谢谢你的建议,我把变压器次级绕组加了一圈就OK了,余量很大。。
是因duty变小,使开关损耗减少,EMI也跟着变小.
我也是瞎整的,求高手解释
意思是 MOS的导通时间长短,跟传导有关了,
开关零件本来就是一大EMI来源,不管是传导及幅射,
开关零件如何产生EMI来源当然是从开关导通及关闭产生.
谢谢~~~
原来是 初级54TS 次级7TS VCC 8TS 两层屏蔽 20M超 改后 初级67TS 次级8TS VCC 9TS 磁芯 ER28 改后传导 变化很明显 , 后面我又试了一款12V3A裸板,也是20M超标 ,次级加一圈后,很降下来了,效果很好
高手啊!值得我们学习!如果你下次碰到效率上不去的话,就改用同步整流吧,N3701V 同步整流,很好用。
我的看法:
是否原先变压器有较多的空间未填满,那样的情况漏感比现在的大,同时工作电流也比现在的大,mos关断后的振荡产生的辐射比现在的严重。
线圈偶合程度的确直接影响漏感程度,降低圈数是办法之一,
但因偶合变好线圈之间杂散电容也会变多,
无论是杂散电容或漏感,在线路上都储存多余能量,
当电容上电压产生变化或电感上电流产生变化,都会产生噪声,
其实有好就有坏,所以才会有其它解决EMI办法,变压器绕制只是办法之一.