请教高手？全桥硬开关，在两桥臂均不导通时间是否有减小偏磁作用？因为在此时间内变压器剩磁对电源充电。

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我用变压器隔离驱动IGBT,我是指隔离变压器本身偏磁，换句话说，就是只要在死区时间，隔离变压器初级电流恢复为零，就等于磁通等于零。只要偏磁伏秒积，不大于电源电压乘死区时间，偏磁就能恢复，是否正确？我不想使用隔直电容，隔离变压器本身偏磁需要处理吗？

至今为止，见到那一家焊机，驱动变压器的一次，没有串联那隔直流电容的呢，

 即使驱动变压器磁芯磁密无穷大，假使偏磁也不会饱和，又假如，正脉冲10uS，而负脉冲才5uS，.............那么驱动变压器不会出问题了，可主变会不会出问题呢....

况且，驱变的绕组...分布，驱动电路中的....二极管、电阻、电容有可能完全对称吗，这些可能都有积累效应的，只因为，主变对交流脉冲的阻抗，和直流阻抗有着天地之别，..................若有..些微..不对称，,那害处，是可以想象的.......,,那么隔直就是一道安全栅栏..........是吗....

    就先不说，电流休止期间磁位的恢复，但凡只要，有这些不对称，最终就，都体现在...初级正向电流，大于，反向电流，这差值，不就是.......给初级通了一个直流吗，你想啊，只要差1A,那么“场管”是不是，就要多承受520w发热啊，即使不饱和，管子也不舒服啊..........是吧......

我主变压器偏磁靠调整上下半桥脉宽平衡，如果隔离驱动变压器偏磁没有简单办法解决，哦就准备用光耦隔离驱动IGBT了。

驱动关键，是均匀对称绕制，初级还是要串电容，瑞凌不是nnnn嘛，并个阻.......可参考的啦.....的啦....

在全桥拓扑里，你的思路与观点是完全正确的！

但死区的延长又会有什么弊端呢？ 对于克服偏磁，利用“死区复位”的做法是不能确定其结果的必然性的。

我测了IGBT全桥拓扑，周期50微秒，导通脉宽23微秒，2微秒死区，纯电阻负载2欧姆，直流母线电压310伏。串有隔直电容和饱和电感。发现占空比丢失达到8微秒，占到导通脉宽的三分之一，改变两个方向的导通时间，分别为28微秒和20微秒，发现：28微秒脉宽占空比丢失时间为10微秒，20微秒脉宽占空比丢失时间为6微秒，且20微秒脉宽的电流峰值大于28微秒脉宽的电流峰值。根据以上试验，我认为占空比丢失时间，就是偏磁自动复位时间。只有在整个脉宽时间内不能使电流方向改为反向，也即电流过零。这时才会发生炸IGBT事故。由于隔直电容，导致20微秒脉宽时磁复位电压为电源电压+隔直电容上电压，28微秒脉宽时磁复位电压为电源电压-隔直电容上电压，也因此20微秒脉宽电流峰值大于28微秒脉宽电流峰值。

我的目的是：去掉隔直电容，电流峰值大的减小脉宽，电流峰值小的增加脉宽，以此来动态调整偏磁。保证安全可靠。此方案现实是否可行？请同行指教！