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【讨论】变压器应该怎样包屏蔽层?

包屏蔽层应该怎么包?包几个屏蔽层?

我这有两种不同的制作,请大家分析一下:
1、屏蔽层(一般直接用普通铜线绕满一层)|一半初级|次级|另一半初级|屏蔽层|反馈层

2、一半初级|屏蔽层|次级|屏蔽层|另一半初级|反馈层

这两种方法哪种更好?
还有没有更好的绕制方法?
如果只用一层屏蔽层又应该怎么绕制?
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ctx1211
LV.7
2
2011-10-24 21:02

你这个就是一般的并绕和交叉绕法

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gzhenf
LV.4
3
2011-10-24 21:05
@ctx1211
你这个就是一般的并绕和交叉绕法
你看一下1和2两种包的屏蔽层哪种效果更好?有没有更优良的绕法?
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ctx1211
LV.7
4
2011-10-24 21:09
@gzhenf
你看一下1和2两种包的屏蔽层哪种效果更好?有没有更优良的绕法?
个人觉得第一种就OK了,一般两个屏蔽层就可以了,当然要看你的实际电路,你不妨可以去实际做个测试。你的第二种绕法可能楼干会比较小点,但是也要考虑EMI,权衡利弊,用实验说话。
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化雪
LV.4
5
2011-10-24 23:34

1、从磁芯内部开始,第二种方法是可以的。

2、第一种方法第一层是不是可以不要。

3、屏蔽层分两种,一种是虑共模的,就是两个级之间的那种,另外一种包在变压器的外面,可以减小辐射。两种用铜铂的时候处理方法不一样。加在两级之间的那个注意别短路了变压器(我也不知道怎么说,如果用铜带,只能绕0.8T)

4、加了初次级之间的屏蔽层时,注意你的效率和长时间短路,这方面的性能可能会变差。

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zengtx
LV.6
6
2011-10-25 09:22
@化雪
1、从磁芯内部开始,第二种方法是可以的。2、第一种方法第一层是不是可以不要。3、屏蔽层分两种,一种是虑共模的,就是两个级之间的那种,另外一种包在变压器的外面,可以减小辐射。两种用铜铂的时候处理方法不一样。加在两级之间的那个注意别短路了变压器(我也不知道怎么说,如果用铜带,只能绕0.8T)4、加了初次级之间的屏蔽层时,注意你的效率和长时间短路,这方面的性能可能会变差。

看别人的做法是如果变压器是从冷点起绕,第一种方法第一层可以不要,如果是从热点起绕(MOS的D极)那还是加上

另外化雪所说的两个级之间的那种是不是说的初级与次级之间的那个屏蔽层?

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2011-10-25 14:22

 屏蔽可分为电屏蔽与磁屏蔽,电屏蔽主要的作用是将初级来的干涉信号与次级隔离开来,可采用三种方式进行屏蔽1。在初、次级之间包一层铜箔,但头尾不能短路,铜箔要接地,这样在初级绕组与铜箔之间形成电容,干涉信号通过电容--铜箔接地形成回路,不能进入次级绕组起到电屏蔽的作用2. 在初、次级之间绕一层细的导线,并一端接地3.在初级两端子各接一交流电容(不是电解电容)电容的另一端接地,后两种方法所起的作用与第一种方法类似,最后这种方法要在线路上做些文章,不一定整机技术人能接受。磁屏蔽则在EI变压器外,加一软磁材料的外壳、使外界的磁场停留在外壳上,加了以后虽然作用不同效果相当于环型变压器,根据效果的要求不同,可加一层也有要加多层的,有的还要求多层中加铜壳或在磁壳上镀一层铜。铜的作用是当磁力线通过时,产生涡流阻止磁力线通过。

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gzhenf
LV.4
8
2011-10-25 17:47
@隐形专家
 屏蔽可分为电屏蔽与磁屏蔽,电屏蔽主要的作用是将初级来的干涉信号与次级隔离开来,可采用三种方式进行屏蔽1。在初、次级之间包一层铜箔,但头尾不能短路,铜箔要接地,这样在初级绕组与铜箔之间形成电容,干涉信号通过电容--铜箔—接地形成回路,不能进入次级绕组起到电屏蔽的作用2.在初、次级之间绕一层细的导线,并一端接地3.在初级两端子各接一交流电容(不是电解电容)电容的另一端接地,后两种方法所起的作用与第一种方法类似,最后这种方法要在线路上做些文章,不一定整机技术人能接受。磁屏蔽则在EI变压器外,加一软磁材料的外壳、使外界的磁场停留在外壳上,加了以后虽然作用不同效果相当于环型变压器,根据效果的要求不同,可加一层也有要加多层的,有的还要求多层中加铜壳或在磁壳上镀一层铜。铜的作用是当磁力线通过时,产生涡流阻止磁力线通过。
专家分析就是深入呀
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2011-10-25 18:57
@gzhenf
专家分析就是深入呀
夸奖了、多层屏蔽一般人很少遇到。
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化雪
LV.4
10
2011-10-25 20:43
@zengtx
看别人的做法是如果变压器是从冷点起绕,第一种方法第一层可以不要,如果是从热点起绕(MOS的D极)那还是加上另外化雪所说的两个级之间的那种是不是说的初级与次级之间的那个屏蔽层?
是的,就是隐形专家说的那个头尾不能接住的那个。
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GreenEnergy
LV.7
11
2011-10-25 22:40
@隐形专家
 屏蔽可分为电屏蔽与磁屏蔽,电屏蔽主要的作用是将初级来的干涉信号与次级隔离开来,可采用三种方式进行屏蔽1。在初、次级之间包一层铜箔,但头尾不能短路,铜箔要接地,这样在初级绕组与铜箔之间形成电容,干涉信号通过电容--铜箔—接地形成回路,不能进入次级绕组起到电屏蔽的作用2.在初、次级之间绕一层细的导线,并一端接地3.在初级两端子各接一交流电容(不是电解电容)电容的另一端接地,后两种方法所起的作用与第一种方法类似,最后这种方法要在线路上做些文章,不一定整机技术人能接受。磁屏蔽则在EI变压器外,加一软磁材料的外壳、使外界的磁场停留在外壳上,加了以后虽然作用不同效果相当于环型变压器,根据效果的要求不同,可加一层也有要加多层的,有的还要求多层中加铜壳或在磁壳上镀一层铜。铜的作用是当磁力线通过时,产生涡流阻止磁力线通过。

第2种绕法效果欠佳。

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孤鸿影
LV.6
12
2011-10-26 08:18
我曾经做过一款产品,PSR电路的,当时绕组是:屏蔽层、一半初级、屏蔽层、反馈、次级、另一半初级。但是发现效率低了很多,结果把第二个屏蔽层取消掉后,效率提升了将近3个点,而且传导和辐射效果也挺好的。
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gzhenf
LV.4
13
2011-10-26 08:22
@GreenEnergy
第2种绕法效果欠佳。

仁兄有何更好方法,还望提点一二。

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zengtx
LV.6
14
2011-10-26 08:24
@孤鸿影
我曾经做过一款产品,PSR电路的,当时绕组是:屏蔽层、一半初级、屏蔽层、反馈、次级、另一半初级。但是发现效率低了很多,结果把第二个屏蔽层取消掉后,效率提升了将近3个点,而且传导和辐射效果也挺好的。

将第二个屏蔽去掉后,那基本上没有屏蔽了?如果初级绕组是从输入大电解起绕的话应该也可以去掉第一层屏蔽

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gzhenf
LV.4
15
2011-10-26 10:18
@zengtx
看别人的做法是如果变压器是从冷点起绕,第一种方法第一层可以不要,如果是从热点起绕(MOS的D极)那还是加上另外化雪所说的两个级之间的那种是不是说的初级与次级之间的那个屏蔽层?
如果按照第二种方法初级起绕从热点和从冷点是否有区别呢?有区别的话,是从冷点起绕效果更好吗?不知道有没有实际试过
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孤鸿影
LV.6
16
2011-10-26 10:24
@zengtx
将第二个屏蔽去掉后,那基本上没有屏蔽了?如果初级绕组是从输入大电解起绕的话应该也可以去掉第一层屏蔽

第一层屏蔽是从初级地起绕的。

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gzhenf
LV.4
17
2011-10-26 11:27
@孤鸿影
第一层屏蔽是从初级地起绕的。

起绕点是不是有讲究的?

 

如果按这样设定同名端,(4脚为接地)然后从打点的地方起绕效果和设置相反的同名端相比,哪个更好

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zengtx
LV.6
18
2011-10-26 14:38
@孤鸿影
第一层屏蔽是从初级地起绕的。
这样的话为什么还要加这一层屏蔽呢?
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gzhenf
LV.4
19
2011-10-26 14:43
@zengtx
这样的话为什么还要加这一层屏蔽呢?

你的意思是第一种情况的第一层屏蔽不用了,那对第二种情况是否会有影响

 

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zengtx
LV.6
20
2011-10-26 15:18
@gzhenf
你的意思是第一种情况的第一层屏蔽不用了,那对第二种情况是否会有影响 

从网博电源前辈那听说:如果初级绕组是从大电解正极起绕的话,在骨架上面可以不用绕一层屏蔽,如果是从MOS的D极起绕的话,绕之前在骨架上绕层屏蔽会对EMI有好处。我14帖说错了,去改下

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zgchen
LV.3
21
2011-10-27 10:08
@隐形专家
 屏蔽可分为电屏蔽与磁屏蔽,电屏蔽主要的作用是将初级来的干涉信号与次级隔离开来,可采用三种方式进行屏蔽1。在初、次级之间包一层铜箔,但头尾不能短路,铜箔要接地,这样在初级绕组与铜箔之间形成电容,干涉信号通过电容--铜箔—接地形成回路,不能进入次级绕组起到电屏蔽的作用2.在初、次级之间绕一层细的导线,并一端接地3.在初级两端子各接一交流电容(不是电解电容)电容的另一端接地,后两种方法所起的作用与第一种方法类似,最后这种方法要在线路上做些文章,不一定整机技术人能接受。磁屏蔽则在EI变压器外,加一软磁材料的外壳、使外界的磁场停留在外壳上,加了以后虽然作用不同效果相当于环型变压器,根据效果的要求不同,可加一层也有要加多层的,有的还要求多层中加铜壳或在磁壳上镀一层铜。铜的作用是当磁力线通过时,产生涡流阻止磁力线通过。
能具体说一下软磁材料大概有哪些吗?
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隐形专家
LV.10
22
2011-10-28 08:01

这个变压器的屏蔽与我们传统的变压器是大巫见小巫

 

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GreenEnergy
LV.7
23
2011-10-29 00:24
@gzhenf
仁兄有何更好方法,还望提点一二。
7帖专家已经说过了,个人觉的第1种包铜箔的方法效果更好些,尤其对交流高频电场的屏蔽效果。
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aczg01987
LV.10
24
2011-10-31 11:24
@zengtx
看别人的做法是如果变压器是从冷点起绕,第一种方法第一层可以不要,如果是从热点起绕(MOS的D极)那还是加上另外化雪所说的两个级之间的那种是不是说的初级与次级之间的那个屏蔽层?
从热点起绕(MOS的D极)那还是加上?
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GreenEnergy
LV.7
25
2011-11-01 20:13
@隐形专家
这个变压器的屏蔽与我们传统的变压器是大巫见小巫[图片] 
愿听专家的分析讲解
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aczg01987
LV.10
26
2011-11-01 23:50
@隐形专家
这个变压器的屏蔽与我们传统的变压器是大巫见小巫[图片] 

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隐形专家
LV.10
27
2011-11-02 10:06
@隐形专家
这个变压器的屏蔽与我们传统的变压器是大巫见小巫[图片] 
不论是军品还是民品都会遇到要求低噪音变压器的电路,如火车在高速运行,像Z23/Z24这趟车一走就是12小时,怎样检测轴承温度?不能停车检测,轴承温度过高造成抱闸是要出事故的,检测轴承温度的信号够弱的,若不在变压器上下功夫,能行吗?
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ncy231
LV.7
28
2011-11-03 11:33
@隐形专家
 屏蔽可分为电屏蔽与磁屏蔽,电屏蔽主要的作用是将初级来的干涉信号与次级隔离开来,可采用三种方式进行屏蔽1。在初、次级之间包一层铜箔,但头尾不能短路,铜箔要接地,这样在初级绕组与铜箔之间形成电容,干涉信号通过电容--铜箔—接地形成回路,不能进入次级绕组起到电屏蔽的作用2.在初、次级之间绕一层细的导线,并一端接地3.在初级两端子各接一交流电容(不是电解电容)电容的另一端接地,后两种方法所起的作用与第一种方法类似,最后这种方法要在线路上做些文章,不一定整机技术人能接受。磁屏蔽则在EI变压器外,加一软磁材料的外壳、使外界的磁场停留在外壳上,加了以后虽然作用不同效果相当于环型变压器,根据效果的要求不同,可加一层也有要加多层的,有的还要求多层中加铜壳或在磁壳上镀一层铜。铜的作用是当磁力线通过时,产生涡流阻止磁力线通过。
学习了
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2011-11-03 20:49
@GreenEnergy
第2种绕法效果欠佳。

第一种也不是太好,如果用PQ骨架做的话,VCC电压变华会很大搞不好低压时VCC会保护.可以试下我们励致的 IC哦 EMC 效果比市场上共板IC都要好几个DB!

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2011-11-04 15:34
@隐形专家
 屏蔽可分为电屏蔽与磁屏蔽,电屏蔽主要的作用是将初级来的干涉信号与次级隔离开来,可采用三种方式进行屏蔽1。在初、次级之间包一层铜箔,但头尾不能短路,铜箔要接地,这样在初级绕组与铜箔之间形成电容,干涉信号通过电容--铜箔—接地形成回路,不能进入次级绕组起到电屏蔽的作用2.在初、次级之间绕一层细的导线,并一端接地3.在初级两端子各接一交流电容(不是电解电容)电容的另一端接地,后两种方法所起的作用与第一种方法类似,最后这种方法要在线路上做些文章,不一定整机技术人能接受。磁屏蔽则在EI变压器外,加一软磁材料的外壳、使外界的磁场停留在外壳上,加了以后虽然作用不同效果相当于环型变压器,根据效果的要求不同,可加一层也有要加多层的,有的还要求多层中加铜壳或在磁壳上镀一层铜。铜的作用是当磁力线通过时,产生涡流阻止磁力线通过。
菜鸟学习了,太精辟了
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2011-11-04 15:36
@隐形专家
不论是军品还是民品都会遇到要求低噪音变压器的电路,如火车在高速运行,像Z23/Z24这趟车一走就是12小时,怎样检测轴承温度?不能停车检测,轴承温度过高造成抱闸是要出事故的,检测轴承温度的信号够弱的,若不在变压器上下功夫,能行吗?

听课,顶一下

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