我画了两种Isense的电阻的布局,不知道哪一种好一点,想各位帮我分析一下
这个是我第一次画的图,这个一开始觉得还不错,但是突然想到会不会这个Isense取样的导线太长了,这个对Isense信号会有影响吗??
这个是针对感觉Isense取样导线太长改的。导线还没有画好,只是一个布局,Rsense 这样布局会不会比上一副好一点呢?
请大家帮我看看,给给意见
美观还是第一副好看一点,工艺都差不多,个人感觉呵呵,第二副要避开旁边的电解电容的高压正极,所以要向右一地,两只Rsense电阻会错开,相对第二幅呢Isense会短不少!
我也在担心电阻离高压区域太近,但是要让功率电流环最小的话,要不断的缩小元件之间的距离。
有时想FR4的板子,1mm的间距可以有1KV的耐压,所以感觉也电阻靠近高压区也没有太大的问题吧???
这不是耐压的问题,是信号干扰问题。其实高压区也有分情况的,比如Power MOS的Drain和Source区,由于开/关作用,过冲是免不了的,导致噪音很大,最好远离。
两种都可以,EMI不至于影响.
支持研究
个人感觉第二种好一点
我是根据PDF中的计算的!在根据实际调整的。。。
这个电阻的选择有很大学问??
(一般好像和Isense检测脚的电压有关)