【讨论】开关电源损耗和发热量讨论

学习了,算得太精了,跟我现在做的100W差不多

很好，做电源就是要仔细分析损耗分配。我有些不同看法，说出来讨论

1.  通过整流桥的电流是要流经2个二极管，90V  输入功率103.2W时，电流有效值1.147A，如果每个二极管压降0.9V，功耗2.06W；如果二极管压降1V，功耗2.3W。此项功耗是可以准确计算的。

2.  L滤波器有82℃温升，功耗应该大于0.5W。可以单独给L通直流电，作对比试验，在相同温升时得到L的功耗。

3.  PFC整流的二极管功耗。因为MUR460的整流电压是400V，输出功率约100W，所以整流电流平均值0.25A，有效值约0.3－0.4A，此时正向压降约0.55V，导通功耗约0.2W。如果此管温升高，主要还是开关功耗（即反向恢复问题）

4.  PFC主MOS的功耗主要是导通功耗，输入90V和220V时差别很大。

5.  PWM的MOS功耗应该明显大于0.5W，如果0.5W，散热器可以不要。

6.  变压器PQ3225的功耗如果2W，温升会很高。线损较大，磁损较小。

7.  每颗20100的平均电流约2.4A，有效值约3－3.5A，压降（100℃）0.5V，两颗总功耗约3.5W。

这种估算相当不准确，不能直接用电压乘以电流来算，还有占空比啊，反向漏电流等

1.整流桥堆在不同电流下压降不一样，还有MUR460也一样（因为MUR460在90V  40度满载测试温升就有125度左右，在不同温度和电流下压降也不一样，不能使用有小电流来计算，那样算出来的比实际损耗小。

2。滤波器好像在温度不一样的时候电阻值也不一样，不过相差不是很大，我是直接使用1.5A 和3A和6A的电流短路LF1来测试计算滤波器电阻值的。

3。PFC的MOS损耗我是使用6563里边设计指导计算公式算出来的，和实际算出来的有点不一样。

4。输出整流的肖特基在不同电流和温度下压降也不一样，损耗比使用有效电流计算的要大，因为3.7A的产品峰值电流在9.6A左右。

桥堆消耗功率不小，整流管在4A输出的时候消耗也和大，其实MOS和变压器消耗远在桥堆和肖特基之下（90V输入满载的时候，220V输入的时候桥堆消耗基本上减小了很多）

这几天突然有一种想法，因为产品的外壳基本上是密封的，产品内部产生的热量都是通过外壳来把热量散发出去的；那么表面积一定的外壳是不是有一个散热的极限功率呢。前几天我的90W产品在90V 40度的时候内部温度超标，经过很多改善终于将产品的效率提高了一点点，由原来的10W消耗减小为9W。所以产品温度过了；是不是就是说那个外壳最大能消散的功率为10W呢，

以此类推假如你的产品是150W，效率是95%那么输入功率是158也就是说，内部产生的无用弄是8W那么就是说，150W的产品也能使用90W的外壳，来做。

欢迎发表意见。

一般大功率产品都是内部的散热片，把热量传给外壳，然后由外壳把热量通过空气散出的，散热的有两个参数，一个是材质，一个就是表面积，当材质一定的时候，是不是散热之和表面积有关啊，一般情况下电源都是在90V满载环境温度40度的时候，温度最高，那时候好像产品效率最差吧。

呵呵，想到一块去了

我当初曾经在壳里面放了个大功率电阻一直通电加热测壳体温度，不过很是不准确。

这些IC的承认书或设计指导里边有写啊，MOS计算主要计算上升段，导通段，关断段；

变压器分铁损和铜损，铁损在磁芯承认书上有写，铜损主要看你铜线电阻使用最基本的P=UI计算或P=U*U*R；肖特基和桥堆，因为不同电流的时候压降不一样，所以准确计算比较难，一般我都是按照最大压降来计算的，那样计算出来的损耗会大一点，反正基本上你使用上面的两个基本公式都能基本算出来，和实际测量出来的差不了多少。。

什么都是浮云，关键要卖的好，卖好价钱，返修率低

可是很烂的产品，客户看到了应该不怎么愿意买吧，我画饿PCB不论怎么画，看着都很不好看，我们之前有一个很厉害的人产品调的超好，PCB板怎么看都漂亮。不知道什么时候能达到那种水平啊。