lm2576 降压 dc-dc 大功率 扩流方法,
lm2576内部结构和扩流原理图
输入电压多少V,输出多少V,电流10A? 假设输出是10V 10A,那么要2个以上IRF540并联。磁环如果发热的话,最好改用铁硅铝外径30毫米左右的磁环。
lm2576发热证明电流仍然大量流过LM2576内部功率管,场效应管发热,证明场管驱动不良,驱动不良最后都会发热,电流超过3A都会成问题。
副绕组对调一下端子,将驱动场效应管的端子反接试试,成功的时候,LM2576发热是很小的。如果很大,扩流绝不可以成功的。
电感量用33UH 试试。
楼主你好 我想做个维修电源 输入是36V 输出0-35V 我现在用LM2596+NPN3DD15 两个 扩流到5A 成功 用NMOS管发热太大 照你这个电路做 用LM2596成品板 拆掉原来的电感 换成电磁炉里的那种环形电感 副绕组从8匝加到20匝 场效应管还是发烫 副绕组线头也对调了 输入调到15V 输出电流设定到3A 电压8V 接负载找了一节电炉丝 电流3安 电压拉下来了 我这里买不到电感 也没有测电感的表 只好找拆机的了
如果是仅仅想做个维修电源,那么你也可以不用这个方案进行的,因为这些芯片实际做实验扩流可以成功,但仅仅是实验,因为芯片内部结构,我们没有办法去测试,很多功能局限了不能有效利用。例如大电流流过场效应管,那么势必LM芯片内功率管电流就会变小,电流变小那么就变成了驱动外部输出电压减弱。所以做实验玩玩可以,但要做成一个很好的维修电源,那么还是用3843驱动2个外部场效应管来的实在。
总之在这些芯片上扩流是个矛盾体,电流被扩到外部功率管上去了,内部电流就变形小,变小就会驱动能力下降,导致内外都发热。还是专门芯片+外部管实在。
你可以参照我这个图去做做试试:
http://bbs.dianyuan.com/topic/746421
如果没有铁硅铝磁环,可以用铁氧体EE35或EE40,一边磨掉0.5毫米气息,用磨刀石磨掉即可。做10A电流时候,需要你前级输入电流不能低于10A。而你前级提供的才3A,做5A,已经很难了,做10A,都压降到你电源内阻上面去了。
从降压电路上原理来讲,输入3A,12V,那么可以输出超过10A,3V,但线路及电源内阻等会影响你的实验进行。最好需要前级输入电源功率为:15A 12V,来获得10A 3V。就是始终保持你前级输入功率足够大。而实际应用中,具有富裕的输入功率。
为什么用一个30W铁芯变压器器,输出30V,1A,降压DC到3V,是非常艰难10A电流的。
而用30W铁芯变压器,输出3V ,输出绕组用粗粗铜线绕绕制,而可以获得稳定的10A电流。这个道理有些相似。
另外要获得36V,10A电流,还是用220V 直接输入,通过开关电源转换成0-36V 10A,来的实在。也就是500W左右的开关电源,类似于计算机开关电源了。