明显，圆圆的一大个，要是容量大，就更大了。

待我将其丢进烘箱，老化+冲击 玩下！

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holyfaith
LV.8
24
2011-03-16 21:01
@hk2007
不知道这个电容的选用跟功率有没有关系？我们这做的中小功率（150W以内）的电原，用的都是这种陶瓷电容，体积小还便宜。

我想这个RCD嵌位所用，电压会很高，所以耐压要高吧

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jepsun
LV.9
25
2011-03-16 21:24
@holyfaith
我想这个RCD嵌位所用，电压会很高，所以耐压要高吧
耐压倒不是太大的问题，一般的薄膜电容，也有足够耐压的。
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holyfaith
LV.8
26
2011-03-16 21:31
@心中有冰
呵呵，一般初级MOSFET的吸收电容都是使用高压陶瓷电容因为高压陶瓷电容的高频特性好，能做到很高的耐压，体积也小，最主要的一点就是成本低；但容量会随温度变化，特别是Y5V材质的，X7R材质的要好得多
高压陶瓷电容是不是就是平时说的高压瓷片？
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holyfaith
LV.8
27
2011-03-16 21:32
@jepsun
下午换用陶瓷的试了下，室温工作了下。似乎还好，体积优势么，感觉不是很明显，圆圆的一大个，要是容量大，就更大了。待我将其丢进烘箱，老化+冲击玩下！
电容要是都做成方形的就省地方了，像集装箱一样，好摆件了 呵呵
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ouhuang
LV.1
28
2011-03-17 10:25
@jepsun
耐压倒不是太大的问题，一般的薄膜电容，也有足够耐压的。
如果從吸收功能看RC 的C使用陶瓷電容比較多，RCD的C使用薄膜電容的比較多。
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jtlove88
LV.4
29
2011-03-17 12:39
@ouhuang
如果從吸收功能看RC的C使用陶瓷電容比較多，RCD的C使用薄膜電容的比較多。

可以改用贴片陶瓷电容代替CBB电容

效果好，耐高温，长寿命，低ESR

可以提供样品测试~

qq85993729  13670252186 蒋小姐

 

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jtlove88
LV.4
30
2011-03-17 12:42
@holyfaith
高压陶瓷电容是不是就是平时说的高压瓷片？

不是，是高压贴片陶瓷电容

不是传统插件的瓷片电容

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电源路过
LV.2
31
2011-03-21 11:37
@jepsun
老化炸机，当时判断是MOS过热，当时老化温度是70度。后来下降到60度，老化炸机现象就未曾发生。说是因为电容失效，只是我的推测。但CBB28的耐热性是比较好的，这种可能性比较小，所以请大家探讨下。至于倘若用陶瓷电容，高温下，似乎难说。
21楼的说的有道理，可能不一定是电容失效引起炸机哦，楼主有没有测MOS管的峰值电压啊，耐压是否足够，会不会刚好在临界点。
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