随着现在手机等锂电的容量要求越来越大,相应地其保护板也要求越来越小,目前市场上出现的TSOP-6封装的双N MOS体积只有TSOP-8封装的一半还小,因此在许多应用场合有其独特的功能.而且由于成本等上面的控制,TSOP-6的封装更加有优势.
2005年6月,我司推出了TSOP-6封装的这种MOS.在广大客户和朋友的支持下,应用范围不段扩大,也得到了一致好评,现在为市面上性价比最好的同类型MOS,传上该产品的资料,欢迎大家的参与和来电!1136361379.pdf
关于双N MOS的TSOP-6取代TSOP-8的趋势讨论 !
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@浊酒一杯
一班无知的家伙,6条腿的不可能替代8条腿的,不信你看几大手机厂有改了没有.根本原因在于,TSSOP-6的固定承受功率只有1.25W而TSSOP-8的在2.5W决定了当电池过流时很可能把TSSOP-6封装烧掉.在欧美根本不可能过关.国内人做事不讲游戏规则,迟早会出问题,看看做单管的就知道.
假设电池的容量为800MAH,算最快充电最大的充电电流400MA,MOSFET的内阻为60毫欧.算起来功率P=I2*R=0.4*0.4*0.06=0.0096W.
假设按照目前最大的1800MAH算,P=0.9*0.9*0.06=0.0486W.
不知道我算的是不是对?谢谢指正
如果没有保护IC,那我就不好说了,估计TSSOP-8的一样会被烧掉
假设按照目前最大的1800MAH算,P=0.9*0.9*0.06=0.0486W.
不知道我算的是不是对?谢谢指正
如果没有保护IC,那我就不好说了,估计TSSOP-8的一样会被烧掉
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@sevenchiang
TELLY;你好,你的问题,在于对MOSFET的电流值的理解,你要看测试条件,我们在定义电流值时,是根据其热阻值,焊在FR4的PCB板上,测试出来,是有一定条件的!关于这个问题,你可以到美国国家半导体公司网站上有相关的资料可以查询参考:)
江生:
你说的不错,但每个应用有它特殊性,当电路过流或短路时,电流可高达6~8A过流的判断时是V=IR来算,目前理光的过流的V植设定为0.2V,R代表MOS的内阻.所以I(过电流)=0.2/R,当R=60MR时,过电流可高达3.33A,如果用2017等就更大,这就是原装电池为什么都加FUSE的原因.我研究工程的.你呢?
你说的不错,但每个应用有它特殊性,当电路过流或短路时,电流可高达6~8A过流的判断时是V=IR来算,目前理光的过流的V植设定为0.2V,R代表MOS的内阻.所以I(过电流)=0.2/R,当R=60MR时,过电流可高达3.33A,如果用2017等就更大,这就是原装电池为什么都加FUSE的原因.我研究工程的.你呢?
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@浊酒一杯
江生: 你说的不错,但每个应用有它特殊性,当电路过流或短路时,电流可高达6~8A过流的判断时是V=IR来算,目前理光的过流的V植设定为0.2V,R代表MOS的内阻.所以I(过电流)=0.2/R,当R=60MR时,过电流可高达3.33A,如果用2017等就更大,这就是原装电池为什么都加FUSE的原因.我研究工程的.你呢?
你好,加FUSE是为了二次保护,是为了在极端的情况下具有更高的安全性.短路的时候电流是瞬间的,如果保护IC正常工作,一般地是不会损害MOSFET的!
我是一个业务员而已:),知道的东西很有限,欢迎你有机会可以过来鄙司坐坐:)
我是一个业务员而已:),知道的东西很有限,欢迎你有机会可以过来鄙司坐坐:)
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