问一个比较实际的MOSFET的问题,看看有谁知道?

没有人有兴趣么?

关注中~~~~~~~~~

今天第一次看到有人能知道MOSFET可以反向导通,我以前面试过一些很多人包括一些研究生,他都不知道MOSFET可以反向导通.

当然了,从原理上是可以的,不过没什么人会这么用的.

本人就用过.

惭愧啊,我一直以为MOSFET上的电流只能从D到S啊?请问你是怎么做这个实验的?IGBT也这样吧?

现在大多数的MOSFET和IGBT都带一个体内二极管,你说它们怎么会不反向导通

这样理解不对吧?MOS管的反向导通不是靠体内的二极管来的,同步BUCK就是一个例子.

从S~D导通时,mos在有驱动时通常情况下体二极管是没有电流流过的,因为Rds上的压降通常很小.从D~S导通时,体二极管反向当然更不通了.
两种导通方式都在大量使用,从D~S导通:在POWER中做开关管.从S~D导通:同步整流用.

同意以上2帖

关注中.....

为提高效率,同步BUCK电路MOS外并肖特基是不可少的.

三极管也可以双向啊,谁都知道

学到新东西了.谢谢!

刚开始做开关电源呢!

三极管C、E区渗杂浓度是不同的,与MOS管导电沟道不一样.那你举个例子说明三极管C、E可以双向导通.

如果B、C两端正向偏置,C、E两端反向偏置,应该可以导电吧?

有这方面的资料吗?

我对这个很感兴趣,请大侠多讲讲这方面的知识.谢谢!

MOS管本来就是可以双向导通的,但是由于衬底与导电极之间是PN极的关系因此常常使他们之间必须有一个反向电压以防止电极与衬底之间形成通路烧坏.因此将衬底与一极相连,才有D、S的区分,说可以反向使用是可以的,但会带来许多问题.三极管C、E可以反向使用,放大倍数就很小了(远小于1).因此上述两种使用只是理论分析可行,在实际使用中毫无意义,说明对器件结构的不清楚.

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有趣.

我看到很多资料都说结型场效应管JFET的S、D是可以互换的,至于MOSFET,只有本论坛有关同步整流的帖子有所提及,假如这样,那FET的反向耐压等等参数跟正常使用状态有区别吗?望请赐教.

多谢各位关注.

不过好像暂时没有人回答这个问题.当然这个问题也并不是一般情况可能遇见的.

一般的说法就是电流倾向由MOSFET本体流通,但是压降随着电流增大而增大.最大压降小于DATESHEET中给出的体二极管压降.

不过这样的话,损耗计算就只能适用体二极管压降,计算出来稍微增加.

很多人知道地,只是不说而已,知道同步整流的都知道.现在研究生实际能力的确比较差了.

IGBT好像不带体二极管吧.

从S~D导通时,mos在有驱动时通常情况下体二极管是没有电流流过的,因为Rds上的压降通常很小.从D~S导通时,体二极管反向当然更不通了.
两种导通方式都在大量使用,从D~S导通:在POWER中做开关管.从S~D导通:同步整流用.


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假如MOSFET体电阻0.2欧姆,当电流10安的时候已经有2V压降了.这时候体二极管肯定导通了吧?
这种情况也应该是很容易遇到的吧.10A其实很小了.

毫无意义?

那同步整流怎么办?

现在研究热火的无桥PFC电路怎么办?

从效率方面考虑,通常希望电流尽量流过Rds,以你的例子,是不是应该选用更低Rds的MOS.

此时Pd已达20W,似不妥当,大电流MOSFEI的Rds(on)均在0.1以下,如6030为0.013欧姆.
同步整流的初衷就是为了降低二极管正向导通压降的损耗,如果MOSFET压降比用二极管整流的还大,那应算是比较失败的吧.
我的疑问是,正反向应用,MOSFET各项参数有无不同?

三极管C、E可以反向使用,放大倍数就很小了(远小于1).

  ＝＝大约是5-10之间.

MOSFET的D、S是可以互换使用,但要注意制作的工艺,在很多器件里S极与衬底相连,因此该类型的器件是不能互换使用的.如果要互换使用,需选择衬底不与S极相连的,且衬源间的电压必须保证衬源间的PN结是反向偏置,结果沟道的宽度受UGS和UBS双重控制,使UGS(th)的绝对值增大.