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lm2576 降压 dc-dc 大功率 扩流方法 3-10A

lm2576 降压 dc-dc 大功率 扩流方法,

  

lm2576内部结构和扩流原理图

  

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lizlk
LV.10
2
2011-10-26 08:39
这个设计强悍!有没有真正验证过这种电感辅佐绕组驱动高端MOSFET?
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2011-10-26 11:25
@lizlk
这个设计强悍!有没有真正验证过这种电感辅佐绕组驱动高端MOSFET?
電路圖不清處
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s70008
LV.5
4
2011-10-27 08:59
@lizlk
这个设计强悍!有没有真正验证过这种电感辅佐绕组驱动高端MOSFET?

我已经做过验证了,很简单的就扩流到5A以上,但lm2577升压芯片就用这个方法无法扩流。大家手上有LM2576降压成品板的,可以取下原来的电感,然后自己绕一个30圈的磁环电感,然后绕一个副绕组4-8圈,扩流一定能成功,而且是真正的开关降压式。愿意做的可以和我讨论。扩流5A基本上lm2567和60N06不需要接散热器

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lizlk
LV.10
5
2011-10-27 10:55
@s70008
我已经做过验证了,很简单的就扩流到5A以上,但lm2577升压芯片就用这个方法无法扩流。大家手上有LM2576降压成品板的,可以取下原来的电感,然后自己绕一个30圈的磁环电感,然后绕一个副绕组4-8圈,扩流一定能成功,而且是真正的开关降压式。愿意做的可以和我讨论。扩流5A基本上lm2567和60N06不需要接散热器
嗯,不错,你标个电感的和辅助绕组的同名端出来看看。
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s70008
LV.5
6
2011-10-29 11:28
@lizlk
嗯,不错,你标个电感的和辅助绕组的同名端出来看看。

不用标,试验时候变换着试试就行,接反了,不会扩流的,电流表指示3A以下,接对了电流立即到5A以上,

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s70008
LV.5
7
2011-10-29 11:29
@s70008
不用标,试验时候变换着试试就行,接反了,不会扩流的,电流表指示3A以下,接对了电流立即到5A以上,
扩流后空载电压波纹比较大,有解决办法的,有人动手试试和我讨论。
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s70008
LV.5
8
2011-10-29 11:50
@lizlk
嗯,不错,你标个电感的和辅助绕组的同名端出来看看。
电感量为100UH左右,
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鹏翔
LV.1
9
2011-12-22 21:37
@s70008
我已经做过验证了,很简单的就扩流到5A以上,但lm2577升压芯片就用这个方法无法扩流。大家手上有LM2576降压成品板的,可以取下原来的电感,然后自己绕一个30圈的磁环电感,然后绕一个副绕组4-8圈,扩流一定能成功,而且是真正的开关降压式。愿意做的可以和我讨论。扩流5A基本上lm2567和60N06不需要接散热器
一直想做个10A的可调电源,目前还没有成功。按照你的电路也没有成功不知是哪里不对了  我用的是LM2596成品板 拆了原来的电感 用电磁炉里的磁环电感 加副绕组用了15匝   场效应管用的是IRF540  电流调到3A LM2596发热 场效应管温度烫手。 副绕组的线头也到过了 原先用的匝数是8匝 后来有加到15匝 请高手指点
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s70008
LV.5
10
2011-12-27 07:37
@鹏翔
一直想做个10A的可调电源,目前还没有成功。按照你的电路也没有成功不知是哪里不对了 我用的是LM2596成品板拆了原来的电感用电磁炉里的磁环电感加副绕组用了15匝  场效应管用的是IRF540 电流调到3ALM2596发热场效应管温度烫手。副绕组的线头也到过了原先用的匝数是8匝后来有加到15匝请高手指点

输入电压多少V,输出多少V,电流10A?  假设输出是10V 10A,那么要2个以上IRF540并联。磁环如果发热的话,最好改用铁硅铝外径30毫米左右的磁环。

lm2576发热证明电流仍然大量流过LM2576内部功率管,场效应管发热,证明场管驱动不良,驱动不良最后都会发热,电流超过3A都会成问题。

副绕组对调一下端子,将驱动场效应管的端子反接试试,成功的时候,LM2576发热是很小的。如果很大,扩流绝不可以成功的。

电感量用33UH 试试。

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鹏翔
LV.1
11
2011-12-28 10:17
@s70008
输入电压多少V,输出多少V,电流10A? 假设输出是10V10A,那么要2个以上IRF540并联。磁环如果发热的话,最好改用铁硅铝外径30毫米左右的磁环。lm2576发热证明电流仍然大量流过LM2576内部功率管,场效应管发热,证明场管驱动不良,驱动不良最后都会发热,电流超过3A都会成问题。副绕组对调一下端子,将驱动场效应管的端子反接试试,成功的时候,LM2576发热是很小的。如果很大,扩流绝不可以成功的。电感量用33UH试试。

楼主你好  我想做个维修电源 输入是36V 输出0-35V 我现在用LM2596+NPN3DD15 两个 扩流到5A 成功 用NMOS管发热太大  照你这个电路做 用LM2596成品板 拆掉原来的电感 换成电磁炉里的那种环形电感 副绕组从8匝加到20匝 场效应管还是发烫 副绕组线头也对调了 输入调到15V 输出电流设定到3A  电压8V 接负载找了一节电炉丝 电流3安 电压拉下来了 我这里买不到电感 也没有测电感的表 只好找拆机的了

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s70008
LV.5
12
2012-01-19 12:33
@鹏翔
楼主你好 我想做个维修电源输入是36V输出0-35V我现在用LM2596+NPN3DD15两个扩流到5A成功用NMOS管发热太大 照你这个电路做用LM2596成品板拆掉原来的电感换成电磁炉里的那种环形电感副绕组从8匝加到20匝场效应管还是发烫副绕组线头也对调了输入调到15V输出电流设定到3A 电压8V接负载找了一节电炉丝电流3安电压拉下来了我这里买不到电感也没有测电感的表只好找拆机的了

如果是仅仅想做个维修电源,那么你也可以不用这个方案进行的,因为这些芯片实际做实验扩流可以成功,但仅仅是实验,因为芯片内部结构,我们没有办法去测试,很多功能局限了不能有效利用。例如大电流流过场效应管,那么势必LM芯片内功率管电流就会变小,电流变小那么就变成了驱动外部输出电压减弱。所以做实验玩玩可以,但要做成一个很好的维修电源,那么还是用3843驱动2个外部场效应管来的实在。

总之在这些芯片上扩流是个矛盾体,电流被扩到外部功率管上去了,内部电流就变形小,变小就会驱动能力下降,导致内外都发热。还是专门芯片+外部管实在。

你可以参照我这个图去做做试试:

http://bbs.dianyuan.com/topic/746421

如果没有铁硅铝磁环,可以用铁氧体EE35或EE40,一边磨掉0.5毫米气息,用磨刀石磨掉即可。做10A电流时候,需要你前级输入电流不能低于10A。而你前级提供的才3A,做5A,已经很难了,做10A,都压降到你电源内阻上面去了。

从降压电路上原理来讲,输入3A,12V,那么可以输出超过10A,3V,但线路及电源内阻等会影响你的实验进行。最好需要前级输入电源功率为:15A 12V,来获得10A 3V。就是始终保持你前级输入功率足够大。而实际应用中,具有富裕的输入功率。

为什么用一个30W铁芯变压器器,输出30V,1A,降压DC到3V,是非常艰难10A电流的。

而用30W铁芯变压器,输出3V ,输出绕组用粗粗铜线绕绕制,而可以获得稳定的10A电流。这个道理有些相似。

另外要获得36V,10A电流,还是用220V 直接输入,通过开关电源转换成0-36V 10A,来的实在。也就是500W左右的开关电源,类似于计算机开关电源了。

 

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