220V单管电磁炉，提锅时要关激励，为什么呢？我的理解是，提锅瞬间谐振回路阻尼突然变小，会导致谐振电容出现高压，导致IGBT击穿，是否正确？
我做了一个3000W 的单管电磁炉，采用英飞凌的1600V的IGBT ，无论是瞬间提锅，或者是最大脉宽下的空载谐振，IGBT的Vce最大都不超过1200V。瞬间提锅，Vce确定会突然增大，但没超过1200V，我用示波器测量的。
如果不考虑提锅后的辐射问题，单独从电磁炉的寿命角度，能不能把提锅保护去掉呢，即提锅瞬间不关激励，长时间无锅再把激励关掉。
之所以想这么做，是因为我觉得关断激励后，在启动瞬间，由于谐振电容要充电，这对IGBT 会有很大的冲击，有可能损坏IGBT。即使采用过零检测，由于直流母线通常都有5~10uF的滤波电容，交流过零时该电容电压仍然较高，启动冲击依然存在。
所以，如果IGBT未出现过压，并且不考虑辐射问题，去掉提锅保护，是否存在其他风险？
谐振电容0.5uF，单管3kw，这个电容值应该算中规中矩吧。
哈哈，你这话不算打击，非常欢迎米工提出宝贵意见。这个3kw的板子完全是自己独自开发的，经验不足，很多问题都希望能有与人共同讨论。
你说的锅距与起振问题，确实存在，不过没有你说的那么严重。目前锅距我控制在12mm左右，1/3满功率即1000W起振没什么问题，有一些Q值低一点的锅起振后功率不到800W，不过为了减少IGBT温升，起振后我就把最小工作功率调大到1000W以上。
谐振回路的参数应该没有问题，满载工作的波形和温升都很满意，最小功率档温升稍大，但也在允许范围之内。
现在我一直觉得IGBT的启动冲击是一个致命伤，整流之后经过LC滤波（300uH+10uF），电压波谷也有240V以上，用过零检测似乎意义不大。
不过米工如何对待IGBT的启动冲击问题。
我是用MCU直接控制的
能精确控制冲击电流不会高到设定值（如何做到的？秘密
)
另外，我还有种专门的结构，可以做到真正零电压启动，这样，就不存在任何启动冲击了，（成本略高）
过段时间，可能会展示出来，给大家看一下
