反激电源的反射电压和占空比问题

计算是这么计算，只是做个参考，以实际测量值为准。

至于计算值为什么和测试值不相符，个人认为是电路实际的寄生参数，器件误差引起的，这些公式是在理想条件下得出的，所以会出现这些现象！

其实很简单，MOS管的耐压85%减去最高输入电压再减去个30的振铃电压除以你的输出电压加二极管电压就是N

不需要过度吹毛求疵

,我也是这样估算。

但绕组的卷线状态一定要好，尽量三明治。否则30的尖峰都不止。

实际运用中，AC-DC的尖峰比DC-DC的更难搞。

依据你这种算法,应该得出的是最大匝比吧.

相对于效率来说,是匝比大效率高还是匝比小效率高呢?

这个不能一概而论，还要看其他的一些条件的限制情况

一般来说D大，效率高的说法是正确的

但我从公式推导和实际对比测试,却发现是占空比小的效率高呢.

如占空比小,其匝数比就小.匝比小,相对来说变压器的漏感就小,漏感小后,MOS管RCD吸收电路和肖特基RC吸收电路的损耗相对来说就要小.

同时,占空比小,MOS管的Vds电压低,有利于MOS管的成本.肖特基的峰值电流和有效值电流相对较小.这就明显的降低了肖特基的损耗.  电路的损耗主要来自于变压器;MOS管,肖特基和吸收电路.从以上分析,占空比小对MOS管,肖特基和吸收电路都有利.

对于反激电路来说,占空比大效率较高的说法,是怎么得出的呢?有没有较详细的解说,这个问题一直困扰着我.

这个问题要详细分析的话，比较复杂，要假设的量实在太多

但从峰值电流这个角度分析，D大的话，效率确实要高，而且实际测试也是这样的

这个公式成立的前提是在CCM或CRM工作模式下。

不清楚你的电源是否是这个状态。另外，反射电压高，和你的变压器的漏感以及RCD吸收电路的参数取值有一定的关系。

就是一句，具体问题具体分析

对的。

任何现象的背后，都有其物理的必然。我们要做的就是去找出表面现象背后的本质。

公式只不过是对一些定律的总结，工程计算中的公式，有很多是对模型或计算作了简化处理的。如果搞的太细，会遇到很多困难的。

RCD吸收电路的参数取值合理不？RCD吸收电路的参数取值不合理的话，你测量的Vor就不能真正反映变压器匝比n

实测波形很重要，但也不要总认为侧出来的就都是真理。也要看所测电路是否合理

D大的话，效率确实要高

能不能从公式上或其它方面说明这个问题呢?为什么D大,效率高?

RCD电路对Vor有影响吗?RCD只是对因漏感产生的尖峰电压的大小有影响吧

有影响的，RCD的C和R不合理的话，他会消耗掉部分Vor；当然也可以不能消耗全部的漏感能量，让你误以为Vor大

这个应该看开关频率以及所选的mos管

开关频率高Mos内阻低，开关损耗占大头那么Vor小点效率会高些。

但是一般来说，对于100k以内的开关频率而且使用一般的mos管，其导通损耗还是占大头，就是说Vor大些其占空比大些初级电流有效值低些效率就高些。

请问V-DCMIN一般是如何确定的?