低电压小电流的电机控制，采用IGBT的效果要差于MOSFET，为何呢？ 加入收藏

做一个伺服电机驱动器，48V，电机额定功率大概200W.

刚开始由于没有现成的硬件平台，就借用空调控制器硬件作为开发平台，功率器件使用的是IPM，光电编码器接口外接。

调试中发现电流波形不是很好，正弦波峰值处会出现下凹。现在换做MOSFET作为功率器件(Layout基本相同)，相同的代码，正弦波要好很多（下凹减弱）。

哪位能解释一下，为什么呢？是否是因为IGBT和MOSFET本身的特性引起的？是如何影响的呢？

谢谢