1 R6 R10是为了保护开关管,是使其G极电压不会太高,一般为10K,20K也无没什么啦
2 冇发言权,没加过。
3 你所说的三极管应该是构成一个推挽电路吧,以提高IC对MOS管的驱动能力。
是的就像这个图里的三极管
R6、R10是防止Q2、Q3栅极悬空而DS又加正电压时击穿Q2、Q3。
P14、P11加图腾驱动是为了提高SG3525的驱动能力。
R6只能防止DS电压上升缓慢时的误导通,DS电压上升太快依然会损坏mosfet
多谢。
去看了一下,不过好像从头到尾都是百度上一查找“mos”就有的东西,没有我现在要的答案
稳压管主要是防止栅极过压击穿,一般用TVS管。电阻的作用是防止由于静电积累引起误导通,但是误导通不一定就过压击穿,两者作用不一样,不可替换。。
如果不是TVS, 那么稳压管的作用和电阻就差不多了。
但对于防静电击穿,TVS很有必要
有见过加TVS的;
但是zener和电阻作用不一样把?架设 gate voltage > 15v时,电压从15v二极管走了阿。那个电阻是降压了,万一不够就嘿嘿~
恩 这是区别