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RCD吸收的二极管总是坏

     一反激电源,输入350-800V,采用RCD吸收,批量生产时总是有一定的不良率,经分析是RCD吸收的二极管损坏导致的,二极管用的是1000V的FR107,现在都还找不到比较理想的解决方法,以下是我的一些解决方法,请大虾们不吝赐教:

1. 怀疑是RCD中的电容初始储能为零,开机时需充电至200多伏(等于折射电压),所以开机时二极管承爱较大的电流而损环,所以我在FR107上串了一个几十欧的电阻做实验,做了600PCS的机器没有一台坏,以为终于把问题解决了,最近又爆发出大量的不良品,经分析FR107软性损坏(没完全击穿).

2.测量二极管两端电压,输入800V时达到930V,已经接近其耐压1000V,瞬态可能更高,怀疑是二极管耐压不足,其实最初就是怀疑这原因的,苦于找不到更高耐压的二极管,听说二极管的额定耐压是有一定余量的,1000V的二极管实际上可以达到1200V而不损环,不知是否有这种说法.

3.两个二极管FR107串联一起使用,不知是否有用,担心动态均压问题.

4.干脆不用吸收,把RCD去掉,因为MOS管的耐压是1500V,测量最大负载下不加吸收时MOS管两端电压峰峰值1150V,不知这样对其他方面是否有影响

    

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sangjuen
LV.8
2
2011-03-23 14:52
两个二极管串联一起使用,耐压是2个之和,最好用恢复速度快的BYV26C等
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grtang
LV.7
3
2011-03-23 15:58

耐压明显余量不够,用1200V以上。

封装尺寸用do-201.在反向电压的时候,反向电流*反向电流,瞬时功率很大,小封装热量散不出去,结温过高损坏。用超快恢复二极管(Trr<50nS)。

二极管简单串联不能解决耐压的问题。

电源的输出功率是多少?

 

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2011-03-23 16:28
@grtang
耐压明显余量不够,用1200V以上。封装尺寸用do-201.在反向电压的时候,反向电流*反向电流,瞬时功率很大,小封装热量散不出去,结温过高损坏。用超快恢复二极管(Trr

超快恢复的管子已经用过了,没有任何改善,用的是安森美的MUR1100,怀疑不是散热问题。由于是输助电源,输出功率不大,满负荷工作不到20W。

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2011-03-23 16:30
@grtang
耐压明显余量不够,用1200V以上。封装尺寸用do-201.在反向电压的时候,反向电流*反向电流,瞬时功率很大,小封装热量散不出去,结温过高损坏。用超快恢复二极管(Trr
找不到1200V的快恢复管,若有型号,请告之,谢谢!
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grtang
LV.7
6
2011-03-23 16:47
@412lijingzhi
找不到1200V的快恢复管,若有型号,请告之,谢谢!
st  STTH112。IR,VISHAY都有相应的产品。
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2011-03-23 22:10

两个串联就行了,不用均压的。

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MYLAPLACE
LV.5
8
2011-03-24 10:32
@grtang
耐压明显余量不够,用1200V以上。封装尺寸用do-201.在反向电压的时候,反向电流*反向电流,瞬时功率很大,小封装热量散不出去,结温过高损坏。用超快恢复二极管(Trr

反向电压的时候,反向电流*反向电流,瞬时功率很大

请问,在施加反压的时候,会有反向恢复电流吗?

因为,在ON的时刻到前,D正向电流早已就是零了,ON时刻施加反压,能形成反向恢复电流吗?

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2011-03-24 11:15
@MYLAPLACE
反向电压的时候,反向电流*反向电流,瞬时功率很大请问,在施加反压的时候,会有反向恢复电流吗?因为,在ON的时刻到前,D正向电流早已就是零了,ON时刻施加反压,能形成反向恢复电流吗?
是啊,我也是这样想的,DCM模式不存在反向恢复问题,所以之前也有用1N4007来代替FR107
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MYLAPLACE
LV.5
10
2011-03-24 12:21
@412lijingzhi
是啊,我也是这样想的,DCM模式不存在反向恢复问题,所以之前也有用1N4007来代替FR107

说的是初级DRC 吸收的二极管。

不管是CCM,DCM 该二极管存在反向恢复的条件吗?

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2011-03-24 12:32
试试HER107,比FR107速度快
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2011-03-24 15:40
@MYLAPLACE
说的是初级DRC吸收的二极管。不管是CCM,DCM该二极管存在反向恢复的条件吗?
我的意思是说RCD也可以看成是一路输出,C是滤波电容,D是整流管,R是负载,由于R很大,即负载很小,需要的占空比非常小,这一路输出是工作在DCM模式的,二极管零电流开通,所以不存在反向恢复,我理解有问题吗
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2011-03-24 15:47
@412lijingzhi
我的意思是说RCD也可以看成是一路输出,C是滤波电容,D是整流管,R是负载,由于R很大,即负载很小,需要的占空比非常小,这一路输出是工作在DCM模式的,二极管零电流开通,所以不存在反向恢复,我理解有问题吗
零电流关断,打错了
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liuhou
LV.9
14
2011-03-24 17:34
输入电压都800V了 ,吸收的二极管耐压太低了吧。估计要选1000V的。
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yzds409
LV.8
15
2011-03-24 18:52
@liuhou
输入电压都800V了,吸收的二极管耐压太低了吧。估计要选1000V的。

换个牌子,我也遇到过,我用MIC的害死我了.

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MYLAPLACE
LV.5
16
2011-03-25 08:53
@412lijingzhi
零电流关断,打错了

RCD也可以看成是一路输出......

这个想法新鲜~

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2011-03-25 09:17
楼主的MOS耐压1500V啊,没见过,说一说型号可以吧。二极管可以考虑一下HER108,它的速度要快过FR107。
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2011-03-25 09:29
@qinzutaim
楼主的MOS耐压1500V啊,没见过,说一说型号可以吧。二极管可以考虑一下HER108,它的速度要快过FR107。
瑞萨的2SK2225、 ST的STP3N150都是,Rdson比较大,只适合小功率场合,呵呵。
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2011-03-25 09:33
@412lijingzhi
瑞萨的2SK2225、 ST的STP3N150都是,Rdson比较大,只适合小功率场合,呵呵。
电流是小点了!不过还是谢谢老兄。
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jepsun
LV.9
20
2011-03-25 10:53
不用吸收,楼主有没有测试开机瞬间MOS的反峰?这个可能比常态的要高哦。
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2011-06-17 22:35
@jepsun
不用吸收,楼主有没有测试开机瞬间MOS的反峰?这个可能比常态的要高哦。

EMI不好过

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jepsun
LV.9
22
2012-07-11 09:34

不知道后来你这个吸收二极管的问题,有无改善?

这个吸收二极管的耐压,是依据什么定的呢?

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hw37395549
LV.5
23
2013-08-12 16:58
@jepsun
不知道后来你这个吸收二极管的问题,有无改善?这个吸收二极管的耐压,是依据什么定的呢?
我用的是HER307没有坏发热很严重。电路板发黑了。是什么原因呢?要用FR307吗?
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火狐
LV.4
24
2013-08-13 09:53
@hw37395549
我用的是HER307没有坏发热很严重。电路板发黑了。是什么原因呢?要用FR307吗?
你的电源输出多大电压多少?我看应该是变压器漏感能量过大了。
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