前段时间搞了好久70的产品，试验了不同变压器绕法产品的EMI和辐射，现总结如下，发出来一起探讨：
使用主IC LD7750产品输入电压90-264输出24V 3A使用变压器PQ3220（有点浪费）；
变压器采用三明治绕法主要测试不同屏蔽的时候EMI效果：
Ns次级，Np初级,Nvcc辅助绕组，E1屏蔽
1.1/2Np-E1-NS-Nvcc-1/2Np;
2.E1-1/2Np-E1-Ns-Nvcc-1/2Np;
3.1/2Np-E1-NS-1/4NP-NS-NVCC-1/4NP
变压器绕组圈；数：NP:NS:NVCC=31:8:7主感量580 ，漏感 12uH以下；
经过测试：
1。经测试主感量在580 漏感在11.5u 在150K-5M段有12DB余量，在5-30有20DB余量；
辐射在68M的时115V-230V都是只有6DB余量，应该是IC主频的倍频干扰吧好像没有很好的消除办法；
2。经测试主感量在585u，漏感在12u，在150K-5M段有20DB余量，在5-30DB也有20DB余量；
辐射和1没有差别；
3。主感量在580，漏感在7.5u 在150K-5M段只有5-8DB余量，在5-30M有23DB左右。
辐射和1也没有多少差别。
总结：经过测试总结到屏蔽绕组对传导挺有用的，加的越多好像越管用（对低频段）；貌似对辐射没有多大作用；
待解决的问题：经过测试辐射发现辐射不过大概由下边三个地方发出：
1。MOS的D极发出的干扰貌似在30-60M左右不知道对不对；改善RCD可以解决可是可能不会有很好的效果；
2。IC本身发出的主频倍频干扰，比如主频68K 的IC 在64-72MHz辐射出现尖峰；还没有很好的解决办法；是不是加大驱动电阻会有效果，还是因为布线不好造成IC主频倍频出现干扰；
3。肖特基反向恢复电流引起的尖峰干扰，主要在40-100M左右吧，解决的方法很多改变产品工作模式；加大RC吸收，加磁珠都可以。
传导出现的问题以后再发，貌似也挺复杂；
最近在调试一款70W 12V 6A的产品 客户要求使用1.8M的线材能耗过CEC5，哎怎么调都不行啊，
其实CEC说白了就是玩半载和25%负载时候的效率，能达到90以上，平均效率就好过了。呵呵。。
