小弟跪求如何根据输出功率选择H桥的MOS管电流级别！

没有看到别人的计算公司，我大概这么算的。

比如1000W220V,有效电流为4.5A,效率0.9的话就要5A,峰值是5*1.4=7A,最小M=0.8的话。脉冲电流=7/0.8=8.75A.如果峰值功率加倍的话，电流可以选择17A的MOS。

谢谢大侠赐教，还有一个问题想请教，3-5KW以上的逆变器H桥用MOS管，还是IGBT呢？

IGBT要负压关断，帮画个图好吗？用SG3525   50hz  ， 在此谢过。 

还有DC升压AC（未整流）用指针万用表或数字万用表测得多少值为准？

看了很多贴都是整流滤波后315V DC  如果做方波后级会不会接负载瞬间电压过高而烧坏电器？

首先计算管子上需要承受的电流，I = W / U，比如做1000W的逆变器，输出交流220V ，那么平均电流大约在5A，

然后去选择管子，MOSFET有项指标叫Id，比如IRF840的管子Id为8A，IRFP460的管子的Id为20A，这样表面看貌似1000W的逆变器采用IRF840也勉强可以胜任，IRFP460则绰绰有余，这时我们还要计算管子的耗散功率，就是发热情况

所以要考虑管子的导通阻抗，比如IRF840的导通阻抗Rds(on)是0.85欧，那么在管子上产生的发热功率是5*5*0.85 = 20W，而且还不考虑开关损耗带来的发热，那么肯定是要炸管的；如果采用IRFP460，导通阻抗Rds(on)是0.27欧，那么发热功率是5*5*0.27 =6.75W，那么加个大一点的散热片还是可以完成的

在MOSFET选型时,Rds(on)是一个重要指标，需要考虑系统的散热能力，选择适合的管子，我见过很多人说管子明明可以承受多少多少电流，但最后还是烧管，其中很多都是没有考虑管子的发热情况