• 回复
  • 收藏
  • 点赞
  • 分享
  • 发新帖

附图,请教BUCK电路效率低的问题

8.4V 1.5A  Vin=12-24V    ,  Vout=8.4V /1.5A  , PWM IC采用UC3843  , MOS管P型MOSFET    IRF9510  (Rds=1.2E),

储能电感500UH.

现在测试效率最高62%,MOS管换成N型 电感感量从40UH-600UH都试过,整机效率变化不明显,求解!!

全部回复(28)
正序查看
倒序查看
zq2007
LV.11
2
2012-02-11 15:44
看不到原理图啊。
0
回复
my8567
LV.4
3
2012-02-11 15:46

已附原理图,请大家 给点意见,谢谢

0
回复
my8567
LV.4
4
2012-02-11 16:56
@zq2007
看不到原理图啊。
已附原理图,请给点意见,谢谢
0
回复
ahu5
LV.5
5
2012-02-11 17:18
@my8567
已附原理图,请大家[图片] 给点意见,谢谢

哪有图啊

0
回复
ahu5
LV.5
6
2012-02-11 17:19
@ahu5
哪有图啊
你的图打不开
0
回复
ahu5
LV.5
7
2012-02-11 17:26
@ahu5
你的图打不开
现在好了
0
回复
cheng111
LV.11
8
2012-02-11 21:43
共模电感和电阻R6的损耗你先计算一下是多少。
0
回复
my8567
LV.4
9
2012-02-12 05:19
@cheng111
共模电感和电阻R6的损耗你先计算一下是多少。

您好：

 1、共模电感的损耗我没有算,我直接把VIN输入电压加在滤波电容C2两端，测试整机效率变化不大。

2、电流检测电阻R6损耗  P=1.5A*1.5A*0.1E=0.225W.这个损耗对整机的效率影响不是最主要的。

0
回复
cheng111
LV.11
10
2012-02-12 19:43
@my8567
您好： 1、共模电感的损耗我没有算,我直接把VIN输入电压加在滤波电容C2两端，测试整机效率变化不大。2、电流检测电阻R6损耗 P=1.5A*1.5A*0.1E=0.225W.这个损耗对整机的效率影响不是最主要的。
电路关键点的波形测试一下，先看看。
0
回复
zq2007
LV.11
11
2012-02-12 20:11
@cheng111
电路关键点的波形测试一下，先看看。
电路本身设计就有问题。
0
回复
my8567
LV.4
12
2012-02-12 21:01
@zq2007
电路本身设计就有问题。

波形的话，我会抓了传上来。

电路本身设计有问题，不知道问题在哪里？请指点下，谢谢

0
回复
bpyanyu
LV.8
13
2012-02-12 21:46
@my8567
波形的话，我会抓了传上来。电路本身设计有问题，不知道问题在哪里？请指点下，谢谢

如果你是按图上的放的MOS管的话电路不可能正常工作

你的输入整流和输出串联的二极管都会产生很大的损耗

 

0
回复
okxn
LV.3
14
2012-02-12 22:26

效率最高62%肯定是有问题的，先试着查找损耗的能量去哪儿了，建议你重载时用热像仪测量一下整板，观察那个地方温度较高，然后再逐步分析原因。

0
回复
贴片机
LV.8
15
2012-02-12 23:02
@my8567
已附原理图,请大家[图片] 给点意见,谢谢
从图上看的话,MOS的驱动不太好,它发热大不大?
0
回复
my8567
LV.4
16
2012-02-13 08:12
@bpyanyu
如果你是按图上的放的MOS管的话电路不可能正常工作你的输入整流和输出串联的二极管都会产生很大的损耗 

请问是哪个MOS摆放有问题?

你所说的二极管产生的损耗确实有,但不是最主要的.比如我把VINDC16V电压直接加在输入滤波电容两端,而输出的那个串联二极管短路掉.整机效率会上升,但上升的不是很多.

0
回复
my8567
LV.4
17
2012-02-13 08:26
@okxn
效率最高62%肯定是有问题的，先试着查找损耗的能量去哪儿了，建议你重载时用热像仪测量一下整板，观察那个地方温度较高，然后再逐步分析原因。
因为效率低,我也没老化太久.老化10分钟之后,测得开关管温度最高,老化的时候温升较快.但是我抓Vgs,Vds波形没有发现问题.
0
回复
ahu5
LV.5
18
2012-02-13 09:14
@my8567
因为效率低,我也没老化太久.老化10分钟之后,测得开关管温度最高,老化的时候温升较快.但是我抓Vgs,Vds波形没有发现问题.

 把va和q1 之间串个51E的电阻试试

0
回复
ahu5
LV.5
19
2012-02-13 09:17
@ahu5
 把va和q1之间串个51E的电阻试试

还有你那个输出端D10 ER560 可以省掉，感觉没什么用处

0
回复
ahu5
LV.5
20
2012-02-13 09:19
还不如直接用个大功率三极管串联稳压呢
0
回复
my8567
LV.4
21
2012-02-13 09:40
@ahu5
 把va和q1之间串个51E的电阻试试

不错,加上51E电阻效率上升2%

0
回复
my8567
LV.4
22
2012-02-13 09:43
@ahu5
还有你那个输出端D10ER560可以省掉，感觉没什么用处
D10不可以去掉,因为这个电源是给电池充电的,D10防止持续的逆向耗电漏电流
0
回复
冰上鸭子
LV.10
23
2012-02-13 09:47
能否上个MOS 和电感上的波形看看
0
回复
冰上鸭子
LV.10
24
2012-02-13 10:09
@冰上鸭子
能否上个MOS和电感上的波形看看
总觉的你的MOS 会不会有开通不足的现象，看看你Q4上的驱动波形呢
0
回复
maxpayne
LV.5
25
2012-02-13 10:59
用LM2576ADJ/LM2596ADJ就可以，比较简单。
0
回复
okxn
LV.3
26
2012-02-13 22:08
@my8567
因为效率低,我也没老化太久.老化10分钟之后,测得开关管温度最高,老化的时候温升较快.但是我抓Vgs,Vds波形没有发现问题.
上个波形看看吧
0
回复
cheng111
LV.11
27
2012-02-13 22:26
@my8567
请问是哪个MOS摆放有问题?你所说的二极管产生的损耗确实有,但不是最主要的.比如我把VINDC16V电压直接加在输入滤波电容两端,而输出的那个串联二极管短路掉.整机效率会上升,但上升的不是很多.

想知道是不是MOS管驱动的问题，可以测试一下MOS关DS之间的电压波形。

0
回复
bpyanyu
LV.8
28
2012-02-14 08:03
@my8567
请问是哪个MOS摆放有问题?你所说的二极管产生的损耗确实有,但不是最主要的.比如我把VINDC16V电压直接加在输入滤波电容两端,而输出的那个串联二极管短路掉.整机效率会上升,但上升的不是很多.
Pmos 在原理图上是画的不对吧
0
回复
whlxj6616
LV.1
29
2014-08-05 08:35

我认为，你的功耗来自以下几个个地方：

1、输入端的整流二极管，电流要经过两个串联的二极管形成回路，如果输入是12V的话，二极管承受的平均电流是1.5Ax(8.4+1.2)A/12V/0.9(变换器效~90%)=1.333A两个二极管的压降为2~2.4V，消耗的功率是2.7~3.2W；

2、输出二极管的功耗：1.5Ax1.2V=1.8W

3、采样电阻的功耗：0.1ohmx1.5A^2=0.225W

4、驱动电路的损耗：12Vx0.03A=0.36W

所以总效率：(1.5Ax8.4V)/((1.5Ax8.4V)/0.9+3.2+1.8+0.585)=64.3%，接近你的实测值。

请验证。

0
回复
工程师都在看
4000W全桥硬开关，有图，求助
我爱电子
【 DigiKey DIY原创大赛】基于树莓派的智能家居控制系统(一)
沈夜
【 DigiKey DIY原创大赛】树莓派5的智能家居控制系统(二)安装Home Assistan
沈夜
【 DigiKey DIY原创大赛】无线车辆计数
PYL4869
【 DigiKey DIY原创大赛】树莓派5的智能家居控制系统(三)控制自己的设备
沈夜
立
即
发
帖