各位大师好，现在有个问题想各位请教。我使用IR2110，电路如下图所示，这是三相逆变的一个半桥。
电路中有两个mosfet管子，和两个IGBT，主要是这两种不同管子的封装不一样，这样以后调试的时候换管子方便一点。使用的时候，只用了两个小管子IGBT，仙童的FGA25N120，没有用mosfet管。
电路采用R，C，二极管，构成硬件死区，如前IR2110的两个输入端子。其中R=4.7K欧，C=1n，二极管为IN4148，这样形成的死区时间在4us左右，很大了。IR2110的VDD电源为+5V，VCC电源为+15V。由于实验室的线性电源最高输出电压仅为32V，我对该电源不做任何处理，直接接到GND，和POWER端。上电正常，可以稳定的工作。
接下来问题出来了，将市电220V通过整流桥整流以后，经过电容滤波，输出POWER电源。电路如图所示。
将这个电源接到IR2110驱动的IGBT上。上电过程是这样的，我们先对弱电信号上电，弱电信号提供IR2110工作电压，SPWM波，系统正常。问题来了，接上市电220v，限流电阻马上烧毁。断开市电，检查电路，IR2110，IGBT管FGA25N120完好，改接32v线性电源，电路可以正常工作。
这里提出来，希望有高手可以帮忙指正错误.
