关于吸收二极管

IN4007肯定不如FR107效果好

哥们,看来你该做做实验了.

我看PI公司TOP系列的典型电路上用的都是1N4007

还有,我们一般好象比较关心二极管的反向恢复特性,而通过二极管来实现钳位只是和二极管的正向特性有关.能请JACK兄解释以下吗?

恢复慢的在主开关开通瞬间会有部分能量通过二极管的反向电流到地,这样电容上的能量就少了很多,电压自然能够嵌位到更低,你不妨做做实验实际测试一下.

PI say: The 1N4007GP is a glass passivated version of the 1N4007, with a reverse recovery time specified at 2 us. The 1N4007 does not have a specified recovery time and must not be used.

PI say: The slower recovery time of the 1N4007GP causes a reverse current to flow back through the primary winding at the end of the clamping period. This partially discharges the leakage energy stored in clamp capacitor, C, and transfers some of the energy stored to the secondary, thus improving efficiency.

谢谢!原来还有这么一说,有点道理.有具体的实验数据证明能提高多少效率吗?

再慢也不会慢到等MOSFET开通时还处于恢复过程中吧?

我查了一下1N4007和1N4007GP,
1N4007标了最大反向恢复时间为2uS,1N4007GP反倒没标.DATABOOK除了指明GP是钝化外没做任何进一步说明,搞不明白这两种管子到底有何区别?
ASM兄清楚吗?

JACK兄在实际应用中是用快恢复管还是稍慢一点的管子?

不同的设计会有不同的结果,这个只是其中一种举例,任何结论都是针对一定的条件的;如果你不能用状态图分解工作过程,多说也无益,为何不用实验证明一下?

VISHAY的是1N4007GP标了最大反向恢复时间为2uS,1N4007没有指明.不知你看的是那家公司的.

我查的MCC公司的

VISHAY的我也刚查了一下,GP确实标了是2uS,如此说1N4007和1N4007GP的恢复时间是一样的. 不知二者之间还有什么区别.如果就恢复时间而言,在TOP的吸收电路里用1N4007代替1N4007GP是可以的

Diode     PIN (W)     POUT (W)     η (%)  
UF4005     36.18      30.23        83.6
1N4937     36.07      30.23        83.8
1N4007GP*  35.92      30.23        84.2
*Glass Passivated

谢谢!看来仅效率而言,用慢恢复管是有一点好处.但是慢恢复管对尖峰的钳位作用相比快恢复管有多大的差异?虽然电容的钳位电压低了,但是再考虑进二极管的正向恢复特性这个因数最终效果如何?
我现在手头没有机器所以不好做实验.

如果JACK 兄有些实验上的结论请共享,不要老是提醒我去做实验,有条件做我早都做了.呵呵!

业界应该有N多厂家都已经在享受慢恢复管的好处了,只是具体用到多慢还是跟各家的设计和习惯有关,因为已经不是试验阶段了,专门为了这个话题收集数据来说明似乎不是很必要吧?

JACK兄误解了,我不是在搜集数据,只是在TOP资料上看到这一点时和我的理解有出入,所以想弄清楚

帶G 的結溫150度﹐不帶的125度.用慢管有以上所講的好處﹐最大的好處在EMI上﹗大家試試看.