好像只有为了EMI牺牲效率的时候才考虑慢恢复的,一般都是快恢复的哟哟。。
管子回复越快,吸收效果越差。但是普通管子自身温升会高的多。
故要根据mos的耐压值选择合适的二极管。
慢速管PS2010
快速管UF2010
有可能是,但是在快恢复管的情况下,还可以优化RC,使得峰值变小
仔细想想是不是因为使用了这个RCD电路的原因。
因为正常的RCD吸收电路不应该受快慢管影响这么大。第一个脉冲是漏感往C里面充电的过程,那么决定尖峰电压的是第一个脉冲,这个脉冲与反向恢复时间并无关系。
兄弟,搞反了吧?
应该是反偏到正偏的时间啊
去看看
http://baike.baidu.com/view/3446657.htm
反激一锅炒中有专门讲这个的
但是怎么解释对漏级尖峰的影响?因为那个尖峰应该是第一个脉冲造成的,对吗?
我先去看看
开关电源的设计及计算V1.1
我把它搬过来了.
这个功率界限一般是多少瓦?
首先我们假设漏感能量是一定的,如果是慢管,他反向恢复时间长,况且在这个时候其等效电阻较大,所以第一个脉冲并不会冲太高。。在其上面消耗的能量较大,所以管会很热。如果用快管,可以理解把漏感能量转移到了后面电阻电容上了。
所以我理解慢管在小功率上可以用,在大功率上从成本上考虑我们希望漏感能量是消耗在后面阻容上,而不能是二极管上。。。。