最近调试microchip推出的微功率并网逆变器方案电路，原方案见http://bbs.dianyuan.com/topic/606835 ，该逆变器功率电路如下：
该逆变器采用双路反激有源箝位技术，其升压、SPWM调制均在一级完成，后级四个可控硅完成换相输出正弦波交流；调试过程中遇到以下难题：
1、输入电压PV用普通稳压电源代替 输入电压32V DC，输出接负载 离网调试，输出电压为交流120V左右；但是此时输出端二极管D1的反向电压达到900多V，如果输出电压继续提高则D1的反向电压继续飙升，超过1200V，此时D1瞬间被反向击穿（D1为5A 1200V SIC 二极管）；测试波形如下：
黄色线为主功率管Q8的栅极驱动信号，紫色线为辅助功管Q1栅极驱动信号，蓝色为次级二极管D1的K 、A间反向电压，此电压飙升到900多V此时交流输出峰值仅为170V左右；（注此时输入电压为32V 变压器变比为12）为何D1的反向电压达到如此之高？
下图中黄色线为主功率管Q8的栅极驱动信号，紫色线为辅助功管Q1栅极驱动信号， 蓝色主功率管Q8 D、S两端电压，从图中看出Q8已实现零电压关断。
2、电感L2、L11貌似为谐振电感，但从图中看电感中的能量从何处释放？
微功率并网也是以后逆变器发展的一个趋势，调试此逆变器已卡在这个问题上面一个多月，40多块一个的碳化硅二极管已烧了十几个，有请各位各位电源达人、版主、帮我分析分析原因，不甚感谢！
