【专题】反激式电源设计及应用四

顶!
建议老兄你出本书算了,我第一个来买.

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对,大家都来学习学习

顶
我也认同,出本书我也买.

同意
对我们新手很有帮助哦!

我也顶!
很好的一些问题,新手们等待大侠们多多发文,让我们采鸟们多些学习机会!

嘻嘻
我是低手,所以等着看文章

都是好题目
关注第四点

我顶!
急盼老兄跟刘胜利样,出本书来,学习学习.纯粹的理论和应用工程技术毕竟有很大的差别!

反激电源多路输出交叉调整率的产生原因和改进方法.
理论上反激电源比正激电源更使用于多路输出,但实际上反击电源的多路输出交叉调整率比正激电源更难做,这主要是正激后面加了个偶合电感,而反激的漏感不是零.
很多人做反激电源时都遇到这个问题,一路输出稳定性非常好,但多路输出时没有直接取反馈的路的电压会随其他路的负载变化而剧烈变化,这是什么原因呢?
  原来,在MOS关断,次级输出时能量的分配是有规律的,它是按漏感的大小来分配,具体是按匝比的平方来分配(这个可以证明,把其他路等效到一路就可得出结果)如:5V 3匝,漏感1uH,12V 7匝,如果漏感为(7/3)(平方)*1=5.4uH,则两路输出的电流变化率是一样的,没有交叉调整率的问题,但如果漏感不匹配时,就会有很多方面影响到输出调整率:1.次级漏感,这是明显的; 2,输入电压,如果设计不是很连续,则在高压时进入DCM状态,DCM时由于电流没有后面的平台,漏感影响更显著.
改进方法:1,变压器工艺,让功率比较大,电压比较低的绕组最靠近初级,其漏感最小,电压比较高,功率比较小的远离初级,这样就增加了其漏感.2,电路方法,电压输出较高的绕组在整流管前面加一个小的磁珠或一个小的电感,人为增加其漏感,这样电流的变化率就接近于主输出,电压就稳定.3,电压相近的输出,如:3.3V 5V,按我们的解释其漏感应该差别很小,这时就要把这两个绕组绕在同一层里面,甚至有时候5V要借用3.3的绕组,也就是所谓的堆叠绕法,来保证其漏感比.
另外有时候电压不平衡是由于算出的匝数不为整数造成的,如半匝,当然半匝是有办法绕的,但半匝的绕法也是很危险的(可参考其他资料),这是我们可以通过二极管的压降来调整,如12V用7匝,5V用3匝,如果发现12V偏高,则12V借用5V的3匝,但剩下的4匝的起点从5V输出的整流管后面连接,则12V的整流管的压降为两组输出整流管的压降和,如:0.5(5V)+0.7(12V)=1.2V,另外12V输出负载变化时,其电流必然引起5V整流管的压降变化,也就是5V输出变化,而5V的变化会通过反馈调整,这样也间接控制了12V.

反激好处也很明显
除了反冲续流不用加,假负荷也可以不加吧!

不解渴!
1、关于匝比平方的问题是这样的:电感值L=匝数的平方*AL(磁芯的电感因子).本质上还是电感量的问题.能量:P=1/2LI^2.
2、漏感随便怎么调,如果不采取稳压措施一个绕组的负载状态(I)都会影响另一绕组.(个人观点)

千万不要忽视理论!
理论是指导实践的,这是真理,如果没有理论,当你有问题时就无处下手,有的人就到处改,到处试,改好了也不知道其所以然.要知道,电源设计应该是一个严格的数学过程,如果不能做到这一点,说明还有很多东西需要学习.
   如果我真写书的话,每一点都会有理论解释,只是在BBS上,画图,写公式都很麻烦(实际上我根本就不知道怎么弄),所以只能写几句.
   刘胜利很熟悉,还送了我一本书,他的书基本上是实验数据堆起来的,很佩服老刘的精神,很大年纪了还在做实验研究.不过老人家很好玩:你跟他讲话一定要先让他讲完,否则插不进嘴.

回答.
1.你说的问题是电感的电感量,而漏感是不遵守这个规律的,你可以把其他组的电压,电流,漏感等效到一组,然后
就看到我的结论,只有每个绕组的电流上升率一样时,理论上电压就不会再随负载而变化.
2.因为漏感受很多因素的影响,不可能完全调整到理想状态,所以实际上一个绕组还会影响另一个绕组,但可以把这个影响减到实际产品可应用的水平,而不需要加二次稳压.

有点糊涂
1.绕组的漏感和它的输出电流有关吗?
2.如果没有关系(或关系不大),根据上面讲的(在MOS关断,次级输出时能量的分配是有规律的,它是按漏感的大小来分配,具体是按匝比的平方来分配),该绕组分配所得的能量岂不是与输出负载无关?

有点问题请教!
如果是两路,一路功率大输出电压高,另一路功率小,输出电压低,则那一路靠近初级?
多路输出是用夹层饶法,还是普通饶法?
谢谢!

活学活用一回,不知CMG给我打几分(就算满分100吧)
根据CMG的方法,可能是这样:
1、靠近磁芯的应该是N*I值大的那路.
2、至于是夹层饶法还是顺序饶法要看你关注电源的什么性能(参数).

大家不要错过学习的机会啊
这么多人看了,为什么不发言呢?搞懂了的再解释的通俗点,不清楚的不妨再来点疑问.

各位,实际问题请教
小弟,电源行业入行两年,经验和理论都不足,不久前才发现这么个好地方,目前在上海工作,以后要想各位多多请教,
  目前正经手一背投电视上用的开关电源,具体情况是100-240Vac in先PFC然后反激PWM,都是硬开关,PFC出来要有380V,0.4A去点灯,然后pwm输出有5V,4A\\3.3V,2A
\\12V,1A\\-12V,1A\\ 隔离地21V,1-3.5A\\,我现在功能方面的问题主要是3.3v的问题,我把5V做主控回路,3.3V上用的LDO,但是要损耗3.4W,发热两太大,不知道各位有什么妙招可以不用加LDO让3.3V很稳压呢,因为这个是个数字电视的主芯片供电,要求精度很高!

问题?
LDO 是啥东东?????

LDO
LOW DROPOUT REGULATOR

没有不要钱的方案.
如果有又不花钱又性能好的方案,早就满街都是了.
你的3.3V要求的精度是多少? 5%? 3%?

是啊!
3%,所以现在比较 困难啊,!

磁放如何?
不嫌复杂的话用磁放.

是啊
磁饱和放大反馈吗?这方面的我没有经历过,所以没什么经验和资料,还望各位对对指点,说的仔细点啊

磁放
如果想精度高而又损耗小,磁放是一个选择.具体内容前面有个帖子说得很清楚,可以去看看,不是很复杂.

reply
我从来没有在反击上用过磁放,理论上没有问题,但实际中我却从来没有看到有人这样做.小心小心.
我认为自己用mosfet做线性稳压比用LDO好一些, 这样加在稳压电路上的压降可以小一些,当然,变压器中的圈数要少一些.用Rdson小一点的管子(如50mR),整流出来的电压达到3.4V(最差条件)就完全可以了.

请问:环路、漏感与占空比的关系
FLYBACK或FORWARD电路,我曾经有一些电路,设计和实际调试值有比较大的区别,比如:做宽电压,高压正常,低压时占空比上不去.一般只能到45%左右.但我有一次做一个5V/20A时,芯片是3842,仅调试环路参数(原来扳子是5V/15A,实际只能工作在5V12A左右),加了两个小电容,电阻就轻松解决.占空比能上到65%以上,主电路一样.花了我一礼拜的时间.不过我现在还是不太明白.

用MOSFET改善效果不理想
要考虑主控回路空载,线性稳压这一路满载的情况,在这个时候将变压器的圈数调整到合乎要求的话,在主控回路满载时,MOSFET上的压降就基本与Rdson无关了.

解决方案
请参考我以前发的贴,原题好象是\"~{Hg:N=55M~}FORWARD~{<99~}變換~{Fw~}儲~{D~}電~{8P5D~}臨~{=g~}電

对改进方法的疑惑(未完,待续)
疑惑1:这样做的目的是使大功率绕组与变压器成紧偶合,小功率绕组松偶合.我们可以这样理解,变压器的B的变化主要取决于大功率绕组的电流I1.由于小功率绕组(V2,I2)是松偶合,故而I1的变化导致的B的变化,对V2影响不大.但是,V2毕竟是B的变化产生,即使是松偶合,I1的变化也将导致V2的变化.这样做还有个问题,就是白白浪费了N2的匝数,实际承担分压比的匝数小于实际的匝数.