关于MOSFET的发热

是来自于导通损耗,还是开关损耗?

如果都导通损耗和开关损耗都引起发热,那么,哪个方面引起的发热是主要的?

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LV.10

2011-05-22 00:05

都有。

频率很高的时候，开关损耗大。电流很大的时候，导通损耗大。

LV.9

2011-05-22 21:05

@让你记得我的好

都有。频率很高的时候，开关损耗大。电流很大的时候，导通损耗大。

两个不同的方面，看你具体针对的哪个。如好版主分析的。

LV.1

2011-05-22 22:32

@jepsun

两个不同的方面，看你具体针对的哪个。如好版主分析的。

顶好版。。。

LV.10

2011-05-23 08:26

如果是0电压导通 0电流关断开关损耗就是0

就剩导通损耗了

2011-05-23 12:56

导通损耗是纯粹的欧姆损耗

而开关损耗则跟很多因素有关了，比如频率，驱动电路的驱动能力，MOSFET的结电容，驱动波形的上升与下降沿的时间，还有电路的分布参数等

LV.7

2011-05-23 13:29

@心中有冰

导通损耗是纯粹的欧姆损耗而开关损耗则跟很多因素有关了，比如频率，驱动电路的驱动能力，MOSFET的结电容，驱动波形的上升与下降沿的时间，还有电路的分布参数等

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