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【原创】关于对正激变压器设计的总结
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@zq2007
首先：正激变压器由于储能装置在后面的BUCK电感上，所以没有Flyback变压器那么复杂，其作用主要是电压、电流变换，电气隔离，能量传递等所以，我们计算正激变压器的时候，一般都是首先以变压次级后端的BUCK电感为研究对象的，BUCK电感的输入电压就是正激变压器次级输出电压减去整流二极管的正向压降，所以我们又称正激电源是BUCK的隔离版本。
首先说说初次级匝数的选择：
以第三绕组复位正激变压器为例，一旦匝比确定之后，接下来就是计算初次级的匝数，论坛里有个帖子里的工程师认为，正激变压器在满足满负载不饱和的情况下，匝数越小越好。
其实这是个误区，匝数的多少决定了初级的电感量（在不开气隙，或开同样的气隙情况下），而电感量的大小就决定了初级的励磁电流大小，这个励磁电流虽不参与能量的传递，但也是需要消耗能量的，所以这个励磁电流越小电源的效率越高；再说了，过少的匝数会导致deltB变大，不加气隙来平衡的话，变压器容易饱和。
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@zq2007
首先说说初次级匝数的选择：以第三绕组复位正激变压器为例，一旦匝比确定之后，接下来就是计算初次级的匝数，论坛里有个帖子里的工程师认为，正激变压器在满足满负载不饱和的情况下，匝数越小越好。其实这是个误区，匝数的多少决定了初级的电感量（在不开气隙，或开同样的气隙情况下），而电感量的大小就决定了初级的励磁电流大小，这个励磁电流虽不参与能量的传递，但也是需要消耗能量的，所以这个励磁电流越小电源的效率越高；再说了，过少的匝数会导致deltB变大，不加气隙来平衡的话，变压器容易饱和。
无论是单管正激还是双管正激，都存在磁复位的问题。且，都可以看成是被动方式的复位。复位的电流很重要，太小了，复位效果会被变压器自身分布参数（主要是不可控的电容，漏感）的影响。
复位电流是因为电感电流不能突变，初级MOSFET关断之后，初级绕组的反激作用，又复位绕组跟初级绕组的相位相反，所以在复位绕组中有复位电流产生 复位电流关系到磁芯能否可靠的退磁复位，其重要性不言自喻；当变压器不加气隙时，其初级电感量较大，复位电流自然就小。
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@zq2007
但在大功率的单管正激和双管正激的实际应用中，往往需要增加一点小小的气隙，否则设计极不可靠，大功率的电源，一次侧电流很大,漏感引起的磁感应强度变化，B=I*Llik/nAe,就大，加气隙是为了减小漏感Llik.
正激的占空比主要是取决于次级续流电感的输入与输出，次级则就是一个BUCK电路，而CCM的BUCK线路Vo=Vin*D，跟次级的电流无关
Vo=Vin*D Vo:输出电压，Vin：BUCK的输入电压，即正激变压器的输出电压减去整流管的正向压降，D：占空比在此，输出电压是已知的我们只要确定一个合适的占空比，就可以计算出BUCK电感的Vin，也就是说变压器的输出电压基本就定下来了 在这特别要提醒大家，占空比D的取值跟复位方式有很大的关系，建议D的取值不要超过0.5
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@zq2007
正激的占空比主要是取决于次级续流电感的输入与输出，次级则就是一个BUCK电路，而CCM的BUCK线路Vo=Vin*D，跟次级的电流无关Vo=Vin*DVo:输出电压，Vin：BUCK的输入电压，即正激变压器的输出电压减去整流管的正向压降，D：占空比在此，输出电压是已知的我们只要确定一个合适的占空比，就可以计算出BUCK电感的Vin，也就是说变压器的输出电压基本就定下来了在这特别要提醒大家，占空比D的取值跟复位方式有很大的关系，建议D的取值不要超过0.5
正激变压器加少量气隙能将电-磁转换中的剩磁清空,磁芯的实际利用率增加,同时增加的一点空载电流在大功率电流中所占比例较小,效率不会受到太大影响,这样可以让变压器不容易饱和,电源的可靠性增加,同时可以减少初级匝数,变压器内阻降低,能小体积出大功率.加气隙也相当于增大了变压器磁芯,但实际好处(特别是抗饱和能力)是胜于加大磁芯的.
加气隙后,减小的电感量会被增加的磁芯利用率补回来,而且有余,是合算的不用担心.
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@zq2007
正激变压器加少量气隙能将电-磁转换中的剩磁清空,磁芯的实际利用率增加,同时增加的一点空载电流在大功率电流中所占比例较小,效率不会受到太大影响,这样可以让变压器不容易饱和,电源的可靠性增加,同时可以减少初级匝数,变压器内阻降低,能小体积出大功率.加气隙也相当于增大了变压器磁芯,但实际好处(特别是抗饱和能力)是胜于加大磁芯的.加气隙后,减小的电感量会被增加的磁芯利用率补回来,而且有余,是合算的不用担心.
复位绕组的位置问题，是跟初级绕组近好呢，还是夹在初次级之间好？
如果并绕，当然跟初级的耦合是最好的，但对漆包线的耐压是个考验！当然这不至于直接击穿。
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@zq2007
单管正激，如果是市电或有PFC输出电压作为输入的话，MOSFET的最低耐压是2倍直流母线电压，再加上漏感的因素，MOSFET建议选800V甚至900V的管子
大功率的电源中，考虑到可靠性，一般变压器的余量较大，为避免变压器饱和，一般将deltB选得较小，一般取0.2以下；由于EMC与MOSFET的开关损耗考虑，将频率设得较低，一般为40KHz以下；大功率电源一般都会带主动式PFC电路，所以单管或双管正激拓扑的母线电压大概是400V左右。
由于上面三个原因，根据变压器匝数计算公式Np=Vin*Ton/(deltB*Ae)，可知变压器的初次级匝数较多，而较多的匝数会使分布参数（漏感，分布电容）变大，从而使绕组的交流损耗，特别是直流损耗都变大，在加上大功率变压器内部绕组的散热特性很差，故绕组温升相当可观
再加之大功率变压器的铁芯散热面积小，中柱发热比两个边柱更严重，而散热更差，所以铁芯的损耗导致的温升也较可观
较大的铁损与铜损导致磁芯的温度上升，从而导致变压器的磁通密度饱和点下降，如果设计的余量不够，当变压器在高温大负载的冲击下，可能立即饱和从而导致炸管！
而加点小气隙可以减少变压器的剩磁，从而使避免变压器在高温大负载的冲击下饱和，
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@zq2007
大功率的电源中，考虑到可靠性，一般变压器的余量较大，为避免变压器饱和，一般将deltB选得较小，一般取0.2以下；由于EMC与MOSFET的开关损耗考虑，将频率设得较低，一般为40KHz以下；大功率电源一般都会带主动式PFC电路，所以单管或双管正激拓扑的母线电压大概是400V左右。由于上面三个原因，根据变压器匝数计算公式Np=Vin*Ton/(deltB*Ae)，可知变压器的初次级匝数较多，而较多的匝数会使分布参数（漏感，分布电容）变大，从而使绕组的交流损耗，特别是直流损耗都变大，在加上大功率变压器内部绕组的散热特性很差，故绕组温升相当可观再加之大功率变压器的铁芯散热面积小，中柱发热比两个边柱更严重，而散热更差，所以铁芯的损耗导致的温升也较可观较大的铁损与铜损导致磁芯的温度上升，从而导致变压器的磁通密度饱和点下降，如果设计的余量不够，当变压器在高温大负载的冲击下，可能立即饱和从而导致炸管！而加点小气隙可以减少变压器的剩磁，从而使避免变压器在高温大负载的冲击下饱和，
为什么有的变压器 不加复位绕组，也能正常复位？
可以利用外部复位 RCD,LCD,有源钳位等方式
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@zq2007
正激电源开通、关断瞬间，初、次级电流包含哪些成分？稳态之后呢？双管正激的那两个钳位二极管是在复位的时候导通，从而钳位MOSFET两端的电压近似等于直流母线电压复位二极管最好用超快回复的，最理想的选择是BYV26C之类的管子，UF系列也可以
硬开关电路，从理论上分析，提高频率的益处:可以允许使用更少的匝数或者使用更小型号的变压器（同样型号的变压器输出同样功率，铁损将明显减少），减少电源的体积，增大电源的功率密度
当然也有不好的一面：提高频率将使MOSFET的开关损耗加大，变压器绕线的趋肤深度降低，分布参数的振荡将更加剧烈，EMI变差
所以，可靠性跟频率没有必然的联系，只要将电路处理好，特别是热设计做好了，一般可靠性还是比较高的
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@zq2007
在算变压器的时候经常会因为匝比或匝数的小数而有所调整，这样先计算的输出电感余量不是要再留大些？是的，一般在实际电路设计的时候，跟计算值相比都会留有一定的余量，而且当发生取值使用近似值的时候，都需要进行反推验证，这样才能保证电路的工作状态在我们的控制之中
正激变压器在开关管导通时存在三个电流，1.励磁电流，I1=VIN*Ton/Lp；也就是Ip中的斜坡电流。这部分电流不传递能量，只维持变压器的电动势。2.Ip中的平台电流I2，这一部分是传递能量的。3.次级感应电流I3=n*I2。
因为I3=n*I2，I2,I3产生的磁场相互抵消，所以在正激变压器计算中不考虑。
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@zq2007
正激变压器在开关管导通时存在三个电流，1.励磁电流，I1=VIN*Ton/Lp；也就是Ip中的斜坡电流。这部分电流不传递能量，只维持变压器的电动势。2.Ip中的平台电流I2，这一部分是传递能量的。3.次级感应电流I3=n*I2。因为I3=n*I2，I2,I3产生的磁场相互抵消，所以在正激变压器计算中不考虑。
开关损耗是硬开关电路的硬伤，除非上软开关，则可以明显降低开关损耗。硬开关要降低开关损耗的方法有降低开关频率，加快开通与关断的速度（使波形上升与下降沿更陡峭），但会使EMI更差，采用输入电容小的MOSFET，提升电路的驱动能力等。
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@zq2007
双管正激与单管正激变压器的计算方法完全一样
其实正激变压器稳态时的初级电流可以通过变压器的等效模型得到的，用文字表述下，
Ton时，整流管导通，续流管关断（忽略反向恢复时间与漏感的影响等因素的影响），次级储能电感电流线性上升，di(L)/dt=(Us-Uo)/L,而这个电流会通过匝比反馈到变压器初级的电流波形中去
当然，变压器的初级励磁电感在输入电压Uin的作用下，也会有一个线性上升的励磁电流，di(m)/dt=Uin/Lm，这两个电流都是要流经变压器初级线圈的，所以我们测试的电流就是这两个电流的叠加
这也解释了为何复位线圈的线径比初级线圈的线径小得多的原因。
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@zq2007
其实正激变压器稳态时的初级电流可以通过变压器的等效模型得到的，用文字表述下，Ton时，整流管导通，续流管关断（忽略反向恢复时间与漏感的影响等因素的影响），次级储能电感电流线性上升，di(L)/dt=(Us-Uo)/L,而这个电流会通过匝比反馈到变压器初级的电流波形中去当然，变压器的初级励磁电感在输入电压Uin的作用下，也会有一个线性上升的励磁电流，di(m)/dt=Uin/Lm，这两个电流都是要流经变压器初级线圈的，所以我们测试的电流就是这两个电流的叠加这也解释了为何复位线圈的线径比初级线圈的线径小得多的原因。
B的取值大小限制变压器铁芯的损耗大小，小的B值变压器越不容易饱和，但相反需要更多的绕线匝数，有时甚至因为窗口面积饶不下，所以铜损在增加
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@zq2007
因为正激的占空比一般都会小于0.5，所以次级续流二极管的导通时间要更长除开电容的影响，整流二极管跟续流二极管的平均电流应该是一样的
此贴接着第7贴继续，知道变压器的输出电压Vs之后，那么就可以根据输入的电压来计算出变压器的匝比了，这里要用最低输入直流电压来计算匝比，因为最低输入的直流电压对应最大的占空比
此Vs的电压对于选择次级整流二极管的耐压也是一个很重要的数据
选择匝比的时候请大家注意，因为计算出来的值一般都是小数点后有一位甚至几位的值，而我们在实际绕制变压器的时候，零点几匝的绕法非常困难，所以尽量取整数倍的匝比；当然，如果计算变压器的时候，变压器的初次级匝数比也不排除刚好是小数的情况
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