会不会因为驱动频率太低造成能量转移效率低，MOS过热呢
请问DCDC电源效率与MOS驱动频率有关系么？
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@zvszcs
不太会吧，太低，就是你的体积小不下来啊
军长，请帮小弟下面这个是什么问题呢
小弟近日做了一个DCDC，输入12-20V，共10个输出绕组，输出均为4V
变压器参数为初级电感70uH，漏感300nH，初级匝数12匝，次级4匝
选用MOS型号为IRL540，VGS(th) min为1V，max为2V，用4V电压驱动
现在出现了两个问题：
1. MOS发热严重，烫手 当输入提高到12V时，烫的厉害，不知此处发热主要是开关损耗还是导通损耗
2. Vds尖峰很高，RCD无法吸收，R：10K，C：4.7nF
另外因为在实验，所以仅采用了一路输出，其他输出绕组悬空，不知是否有影响
MOS驱动如下图：
Vds波形如下图：
下图中黄色为RCD中C两端波形：
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