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讨论: DC-DC模块电源设计和Layout中对效率和Thermal的综合考虑

讨论: DC-DC模块电源设计和layout中对效率和thermal的综合考虑
以上是本人的一些浅薄看法,请各位高手多加指导,点评.多发表意见.

szrg兄在"DC/DC模块电源简介及常用的拓扑结构"这个贴子里面曾谈到,对于1/4砖和1/8砖来说,效率是个重要问题. 现在就个人理解来浅谈一下这个问题.
对于1/4砖和1/8砖,效率是个大问题.提高效率的目的是降低LOSS,但关键还是出于thermal考虑.一般情况下, 1/8砖一般情况下的正常散热能力也就是7W左右.再往上就越来越吃力,散热的设计也就更困难,风速也会要求得越来越高, 否则只有牺牲功率的derating曲线.  按1/8砖输出60W来算,LOSS为7W左右时,效率就要求达到89%. 而要在全范围输入电压,输出负载条件下这一点不太好达到,尤其对于象输出为1.8V,1.2V等低压大电流的模块.
为避免上述情况,设计前的paper design阶段详尽的计算是必不可少的. 在架构,主要元件确定后, 下面就是LOSS的详细分析和计算, 如果计算出的LOSS过大的话,那么就直接回头review吧,不用再向前了.
刚才所述的为绝对的thermal情况.另外还有热平衡的问题. 也就是在模块上发热元件的分布要尽量平均, 这样才能充分利用模块本身来散热. 特别在一些thermal比较critical的情况下, 如果不能充分考虑热平衡性, 或者因为位置不佳,或者因为风扇稍远, 或者因为铺铜稍小, 那么某一点的过热, 哪怕就比相临元件热几度, 就会导致整个模块设计的失败.
对于这种情况,layout自然是最重要的考量.  Layout的不慎将使设计彻底失败.另外也提醒我们,paper design阶段的计算要结合到实际情况来计算,最起码考虑到散热器怎么装, 风扇从哪吹, ,margin要留出来.

对于thermal,  谈谈几点看法,包括设计和layout的:
1) 发热元件应尽量平均地分配在PCB上
2) 光耦,X5R 或 POSCAP 电容, 输入电感等对温度敏感元件或耐温低的元件摆放应远离热源
3) 对发热高的元件需在元件下方的PCB板上多铺铜,以降低元件温度.Mosfet 的应考虑在其漏极多铺铜.
4) 模块设计初期阶段的热评估,应考虑全范围的运行状况,来发现模块中的热点并进行改善.
5) 另外一个,在thermal考虑中, 铁芯是个要重点考虑的东东.因为CORE LOSS的曲线大家都看过, 低温下LOSS高, 高温下又变高, 只在某一段温度范围内表现相对较好. 所以在设计中应限制Core loss占总损耗的比重不要太大,以避免高温下的恶性循环.
6) 应特别检查模块在高温下的效率是否有异常变化.


以上只是一些浅薄的泛泛而谈,希望能起到抛砖引玉的效果, 因为模块设计的从始到终, thermal 都是最头疼的问题, 模块fail也多在这上面.
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2006-03-30 11:25
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六号桥
LV.5
3
2006-03-30 12:39
详细说说LOSS的计算如何?
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szrg
LV.7
4
2006-03-30 22:26
如果无风的情况下:四分之一砖本身能散热7瓦左右,八分之一砖应稍低.
对于热设计,如果设计不是很准的话,就一点意义都没有,没参考意义.就只有靠经验了.
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2006-03-31 08:50
@szrg
如果无风的情况下:四分之一砖本身能散热7瓦左右,八分之一砖应稍低.对于热设计,如果设计不是很准的话,就一点意义都没有,没参考意义.就只有靠经验了.
怎么才能做到准呢?
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胡庄主
LV.7
6
2006-03-31 09:35
@b.r.g.j.wallace航天电源
怎么才能做到准呢?
如果整个模块LOSS计算的很准确的话,整个模块的温升还是能够很好的控制.要考虑的是热的分布在尽量平衡.热点要分开来.
从thermal的角度来看,设计不仅是整个模块的设计,还有器件的thermal的考虑. 要保证每一个器件在正常工作和恶劣情况或其它非正常工作时不会出现thermal wrong.这就要计算单个器件工作时的最大LOSS,利用热阻来计算温升,是否符合de-rating的要求.
一般来说,模块的主要LOSS就包括:CORE Loss, Winding LOSS,器件LOSS(MOS占一大部分),此外象电路里面的一些辅助电源等,也会产生LOSS.
具体的计算有时间再谈.今后要干活了,呵呵,不干活没饭吃了
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六号桥
LV.5
7
2006-03-31 09:39
@胡庄主
如果整个模块LOSS计算的很准确的话,整个模块的温升还是能够很好的控制.要考虑的是热的分布在尽量平衡.热点要分开来.从thermal的角度来看,设计不仅是整个模块的设计,还有器件的thermal的考虑.要保证每一个器件在正常工作和恶劣情况或其它非正常工作时不会出现thermalwrong.这就要计算单个器件工作时的最大LOSS,利用热阻来计算温升,是否符合de-rating的要求.一般来说,模块的主要LOSS就包括:CORELoss,WindingLOSS,器件LOSS(MOS占一大部分),此外象电路里面的一些辅助电源等,也会产生LOSS.具体的计算有时间再谈.今后要干活了,呵呵,不干活没饭吃了
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szrg
LV.7
8
2006-03-31 22:13
@胡庄主
如果整个模块LOSS计算的很准确的话,整个模块的温升还是能够很好的控制.要考虑的是热的分布在尽量平衡.热点要分开来.从thermal的角度来看,设计不仅是整个模块的设计,还有器件的thermal的考虑.要保证每一个器件在正常工作和恶劣情况或其它非正常工作时不会出现thermalwrong.这就要计算单个器件工作时的最大LOSS,利用热阻来计算温升,是否符合de-rating的要求.一般来说,模块的主要LOSS就包括:CORELoss,WindingLOSS,器件LOSS(MOS占一大部分),此外象电路里面的一些辅助电源等,也会产生LOSS.具体的计算有时间再谈.今后要干活了,呵呵,不干活没饭吃了
顶!!!
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胡庄主
LV.7
9
2006-04-04 13:34
@胡庄主
如果整个模块LOSS计算的很准确的话,整个模块的温升还是能够很好的控制.要考虑的是热的分布在尽量平衡.热点要分开来.从thermal的角度来看,设计不仅是整个模块的设计,还有器件的thermal的考虑.要保证每一个器件在正常工作和恶劣情况或其它非正常工作时不会出现thermalwrong.这就要计算单个器件工作时的最大LOSS,利用热阻来计算温升,是否符合de-rating的要求.一般来说,模块的主要LOSS就包括:CORELoss,WindingLOSS,器件LOSS(MOS占一大部分),此外象电路里面的一些辅助电源等,也会产生LOSS.具体的计算有时间再谈.今后要干活了,呵呵,不干活没饭吃了
先上传两篇文献,一个是介绍MOSFET LOSS分类及大概的LOSS计算的.另一篇是详细的用于分析LOSS的模型.1144128230.pdf1144128289.doc
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szrg
LV.7
10
2006-04-05 07:11
@胡庄主
先上传两篇文献,一个是介绍MOSFETLOSS分类及大概的LOSS计算的.另一篇是详细的用于分析LOSS的模型.1144128230.pdf1144128289.doc
PDF文挡打不开,拜读中.....
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2006-04-05 09:00
@szrg
PDF文挡打不开,拜读中.....
可以打开啊.
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no-admin
LV.8
12
2006-04-05 11:36
拜读中
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六号桥
LV.5
13
2006-04-06 11:12
@胡庄主
先上传两篇文献,一个是介绍MOSFETLOSS分类及大概的LOSS计算的.另一篇是详细的用于分析LOSS的模型.1144128230.pdf1144128289.doc
建议举个简单的例子,计算一下各部分损耗和效率.再与实际数据对比.呵呵.
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小虫
LV.5
14
2006-05-05 14:28
@胡庄主
先上传两篇文献,一个是介绍MOSFETLOSS分类及大概的LOSS计算的.另一篇是详细的用于分析LOSS的模型.1144128230.pdf1144128289.doc
庄主:你的WORD文档和原文有出入吧?有些很明显的错误,容易误导人,有原文章出处吗?
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小虫
LV.5
15
2006-05-05 14:33
@小虫
庄主:你的WORD文档和原文有出入吧?有些很明显的错误,容易误导人,有原文章出处吗?
之前也研究过段时间的热设计,最后发现出来很少有散热器有热阻这个参数,而且一般风冷和风道的设计也非常复杂,可以做一门学科来研究,不过我也砸点砖吧,你们研发中心一般怎么做散热器?1146810610.doc1146810701.pdf1146810789.pdf
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胡庄主
LV.7
16
2006-05-06 17:02
@小虫
庄主:你的WORD文档和原文有出入吧?有些很明显的错误,容易误导人,有原文章出处吗?
WORD档是从一个网站上COPY下来的. 这些东西因为比较基础,所以也只是稍微浏览一下.
这一段私事较多,没在公司,有空再来细看.
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2009-05-20 11:10
@szrg
如果无风的情况下:四分之一砖本身能散热7瓦左右,八分之一砖应稍低.对于热设计,如果设计不是很准的话,就一点意义都没有,没参考意义.就只有靠经验了.
请问7W是在什么情况下算出来的?
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LV.1
18
2009-06-02 13:49
3) 对发热高的元件需在元件下方的PCB板上多铺铜,以降低元件温度.Mosfet 的应考虑在其漏极多铺铜.

这个对于单端拓扑原边管子来说,恐怕是个trade off

对于副边,可以考虑管子分布,比如三个并联,两个顶层,一个底层(如果不加散热器的话)
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mbyd
LV.6
19
2009-07-14 11:41
@
3)对发热高的元件需在元件下方的PCB板上多铺铜,以降低元件温度.Mosfet的应考虑在其漏极多铺铜.这个对于单端拓扑原边管子来说,恐怕是个tradeoff对于副边,可以考虑管子分布,比如三个并联,两个顶层,一个底层(如果不加散热器的话)
增大的覆铜面积,就会增加两者之间的电容,dv/dt会变大,EMI特性会变差,这一点是不是也要考虑到?
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mxdy828904
LV.2
20
2009-07-15 09:52
@mbyd
增大的覆铜面积,就会增加两者之间的电容,dv/dt会变大,EMI特性会变差,这一点是不是也要考虑到?
兄弟好啊!我们是电源模块生产厂家,有什么问题可以联系我,13787222401(小杨),QQ:1169610421
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2012-08-20 09:05
@六号桥
详细说说LOSS的计算如何?

等待讲解

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2012-08-20 09:08
@szrg
PDF文挡打不开,拜读中.....
确实可以打开
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2012-08-20 09:09
@小虫
庄主:你的WORD文档和原文有出入吧?有些很明显的错误,容易误导人,有原文章出处吗?
是呀
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2012-08-20 09:11
@mbyd
增大的覆铜面积,就会增加两者之间的电容,dv/dt会变大,EMI特性会变差,这一点是不是也要考虑到?
这也是重要考虑之处
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