48V转310V的DCDC变换器,选普通boost拓扑吗,或者下面这个拓扑,功率4kw
48V转310V的DCDC变换器,选普通boost拓扑可行吗
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@独在水乡
48V输入 做310V输出 4KW推挽难搞的,48V做推挽电压有点高,MOS耐压也不好选,至少200V的MOS还是硬开关全桥实惠 磁芯搞个EE70 频率50K 强制风冷
我也想了好多方案推挽正激,双管正激 ,以及常见的推挽,BOOST有点离谱了,这些方案都不理想,最后还是采用了全桥,不过想用全桥相移软开关,3KW以上的除全桥外没有什么拓扑能胜任,当然不是绝对,主要因素是从实际出发,水兄可否给些高见,我知道你是做开关电源的,前几天一个朋友给我个12KW的电镀电源原理及PCB文件,不过这些时间很忙,没有时间学习 ,我的4KW打算用UCC3895 隔离想直接用IR2110或者TLP250光耦直驱MOS, 功率3-4KW ,采用两只65mm的非晶 后级采用混合桥,
48V的电池推挽至少MOS耐压 是个问题 ,我觉得做成了故障率也会极高 ,还有一点,这位兄台310V做4KW 你是输出220V吗? 220X1.4=311左右 但是满载时却不是这个值哦! 又与水兄相逢 ,有缘啊,呵呵
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@世纪逆变
我也想了好多方案推挽正激,双管正激,以及常见的推挽,BOOST有点离谱了,这些方案都不理想,最后还是采用了全桥,不过想用全桥相移软开关,3KW以上的除全桥外没有什么拓扑能胜任,当然不是绝对,主要因素是从实际出发,水兄可否给些高见,我知道你是做开关电源的,前几天一个朋友给我个12KW的电镀电源原理及PCB文件,不过这些时间很忙,没有时间学习,我的4KW打算用UCC3895 隔离想直接用IR2110或者TLP250光耦直驱MOS,功率3-4KW,采用两只65mm的非晶 后级采用混合桥, 48V的电池推挽至少MOS耐压 是个问题 ,我觉得做成了故障率也会极高 ,还有一点,这位兄台310V做4KW你是输出220V吗?220X1.4=311左右但是满载时却不是这个值哦! 又与水兄相逢,有缘啊,呵呵
我对全桥的驱动,还是不赞成用4个TLP250做驱动,光耦的驱动能力是有2.5A,
很多人认为用TLP250就能绝对驱动MOS,然而很多人对光耦的参数和特性又了解多少?
4个250,能保证他的参数一致吗?变压器驱动,绕组双线并绕,并绕的这两路脉冲能保持一致,而且能胜任高频,至于变压器的驱动电流,也是取决于驱动变压器的初级,看你怎么设计了,我见过不少全桥,都是变压器驱动,
24V以下的输入,适合做推挽,48V输入,输出功率上千W,适合全桥,是不用质疑的
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@世纪逆变
我也想了好多方案推挽正激,双管正激,以及常见的推挽,BOOST有点离谱了,这些方案都不理想,最后还是采用了全桥,不过想用全桥相移软开关,3KW以上的除全桥外没有什么拓扑能胜任,当然不是绝对,主要因素是从实际出发,水兄可否给些高见,我知道你是做开关电源的,前几天一个朋友给我个12KW的电镀电源原理及PCB文件,不过这些时间很忙,没有时间学习,我的4KW打算用UCC3895 隔离想直接用IR2110或者TLP250光耦直驱MOS,功率3-4KW,采用两只65mm的非晶 后级采用混合桥, 48V的电池推挽至少MOS耐压 是个问题 ,我觉得做成了故障率也会极高 ,还有一点,这位兄台310V做4KW你是输出220V吗?220X1.4=311左右但是满载时却不是这个值哦! 又与水兄相逢,有缘啊,呵呵
我是做电机驱动,电压只要300多V就可以,但需要电源的抗冲击性能要好,不知道全桥在这方面效果怎样
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@世纪逆变
水兄所言极是,据资料显示这两只隔离脉冲变压器的驱动是TPS2812P但这个芯片驱动能力也就是2A不过不好找,手边TLP250现成想用它试试,想取消这两个隔离变压器,如果加上脉冲变压器,20K的频率我拍失真大,这样反而会影响整机性能,一切还是用实验说明 吧,有时间搞一下 顺便上几个芯片的资料供大家参考 [图片]UCC3895应用电路 [图片]TPS2812 [图片]TLP250_ [图片]MIC4425
就算光耦能输出2A的电流,但是光耦内部的二极管必须要保证流过大于16mA的电流,才行,光耦就是看他的电流传输比,很多人认为加个大电流光耦就OK,从未考虑内部二极管的电流,
其实不是的,内部二极管必须要流过一定的电流
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