DCM模式和临界模式怎么区分呢?

你做镇流器的吧?我的理解是这种绕法热点和电流流向不同.

这种理解合理.谢谢

RCD电路对Vor有影响吗?RCD只是对因漏感产生的尖峰电压的大小有影响吧

D大的话，效率确实要高能不能从公式上或其它方面说明这个问题呢?为什么D大,效率高?

但我从公式推导和实际对比测试,却发现是占空比小的效率高呢.如占空比小,其匝数比就小.匝比小,相对来说变压器的漏感就小,漏感小后,MOS管RCD吸收电路和肖特基RC吸收电路的损耗相对来说就要小.同时,占空比小,MOS管的Vds电压低,有利于MOS管的成本.肖特基的峰值电流和有效值电流相对较小.这就明显的降低了肖特基的损耗. 电路的损耗主要来自于变压器;MOS管,肖特基和吸收电路.从以上分析,占空比小对MOS管,肖特基和吸收电路都有利.对于反激电路来说,占空比大效率较高的说法,是怎么得出的呢?有没有较详细的解说,这个问题一直困扰着我.

我一直对占空比大,效率就高的说法怀懝

依据你这种算法,应该得出的是最大匝比吧.相对于效率来说,是匝比大效率高还是匝比小效率高呢?

你输出电压降低是不是相当于输出功率也降低?使用相同的变压器,变压器的空间应该很大,不一定会饱和.具体我要好好分析一下这个工作变化后的影响.好久没有去分析那些公式了.

输出电压降低,反射电压变小.占空比也变小.电路应该是会工作于CCM模式或出现磁饱和.