这个波形正常吗?

LV.5

2011-04-02 15:39

@firefox886

兄弟,你的图挂了!重发吧!

lanzzr

LV.3

2011-04-02 20:18

@天斌

[图片]

关断点太高了，振荡毛刺也太严重了

firefox886

LV.9

2011-04-02 23:36

@天斌

[图片]

一是电感量大了，移相过多，二是没有高频退耦滤波！

LV.5

2011-04-03 10:12

@lanzzr

关断点太高了，振荡毛刺也太严重了

毛刺是很严重哦!那怎么处理好呢,IGBT上增加吸收电容了也没什么作用!

LV.5

2011-04-03 10:14

@firefox886

一是电感量大了，移相过多，二是没有高频退耦滤波！

高频退耦滤波,是指igbt上的吸收电路吗?

还是>>>>?????

请指教!

谢谢!

牛角先生

LV.5

2011-04-16 14:12

LV.9

2011-04-16 18:09

@天斌

高频退耦滤波,是指igbt上的吸收电路吗?还是>>>>?????请指教!谢谢!

应该说的是直流母线吸收电容器，接在正负极之间。

LV.5

2011-04-17 06:50

@my.mai

应该说的是直流母线吸收电容器，接在正负极之间。

如果是母线吸收电容，我加了，没有什么用，从3UF加到15UF作用不大！波形上看不出来，我吸收电路是RCD吸收再加上母线电容的！

LV.5

2011-04-17 08:13

@天斌

如果是母线吸收电容，我加了，没有什么用，从3UF加到15UF作用不大！波形上看不出来，我吸收电路是RCD吸收再加上母线电容的！

高频开关电路的毛刺很多是由于共模干扰造成的测量误差。

LV.9

2011-04-17 08:22

@my.mai

应该说的是直流母线吸收电容器，接在正负极之间。

<我吸收电路是RCD吸收再加上母线电容的！>按理这样做波形应当是非常漂亮了。你先把电路工作在谐振点，再把波形贴上来，就可以进一步判断问题在何处了。

jakehusonic

LV.4

2011-04-17 10:28

@my.mai

应该说的是直流母线吸收电容器，接在正负极之间。

麦工，请问您的电话多少，我想用您的电容

spt77

LV.5

2011-04-17 17:32

@天斌

如果是母线吸收电容，我加了，没有什么用，从3UF加到15UF作用不大！波形上看不出来，我吸收电路是RCD吸收再加上母线电容的！

我认为可以从以下几个方面入手：

1、移相太多了，减小移相再看看！

2、虽然有RCD吸收电路，但参数合适吗？

3、电流是怎么测得的？有时候示波器探头回路太大也会使波形显示毛刺！

LV.5

2011-04-17 18:37

@igbtsy

按理这样做波形应当是非常漂亮了。你先把电路工作在谐振点，再把波形贴上来，就可以进一步判断问题在何处了。

全桥串联谐振是不需要RCD吸收回路的。

LV.9

2011-04-17 19:10

@jakehusonic

麦工，请问您的电话多少，我想用您的电容

我QQ:824850939 最近在出差，最好QQ上留言。

LV.5

2011-04-17 19:37

@wangjinchao

全桥串联谐振是不需要RCD吸收回路的。

这个我可不同意，不需要，但是有只有好处，不知道您能否说出不需要的理由。

谢谢

LV.5

2011-04-17 19:41

@igbtsy

按理这样做波形应当是非常漂亮了。你先把电路工作在谐振点，再把波形贴上来，就可以进一步判断问题在何处了。

在外面出差。回去后试试，！

LV.9

2011-04-17 20:31

@igbtsy

按理这样做波形应当是非常漂亮了。你先把电路工作在谐振点，再把波形贴上来，就可以进一步判断问题在何处了。

全桥串联谐振不用RCD吸收波形已经是非常漂亮了，但是用了RCD吸收波形更好，更主要的是R很热，相当于把IGBT上的部分热量转移到了R上。有些产品是这样做的。到底是用RCD吸收还是不用，只用C吸收？要进行可靠性计算后才能确定，主要是R的发热增加了R的失效率，而IGBT的失效率则降低，总的失效率是增加还是降低要由计算值来确定，这是科学的方法。

LV.9

2011-04-17 20:46

@igbtsy

我见过人家的机器，RC吸收，R是十几个10W的电阻并联的，看来发热功率很高。

LV.5

2011-04-17 20:51

@天斌

这个我可不同意，不需要，但是有只有好处，不知道您能否说出不需要的理由。谢谢

你看一看，在IGBT的C E两极并联有电容，但是那个电容可不是单纯的“吸收”电容，容量还较大。

http://bbs.dianyuan.com/topic/648199

LV.9

2011-04-17 22:25

@wangjinchao

你看一看，在IGBT的CE两极并联有电容，但是那个电容可不是单纯的“吸收”电容，容量还较大。

CE端的吸收电容，容量多少？

jakehusonic

LV.4

2011-04-18 10:41

@my.mai

我QQ:824850939最近在出差，最好QQ上留言。

已发QQ邮箱

spt77

LV.5

2011-04-18 12:32

@igbtsy

这个东东应该就是解决“R”问题的!

LV.5

2011-04-18 13:37

@my.mai

CE端的吸收电容，容量多少？

根据电流的大小而不同，设计的依据是：该电容的充放电时间大于IGBT的关断时间，小于死区时间。既然有了这样一个电容，还要什么RC吸收？

LV.9

2011-04-18 14:01

@my.mai

CE端的吸收电容，容量多少？

模块底板面积大，可以不用RCD吸收，这样电路简单些，非模块组成的半桥或全桥，由于单管的集电极底板面积很小，单位时间内传出的热量有限，为了降低管芯温度，大都是用RCD吸收，把管子中的热量转换到外部的R中，所以R功耗很大。

LV.5

2011-04-18 14:31

@igbtsy

设计电路时是不可以将另外的外部能量转移到管芯里去的，在单管电源电路中，电容的能量必将以热量的形式消耗在放电回路中，阻值越高，热量越大，因此，用外接电阻器的形式耗散热量。但是，在全桥串联调频谐振感应加热电路中，却与此不同，在任何时候，回路中的电流都是可以流通的。理想状态下，负载是唯一一个产生功率消耗的部件。

LV.5

2011-04-18 19:25

@my.mai

我见过人家的机器，RC吸收，R是十几个10W的电阻并联的，看来发热功率很高。

先说明下，1，此波形虽然不好，但是对同一负载可以正常工作

2，单在IGBT母线上加C试了也可以正常工作，

3，个人分析母线上加C吸收IGBT关断产生的尖峰电压，但是在IGBT导通时电容放电使IGBT开通电流增加，此电流会使IGBT发热量增加，同时根据资料介绍还容易和母线电感产生共振。不太让人放心所以加了RCD吸收！

4，只用RC吸收时当的取10R/200W，加了D后适当增加了R的阻值，现在R功率是50W，效果当然也不是太好！可能是参数没调整好，买了高压探头打算看看UCE的波形。效果不好的意思并不是不能工作，而是波形不是很理想，

5，我的在IGBT输出接到负载处加了电流互感器100：1的，在直流IGBT输入处加了电压传感器，用了一个负载试验，到过流或过压值都能保护，但是换负载后（与试验负载相差较大）当出现问题保护总是慢一拍！即本人的机子用固定负载没有问题，但是当负载变化很大时就容易坏IGBT。求解！

LV.9

2011-04-18 21:22

@wangjinchao

你可以做个试验，在其它都不变的条件下，只更换C吸收及CRD吸收，看功率管在二种不同的吸收状态下的发热情况。就知道其中的差别了。当然为了对比的准确性，请把二种情况下的试验都在谐振状态下做，不然的话就没有比较的基准了。

LV.9

2011-04-18 21:32

@天斌

先说明下，1，此波形虽然不好，但是对同一负载可以正常工作2，单在IGBT母线上加C试了也可以正常工作，3，个人分析母线上加C吸收IGBT关断产生的尖峰电压，但是在IGBT导通时电容放电使IGBT开通电流增加，此电流会使IGBT发热量增加，同时根据资料介绍还容易和母线电感产生共振。不太让人放心所以加了RCD吸收！4，只用RC吸收时当的取10R/200W，加了D后适当增加了R的阻值，现在R功率是50W，效果当然也不是太好！可能是参数没调整好，买了高压探头打算看看UCE的波形。效果不好的意思并不是不能工作，而是波形不是很理想，5，我的在IGBT输出接到负载处加了电流互感器100：1的，在直流IGBT输入处加了电压传感器，用了一个负载试验，到过流或过压值都能保护，但是换负载后（与试验负载相差较大）当出现问题保护总是慢一拍！即本人的机子用固定负载没有问题，但是当负载变化很大时就容易坏IGBT。求解！

《但是当负载变化很大时就容易坏IGBT》，那是没有考虑负载突变时对IGBT电压，电流波形的影响，这是看到的波形的表面现象。就电磁灶的炒锅来说，抛锅时负载是突变的，用提锅瞬间保护来解决这个问题，使得提锅瞬间及提锅后UCE波形都是理想的光滑的梯形波，电流没有一点点的过冲，隋着锅离开灶面电流迅速减小。