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反激电路中选用不同的MOSFET管后Vds差别很大

小弟用反激变压器做了一个简单的DC-DC电路,之前用的一款MOSFET管Vds幅值在没有RCD的情况下约60V,换了一种后达100V,再次更换后Vds幅值更高了....

求教各位大侠这是何故,如何解决呢

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ctx1211
LV.7
2
2011-11-23 23:02

你这样换MOSFET是没有用的,不知道你换得是不是电压应力更大的MOS

因为你换了之后的MOS的寄生参数也会跟着变

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cheng111
LV.11
3
2011-11-23 23:49
关注
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apennine
LV.2
4
2011-11-24 08:36
@ctx1211
你这样换MOSFET是没有用的,不知道你换得是不是电压应力更大的MOS因为你换了之后的MOS的寄生参数也会跟着变

Vds与选用MOS关系大么,我一直以为Vds是由变压器决定的

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r2271297
LV.6
5
2011-11-24 08:42
@cheng111
关注
是不是尖峰的电压更高了呢
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cheng111
LV.11
6
2011-11-24 08:49
你两个MOS管的寄生参数怎?
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2011-11-24 08:58
@r2271297
是不是尖峰的电压更高了呢
同问
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2011-11-24 09:47
去看看MOSFET的Coss参数就明白了
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apennine
LV.2
9
2011-11-24 11:44
@r2271297
是不是尖峰的电压更高了呢
确实,尖峰电压变化十分明显
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apennine
LV.2
10
2011-11-24 11:46
@心中有冰
去看看MOSFET的Coss参数就明白了
请问冰前辈,MOS的寄生参数参数选择应该依据什么呢
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waterayay
LV.7
11
2011-11-24 16:42
@apennine
Vds与选用MOS关系大么,我一直以为Vds是由变压器决定的
关注~~
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2011-11-24 21:11
@apennine
请问冰前辈,MOS的寄生参数参数选择应该依据什么呢
当然是依据实际电路的需要来选择
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ctx1211
LV.7
13
2011-11-24 21:59
@心中有冰
去看看MOSFET的Coss参数就明白了
师长说的有道理
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apennine
LV.2
14
2011-11-25 09:33
@心中有冰
当然是依据实际电路的需要来选择

冰前辈,小弟是想问下根据电路的哪些需求呢,主要是变压器漏感么?

望冰前辈指点一二,有相关资料推荐小弟读下也行,小弟初次做DCDC,拜谢过了~

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2011-11-25 09:41
@apennine
冰前辈,小弟是想问下根据电路的哪些需求呢,主要是变压器漏感么?望冰前辈指点一二,有相关资料推荐小弟读下也行,小弟初次做DCDC,拜谢过了~

比如说,软开关电路中,需要利用MOSFET的节电容来谐振的,那么就需要选择合适节电容的MOSFET,不够的时候还需要外加电容

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apennine
LV.2
16
2011-11-26 11:21
@心中有冰
比如说,软开关电路中,需要利用MOSFET的节电容来谐振的,那么就需要选择合适节电容的MOSFET,不够的时候还需要外加电容
冰前辈,我的MOSFET发热严重,MOS型号为IRL540,VGS(th)  min为1V,max为2V,我用4V电压驱动可以么,发热主要是开关损耗还是导通损耗呢?
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cheng111
LV.11
17
2011-11-26 13:22
@apennine
冰前辈,我的MOSFET发热严重,MOS型号为IRL540,VGS(th) min为1V,max为2V,我用4V电压驱动可以么,发热主要是开关损耗还是导通损耗呢?

这个需要看数据手册,4V驱动时如果MOS管的内在已经快到最小了就可以,如果没有,需要加大驱动电压。

一般在开关电源中开关损耗大一些。

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