写反激的帖子很多，但很多帖子对于这个问题并没有讲透，特开一帖详细说明，如果有误，请共同探讨，力图把这个问题完全讲明白。先上初级线圈电流波形：
图中Ipk1表示DCM条件下的电感峰值电流，Ipk2表示CCM条件下的电感峰值电流。如果我们要设计一个反激电源，要求输出电压Vo、输出电流Io，输入最低直流电压Vin、输入最高直流电压Vm。设计的第一步先规定一个工作频率f（当然频率的确定需要考虑很多因素，但这里只专注于讨论DCM和CCM工作模式，暂且直接规定f），然后规定最大占空比D（反激通常在0.5以下为佳），现在分别按照DCM和CCM模式进行设计：
1、因为输出功率等于输入功率乘以效率，而输出功率为Vo*Io，输入电压范围也已知，所以首先假定效率并计算初级电流。
如果我们设计为DCM工作方式，显然峰值电流更高，但由于其能量完全传递，在散热允许的条件下，DCM方式可以用相对较小的磁芯输出更大的功率。
2、初级电流确定后，就可以由此计算出初级所需的电感量L。
因为KRF一定小于1，所以L2一定大于L1，即同样输出功率、同样输入电压、同样开关频率和占空比、同样效率时，DCM的电感量一定小于CCM的电感量。
3、选择合适的磁芯。
Vo和Io已知，Bm由磁性材料和工作温度决定，由于采用有效值进行计算，所以Kj可以取8A/mm2，但需要注意趋肤效应。初级线圈窗口利用率Kw，假设用圆线把窗口绕满，则总的利用率为3.14/4=78.5%；再假设辅助绕组、屏蔽层、绝缘胶带占用15%，则初次级绕组共占78.5%-15%=63.5%；通常次级圈数少，优先考虑次级绕完满层，所以初级需要占用较多的窗口面积，假定初级占36%；为了满足绝缘要求，普通漆包线绕制变压器是还需要加档墙，由于档墙是固定宽度的，所以磁芯绕线宽度越短，档墙占据的比例越高，小功率应用场合甚至可能占30%以上。所以功率越小越依靠经验选择磁芯，估算的初级线圈窗口利用率误差非常大。
4、计算变压器各绕组圈数和线径。
5、计算功率器件的电压电流。主开关FET的电流有效值与变压器初级电流有效值相同，峰值电压和峰值电流：
；整流二极管的电流有效值
，峰值电压和峰值电流：
注意：磁芯的选择需要考虑的问题很多，首先考虑的是材质和环境温度，如果环境温度很高（70度？），而且磁材的温升也较高（XX度/（W cm3））、居里温度却相对较低，那么就要尽可能减小铁损。铁损是和材质、频率（f）和磁摆幅（delt B）相关的，频率越高或者delt B越大，铁损就越大，所以高频（>300KHz？）或高温（>55度？）应用条件，需要选用特殊磁材或者降低工作频率或者减小delt B。
。今晚就推导你和Z版的帖子。明天我们在探讨。同时，期待你更多的帖子。
。能看出你对这方面研究很深入。你上面提出的几个观点；第一点，不是很明白，请详细解答一下。第二，三，五，七点，实际中基本也是这样做的。第四点，有问题，大家平时都是通过一些手段或者绕法降低变压器的漏感，让其在初级感量的1%—5%，2%为宜，你所谓的超低漏感是多少？怎么才能做到超低的漏感呢？第六点，怎么设计才能保证磁芯和绕组二者的温升差别不到5℃？还有就是二者的温差如何测试？期待你的解答。
......................
