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Q值也变，导致Q*V在R小时VLr&VCr升高。

2016-09-16 11:17 回复

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空载Fs高于Fr1，增益高输出电压变高了，所以要跳频，或缩占空比。最关键的是llc由串联会变并联的，因看到了次级电容

2016-08-26 10:50 回复

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张老师只关注占空比，因是反激，在Ton时是储能，Toff时才释放能量，次级diode的损耗要考虑。Toff越长diode损耗越大。另DCM，CCM，QR的情况都要考虑，反激D小于0.45，就是综合考虑初级MOS耐压，次级diode或MOS导通损耗及反馈补偿的，要综合设计。

2016-08-26 09:53 回复

cxmnewly：

当你看懂了源程序你就不这么认为，SCR为低频50HZ开，正好和电网同步，同时加入0-1度179-180度的死区时间，SCR可以电流自动过零关断，如果用MOS就不好控制。。。

2012-04-01 17:48 回复

cxmnewly：

l2,l11不用贴，本身是吸收的，有了Q1,Q2就不贴

2012-02-06 10:49 回复

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好好的研究一下，很不错的，我以复制OK

2012-02-06 10:05 回复

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复制了一台，220伏的，开机正常，挺开心的，在此愿和各位分享

2012-02-06 10:03 回复

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Q1先ON,TX6,C9,諧振,電流由C9到TX6123腳到10,11,12腳返回到C7,Q8,ZVS

2012-01-09 14:22 回复

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scr工作在50HZ,改為MOS請如何開上管  

2012-01-09 14:15 回复

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下管通时C背充电，下关时C通过光藕开通上管

2011-10-31 13:59 回复