关于磁材初始磁导率与相对磁导率的问题

　磁导率

　　英文名称：magnetic permeability

　　表征磁介质磁性的物理量。常用符号μ表示，μ为介质的磁导率，或称绝对磁导率^[1]。

　　μ等于磁介质中磁感应强度B与磁场强度H之比，即μ=B/H

　　通常使用的是磁介质的相对磁导率μr，其定义为磁导率μ与真空磁导率μ0之比，即μr=μ/μ0

　　相对磁导率μr与磁化率χ的关系是：μr=1+χ

　　磁导率μ，相对磁导率μr和磁化率xm都是描述磁介质磁性的物理量。

　　对于顺磁质μr>1；对于抗磁质μr<1，但两者的μr都与1相差无几 。在铁磁质中，B与 H 的关系是非线性的磁滞回线，μr不是常量，与H有关，其数值远大于1。

　　例如，如果空气(非磁性材料)的磁导率是1，则铁氧体的磁导率为10，000，即当比较时，以通过磁性材料的磁通密度是10,000倍。

　　涉及磁导率的公式：

　　磁场的能量密度=B^2/2μ　

　　在国际单位制（SI）中，相对磁导率μr是无量纲的纯数，磁导率μ的单位是亨利/米（H/m）。

　　

常用的真空磁导率

(1)初始磁导率μi：是指基本磁化曲线当H→0时的磁导率 (2)最大磁导率μm：在基本磁化曲线初始段以后，随着H的增大，斜率μ=B/H逐渐增大，到某一磁场强度下(Hm)，磁密度达到最大值（Bm） （3）饱和磁导率μS：基本磁化曲线饱和段的磁导率，μs值一般很小，深度饱和时，μs=μo。 （4）差分（增量）磁导率μΔ∶μΔ=△B/△H。ΔB及△H是在（B1，H1）点所取的增量如图1和图2所示。 （5）微分磁导率，μd∶μd=dB /dH，在（B1，H1）点取微分，可得μd。 可知：μ1=B1/H1，μ△=△B /AH，μd=dB1/dH1，三者虽是在同一点上的磁导率，但在数值上是不相等的。 非磁性材料（如铝、木材、玻璃、自由空间）B与H之比为一个常数，用μ。来表示非磁性材料的的磁导率，即μ。=1（在CGS单位制中）或 μ。=4πX10o－7（在RMKS单位制中）。 　　在众多的材料中，如果自由空间（真空）的μo=1，那么比1略大的材料称为顺磁性材料（如白金、空气等）；比1略小的材料，称为反磁性 材料（如银、铜、水等）。本章介绍的磁性元件μ》1是大有用处的。只有在需要磁屏蔽时，才会用铜等反磁性材料做成屏蔽罩使磁元件的磁 不会辐射到空间中去。 （1）有效磁导率μro。在用电感L形成闭合磁路中（漏磁可以忽略），磁心的有效磁导率为： 式中 L——绕组的自感量（mH）； 　    W——绕组匝数； 　　磁心常数,是磁路长度Lm与磁心截面积Ae的比值（mm）． （2）饱和磁感应强度Bs。随着磁心中磁场强度H的增加，磁感应强度出现饱和时的B值，称为饱和磁感应强度B，。 （3）剩余磁感应强度Bs。磁心从磁饱和状态去除磁场后，剩余的磁感应强度（或称残留磁通密度）。 （4）矫顽力Hco。磁心从饱和状态去除磁场后，继续反向磁化，直至磁感应强度减小到零，此时的磁场强度称为矫顽力（或保磁力）。 （5）温度系数aμ°温度系数为温度在T1～T2范围内变化时，每变化1℃相应磁导率的相对变化量，即 　　式中 μr1——温度为T1时的磁导率； 　　μr2——温度为T2时的磁导率。 　　值得注意的是：除了磁导率μ与温度有关系之外，饱和磁感应强度BS、剩余磁感应强度BR、矫顽力HS，以及磁心比损耗（单位重量损耗W/kg）等磁参数，也都与磁心的工作温度有关。

真空磁导率是常数0.4*3.14*10^-6，相对磁导率乘以真空磁导率就是实际的磁导率，不同的材质在不同的直流磁场H作用下，其相对磁导率对应一条非线性变化的曲线（H很大时，相对磁导率就会快速下降，降到很小的时候就可以认为饱和了），当H为0时的相对磁导率乘以真空磁导率就是初始磁导率。

计算时还要考虑剩磁，

我的变压器用在全桥拓扑中，磁芯工作在一三象限，因该可以不考虑剩磁。

受教了，当H=0时，此时的磁导率就是初始磁导率。

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