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[紧急求助]关于complementary N+P型 MOSFET的困惑

正月十五还没过,先给大家拜个晚年,祝大家晚年幸福。

不一日,小编我正在整理关于MOS管的数据,可巧让我碰见下面这个奇怪的产品让我百思不得其姐。

首先complementary N+P 所谓的互补型的mos 到底是什么含义呢?

其次 两组电压 电流 以及 导通电阻的数据 是分别对应 单独的Nmos和Pmos的么?

最重要的是 工程师在选择器件的时候那组数据更重要呢?

还望各位大侠不吝赐教,小编在这厢有礼了。



全部回复(6)
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fsxqw
LV.9
2
2012-02-03 13:47
主要看BVDSS耐压和导通电阻,互补双MOS N+P结构的PMOS的导通电阻肯定要比NMOS大,使用的时候注意以PMOS为下限条件。
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2012-02-03 13:48

其实就是1个N-MOS和1个P-MOS封装在一起的,2组数据是对应2个MOS的参数,设计时如果2个MOS都用到,2个的数据都要考虑

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zq2007
LV.11
4
2012-02-03 14:19
@javike
其实就是1个N-MOS和1个P-MOS封装在一起的,2组数据是对应2个MOS的参数,设计时如果2个MOS都用到,2个的数据都要考虑
所谓的对管就是这样的。
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flash007
LV.1
5
2012-02-06 13:28
@fsxqw
主要看BVDSS耐压和导通电阻,互补双MOSN+P结构的PMOS的导通电阻肯定要比NMOS大,使用的时候注意以PMOS为下限条件。
多谢 多谢
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flash007
LV.1
6
2012-02-06 13:29
@javike
其实就是1个N-MOS和1个P-MOS封装在一起的,2组数据是对应2个MOS的参数,设计时如果2个MOS都用到,2个的数据都要考虑

多谢 多谢


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flash007
LV.1
7
2012-02-06 13:29
@flash007
多谢多谢
多谢 多谢
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