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逆变器中前级的电流检测方式

首先打个标题,希望有经验的朋友前来分享你的经验,抛砖引玉!!!

先看一下目前的电流检测方式:

1. 电阻串联式检测电流,这种方式属于损耗式检测,当电流流经电阻或康铜或锰铜或其它合金时产生电压,电路通过检测电压来获得电流值,缺点:a.发热损耗大 b.小电流检测不准确 优点:电路简单制作成功率高。

2. 电流互感器方式,这种方式比上一种方式损耗要小得多,当电流流经互感器时产生磁场,次级感生出电压和电流,通过调整次级的圈数获得我们需要的电压,电路通过检测电压来获得电流值,缺点:a.被检测需要是交流信号(当然通过检测推挽两边的电流信号交叉是可以产生交流的),b. 成本稍高 优点:后面的检测电路简单。

3. 这种方式可能是大家最感兴趣的了,MOS管DS压降检测,MOS管有内阻拿3205来说吧8mohm,当通过50A电流时会有50x0.008=0.4V的压降(理论值压降没测试过,希望大家不要砸砖,过几天测试一下看是否是线性的),0.4V的压降通过运算放大和比较是完全可以获得需要的信号,缺点:a.电路稍微复杂需要抵消DS端动态信号  优点:无损耗 

4. 以上1和2电路做过,3没做过只提出来讨论当然希望做过的朋友提供建议,可能牵涉到专利我不建议抄袭但我们可以用自已的双手和思维设计电路出来。

    当然检测电流的方式远不止以上几种!希望大家多多分享各种检测方式!

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morse
LV.4
2
2011-08-21 11:38

 

这是其本电路架构,缺点检测电流小时三极管不能导通,下次换成运放!

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IGBT2010
LV.8
3
2011-08-21 14:51
@morse
[图片] 这是其本电路架构,缺点检测电流小时三极管不能导通,下次换成运放!
期待中!!顶!!
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854911822
LV.5
4
2011-08-21 20:04
@morse
[图片] 这是其本电路架构,缺点检测电流小时三极管不能导通,下次换成运放!
期待各路高手发言
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2011-08-21 20:41
@854911822
期待各路高手发言
楼下的继续
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zvszcs
LV.12
6
2011-08-21 21:23
@tvro
楼下的继续
站个楼听讲课
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2011-08-21 21:32
@zvszcs
站个楼听讲课

占个位,进来学习下.

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LV.1
8
2011-08-21 21:37
@与你同在
占个位,进来学习下.
这个可以有!
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liang1981
LV.4
9
2011-08-21 22:09
@morse
[图片] 这是其本电路架构,缺点检测电流小时三极管不能导通,下次换成运放!
顶,学习了
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老矿石
LV.7
10
2011-08-21 22:16
@liang1981
顶,学习了

静心听讲!

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阿法ch
LV.7
11
2011-08-22 00:14

可以的啊  ,我在做 检测 DS 压降来做过流保护时 ,电流大小变化就可以在隔离二极管这里用 万用表直接测量出来 (电路不用你这样麻烦),比如:DS +负线 的总电阻是2 毫欧,如果电流增加50A ,这个地方的电压就上升100mV 左右,

 还不如 直接 测量 电源线(大小长度不同 ,基本上是:0 . 几 -  几毫欧左右)上面的 压降 方便 ,虽然不是很准确 ,但也是能知道一个大概。

不过,这些 方法 就是 不怎么准确 ,温度影响比较大

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2011-08-22 15:23
@morse
[图片] 这是其本电路架构,缺点检测电流小时三极管不能导通,下次换成运放!

听讲

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morse
LV.4
13
2011-08-27 10:35

 

 

这个是优化后的电路,把D3换成了MOS管减小了二极管压降的影响。还是说一下检测原理吧!

1. 首先OUT_A 是3525或494或其它IC输出驱动MOS管的信号输入端。

2. DET_OUT为检测输出端,后端接运放,电路可以看我以前的贴子。

3. 当OUT_A是高电平时,理论上电容C1的正端也是高电平,C1做uS级的延时以和MOS管的DS导通同步,但同时MOS管Q2因为G得到OUT_A上的高电平也导通,把Q1的DS电压传递到C1的正极,这样如果不过流时C1上会有一个约几百毫伏的电压,因为驱动信号是方波所以输出电压也是方波经R4 C2积分送给运放, 当过流时DET_OUT上会线性地反应MOS管上的电流,通过运放后级再接MCU可以比较准确地检测前级的电流。

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tzqtang
LV.4
14
2011-08-27 10:57
@morse
[图片]  这个是优化后的电路,把D3换成了MOS管减小了二极管压降的影响。还是说一下检测原理吧!1.首先OUT_A是3525或494或其它IC输出驱动MOS管的信号输入端。2.DET_OUT为检测输出端,后端接运放,电路可以看我以前的贴子。3.当OUT_A是高电平时,理论上电容C1的正端也是高电平,C1做uS级的延时以和MOS管的DS导通同步,但同时MOS管Q2因为G得到OUT_A上的高电平也导通,把Q1的DS电压传递到C1的正极,这样如果不过流时C1上会有一个约几百毫伏的电压,因为驱动信号是方波所以输出电压也是方波经R4C2积分送给运放,当过流时DET_OUT上会线性地反应MOS管上的电流,通过运放后级再接MCU可以比较准确地检测前级的电流。
骄子的494驱动没有这么复杂
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morse
LV.4
15
2011-08-27 11:01
@tzqtang
骄子的494驱动没有这么复杂

这不是驱动哦!

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tzqtang
LV.4
16
2011-08-27 11:18
@morse
这不是驱动哦![图片]
骄子的TL494实现推挽驱动完美版 里面就有 MOS管DS压降检测
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morse
LV.4
17
2011-08-27 11:40
@tzqtang
骄子的TL494实现推挽驱动完美版里面就有MOS管DS压降检测

我这个是可以读到电流值也可以保护!

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tzqtang
LV.4
18
2011-08-27 11:56
@morse
我这个是可以读到电流值也可以保护!

哦,你是测电流 ,他是测过流。 对不对?

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bumper_163
LV.7
19
2011-08-27 14:10
@morse
我这个是可以读到电流值也可以保护!
测量值不是很准确,可以用来做保护
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zfy125125
LV.2
20
2011-09-30 14:59

楼主你好,逆变前端是直流柜过来的还是交流柜过来的?很多厂家不光需要监测电流,还需要监测电压,我这里有现成的方案,是把国内厂家的方案做的整合,需要的话加我QQ

郑方远  13811804156    QQ 941882776

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zfy125125
LV.2
21
2011-09-30 15:02
@zfy125125
楼主你好,逆变前端是直流柜过来的还是交流柜过来的?很多厂家不光需要监测电流,还需要监测电压,我这里有现成的方案,是把国内厂家的方案做的整合,需要的话加我QQ郑方远 13811804156   QQ941882776
 系统监测方案图
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WDSF
LV.3
22
2011-09-30 23:56
@morse
[图片] 这是其本电路架构,缺点检测电流小时三极管不能导通,下次换成运放!
在以前采用这种电路。谈谈个人愚见:优点是简单,基本上应用可靠;缺点是电流量化难(不同厂家,不同批号,不同型号。。。。。)内阻各异,自然管压降就不一样。同时这种电路对抗干扰和可靠性有时两难。
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挑战者
LV.5
23
2011-10-01 19:08
@bumper_163
测量值不是很准确,可以用来做保护
做得有些复杂,不过也是一个办法
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843976389
LV.2
24
2011-10-03 17:18
继续啊,很期待,又可以学到新东西了,顶
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清风819
LV.4
25
2011-10-04 20:16
@843976389
继续啊,很期待,又可以学到新东西了,顶[图片]
顶一下!
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Power^De
LV.4
26
2011-10-06 20:27
@清风819
顶一下!

学习了

 

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zfy125125
LV.2
27
2011-10-08 13:44
@zfy125125
[图片] 系统监测方案图

自己顶一下

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