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关于MOSFET的发热是由什么引起的

是来自于导通损耗,还是开关损耗?

如果都导通损耗和开关损耗都引起发热,那么,哪个方面引起的发热是主要的?

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zvszcs
LV.12
2
2011-05-21 19:18

导通损耗主要来自RDS,开关损耗主要来自上升或下降的时间

速率越快,损耗也低,但是干扰越大

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liuhou
LV.9
3
2011-05-21 22:02

详细过程参考下面表格,


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liuhou
LV.9
4
2011-05-21 22:04
 
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LV.1
5
2011-05-21 22:54
@liuhou
[图片] 

这个不错。。

先看看。。

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