1.MOS管Vds ,大家肯定要测,MOS管一般耐压选600V,实际测试中,此处峰值在输入264VAC时,峰值不能超过600V,应该还有一定的余量;
2.MOS的驱动波形,此处的波形主要取决于PWM IC;
3.MOS管源极波形;
4.输出端肖特基两端波形,此处的峰值关系到你的变压器设计是否合理,肖特基的耐压选的是否合理等等;
5.纹波噪声,这个参数很关键,很多产品对这个参数要求很高,没有国标,有行业标准,一般控制在输出电压的1%;
明天聊应力的话题,如果大家有什么补充,请提出。
1.MOS管Vds ,大家肯定要测,MOS管一般耐压选600V,实际测试中,此处峰值在输入264VAC时,峰值不能超过600V,应该还有一定的余量;
2.MOS的驱动波形,此处的波形主要取决于PWM IC;
3.MOS管源极波形;
4.输出端肖特基两端波形,此处的峰值关系到你的变压器设计是否合理,肖特基的耐压选的是否合理等等;
5.纹波噪声,这个参数很关键,很多产品对这个参数要求很高,没有国标,有行业标准,一般控制在输出电压的1%;
明天聊应力的话题,如果大家有什么补充,请提出。
关于可靠性,所包含的内容就很多啦,我们一项一项来说。、
谈到热仿真,大家肯定会想到我们电性仿真,比如常用的saber,这一项工作在设计最初就做好的话,那对后面产品的成功是有很大帮助的,热仿真报告如下:
100%负荷下热分析报告
器件位置 |
器件描述 |
仿真得到的壳温 (℃) |
结-壳热阻θjc (℃/W) |
最大功耗 (W) |
最大结温 (℃) |
仿真得到的结温 (℃) |
降额 (%) |
Cx |
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Lx |
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Qx |
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Ux |
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继续,在谈MBTF预计,电源供应商必须对电源进行MTBF预计。预计方法应符合Telcordia SR-332的器件应力分析法(Method I Case 3),分析结果应确保没有器件因为过应力设计导致失效率偏高的问题。MTBF预计报告有如下要求:
1、 应同时提供两种环境温度下的预计报告;
2、 报告中应有环境温度、输入电压和负载等信息;
3、 报告中应包含所有器件和组件(如风扇)的各应力具体值、各π因子选择情况和单位失效率数据;
4、若使用的预计工具为Relex,应提供Relex文档(.PRJ)器件降额分析:
必须对电源产品所有器件进行应力降额分析,应力包括电应力和热应力,分析应确保在最坏工作情况下,器件应力符合电源元器件降额规范要求。这里的最坏工作情况是指如下条件的组合:
1、 电源环境温度为规格最高长期工作温度,对于自带具有调速功能风扇的电源,还需包括风扇从低速转换到高速时对应的环境温度;
2、 电源输入电压在规格范围内的最大值和最小值,同时有AC和DC输入的,应组合分析确定最坏情况;
3、 电源输出为最大和最小负载;
4、 正常上下电操作时。
如下组合都要被测试到:低压满载工作、高压满载工作、低压满载下电、高压满载下电、低压轻载上电、高压轻载上电。
降额分析报告建议使用Excel格式,报告中应包含如下内容:
1、 被测电源环境条件。包括环境温度、电源放置在哪种机壳内、给电源散热的风扇规格和数量、相关风道等信息;
2、 被测电源所有测试条件。包括输入电压大小、输出负载大小、上电/下电/稳态情况等;
3、 所有元器件的相关信息。包括器件位置、器件描述、以及对应的器件降额分类;
4、 所有元器件的电应力和热应力分析。应力需包含额定值、实际测试或计算值(结温),实际降额百分比;
5、 每个器件的降额应有判据确定降额是否满足要求;
6、 标识所有不满足降额的器件并进行风险评估。
再说电容寿命的话题,设计电源必须计算电源上所有电解电容、高分子电容在各种情况下的寿命,并满足期望寿命要求。
外部环境 |
输入电压 |
负载 |
期望寿命 |
25度 |
100VAC/264VAC |
100% |
10年 |
35度 |
100VAC/264VAC |
100% |
参考 |
对于同一电容位置有不同厂家的情况,应计算所有厂家的电容寿命。按照如下表格形式提供预计结果,同时报告中应包含各型号电容的详细计算公式:
25度情况下&100VAC/264VAC@100%负载下电解电容寿命计算结果
器件位置 |
器件描述
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厂家名称
|
厂家型号
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电容基本寿命 (L0) |
最高温度 (Tmax) |
壳温 (Tc) |
厂家寿命参数 (a) |
实际纹波电流 (Ix) |
额定纹波电流(I0) |
电容寿命(Lx) |
Cx |
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器件位置 |
器件描述
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厂家名称
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厂家型号
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电容基本寿命 (L0) |
最高温度 (Tmax) |
壳温 (Tc) |
厂家寿命参数 (a) |
实际纹波电流 (Ix) |
额定纹波电流(I0) |
电容寿命(Lx) |
Cx |
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