apennine:
军长,请帮小弟下面这个是什么问题呢 小弟近日做了一个DCDC,输入12-20V,共10个输出绕组,输出均为4V变压器参数为初级电感70uH,漏感300nH,初级匝数12匝,次级4匝选用MOS型号为IRL540,VGS(th) min为1V,max为2V,用4V电压驱动现在出现了两个问题:1.MOS发热严重,烫手 当输入提高到12V时,烫的厉害,不知此处发热主要是开关损耗还是导通损耗2.Vds尖峰很高,RCD无法吸收,R:10K,C:4.7nF另外因为在实验,所以仅采用了一路输出,其他输出绕组悬空,不知是否有影响MOS驱动如下图:[图片] Vds波形如下图:[图片] 下图中黄色为RCD中C两端波形:[图片]