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如何驱动COOLMOS

现在COOLMOS产品满天飞,客户以前是一直用开普通高压大电流MOS的,一直都没有问题,可是自从日本地震后,日本方面就不断地提高要求,逼得客户只能往COOLMOS方面考虑,可是直接替换的话问题又来了,温升反而比普通MOS还要高,虽然设备性能得到了很大的提高,可是也不能不控制成本啊,就是不想全面改方案。

异常描述:直接更换COOLMOS后,温度高于120度就炸管(没有炸,只是短路而已),以前普通MOS到130度都完全不用担心;驱动芯片用的是IR的IR3136S三相桥驱动,管子是SPP20N60C3和类似的国产COOLMOS,都试过不行。驱动电压是15V,12K载波。注:变频伺服电机驱动器,启动和刹车冲击电流很大的

求助万能的电源网高手,该如何入手啊?用IR2136S推动COOLMOS需要改动什么?对供电电压和供电电流有没有要求?目前能做的要么提高电压,要么换驱动IC,可是对于COOLMOS来说都是完全空白的东西,该怎么弄啊?

电路和规格书差异很小。都是很成熟的电路,产品都做了几56年了。

SPP20N60C3 

 

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2011-10-09 09:45
帮顶下  求回答
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zvszcs
LV.12
3
2011-10-09 10:46
@电源网-源源
帮顶下 求回答

就是神也不能解决你的问题,条件不全,之前用的是什么管,没给出,封装是不是一样,高温时能承受的电流是否一样,MOS的输入电容是否一样,一般COOLMOS的输入电容比较大

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fsxqw
LV.9
4
2011-10-12 17:38
@zvszcs
就是神也不能解决你的问题,条件不全,之前用的是什么管,没给出,封装是不是一样,高温时能承受的电流是否一样,MOS的输入电容是否一样,一般COOLMOS的输入电容比较大

其实我就是想问问驱动COOLMOS和普通MOS有什么区别?需要注意什么?

器件的封装没有任何区别的,只是类型不同,一个是20N60的COOLMOS,一个是12N60的普通MOS。

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2011-10-13 08:20
是不是驱动不够力呀,最好的是把电路图能贴出来,弄好了应该不不会击穿的。因为COOLMOS比一般的效率还会好 一点,在同样内阻的情况下应该用COOLMOS是温度是不会比一班的C3管的温度高
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2011-10-13 09:45
围观下...
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fsxqw
LV.9
7
2011-10-13 13:56
@xuguolixgl@163.com
是不是驱动不够力呀,最好的是把电路图能贴出来,弄好了应该不不会击穿的。因为COOLMOS比一般的效率还会好一点,在同样内阻的情况下应该用COOLMOS是温度是不会比一班的C3管的温度高
产品失效不是因为击穿,而是温度过高而烧坏,具体电路请看2136的规格书,我贴不出来。
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geminisky
LV.5
8
2011-10-13 16:10

路过此地,瞟一眼。

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2011-10-13 17:11
@geminisky
路过此地,瞟一眼。
**此帖已被管理员删除**
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fsxqw
LV.9
10
2011-10-17 13:45
@weishimi33
**此帖已被管理员删除**
还是没人能够说得具体点。
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guotuome
LV.3
11
2012-05-21 09:46
两个物料的差异性太大,我们是UTC的代理商,12N60的价格才是SPP20N60C的1/4。技术方面:我认为最关键的地方是结电容差异太大,SPP20N60C的是3000,1170,28,而UTC的12N60则是1480,200和25(都是典型值),MOS的结电容有基本是已三个参数的乘积关系。结电容大导致开关损耗大,开关损耗是MOS的主要损耗。所以,加大驱动能力,降低频率试试。
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chenfabo
LV.2
12
2013-04-27 13:18

顶一下,建议放过原理图上来

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jkp100
LV.8
13
2014-09-30 11:40
@guotuome
两个物料的差异性太大,我们是UTC的代理商,12N60的价格才是SPP20N60C的1/4。技术方面:我认为最关键的地方是结电容差异太大,SPP20N60C的是3000,1170,28,而UTC的12N60则是1480,200和25(都是典型值),MOS的结电容有基本是已三个参数的乘积关系。结电容大导致开关损耗大,开关损耗是MOS的主要损耗。所以,加大驱动能力,降低频率试试。
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