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关于控制地与功率地的连接

开关电源很多IC资料都提到，控制芯片的地要采用单点接地，但是又推荐与开关晶体管的源极相连接。
而我的理解是：控制芯片的地如果采用单点接地就应该与电解电容的负极地连接，因为晶体管源极与电解电容的负极地之间有脉冲电流，若控制芯片的地接源极会造成芯片的地浮动？
不知道是我理解有错还是？

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世界真奇妙
2
2012-02-16 16:43

你说的两种接法在不同的应用场合使用。比如，使用UC348X时，MOSFER有源极取样电阻，控制芯片的地不能接源极。又比如，驱动大功率IGBT时，要求驱动电路的地直接与IGBT发射极连接，并且IGBT的发射极有专门与驱动连接的端子，驱动与控制又是共地的。

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zq2007
LV.11
3
2012-02-16 19:26
@世界真奇妙
你说的两种接法在不同的应用场合使用。比如，使用UC348X时，MOSFER有源极取样电阻，控制芯片的地不能接源极。又比如，驱动大功率IGBT时，要求驱动电路的地直接与IGBT发射极连接，并且IGBT的发射极有专门与驱动连接的端子，驱动与控制又是共地的。
这样做可以减少串扰，对EMC有帮助。
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zq841102
LV.6
4
2012-02-16 22:16
@zq2007
这样做可以减少串扰，对EMC有帮助。
哪种方式可以减少串扰呢。是接源级还是共地呢。
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xiwangcumt
LV.4
5
2012-02-17 08:51
@zq2007
这样做可以减少串扰，对EMC有帮助。
可以谈一谈为何不接源极地而接电容地产生串扰的原理吗？
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xiwangcumt
LV.4
6
2012-02-17 08:52
@世界真奇妙
你说的两种接法在不同的应用场合使用。比如，使用UC348X时，MOSFER有源极取样电阻，控制芯片的地不能接源极。又比如，驱动大功率IGBT时，要求驱动电路的地直接与IGBT发射极连接，并且IGBT的发射极有专门与驱动连接的端子，驱动与控制又是共地的。
都是这么说啊，但是很少有讲出它道理出来的。导致我们知其然却不知其所然，如果大师能讲解一下，以后我们碰到这类问题就能触类旁通。
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xiwangcumt
LV.4
7
2012-02-17 11:44
@zq2007
这样做可以减少串扰，对EMC有帮助。
个人觉得控制地接源极，在源极地到电容地之间的公共阻抗耦合，也会造成干扰吧。
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zq841102
LV.6
8
2012-02-17 12:33
@xiwangcumt
都是这么说啊，但是很少有讲出它道理出来的。导致我们知其然却不知其所然，如果大师能讲解一下，以后我们碰到这类问题就能触类旁通。
我以前按照原有产品画过一个图，就是源级和3844的驱动ICTC4420的地接在了一起，结果使得电源无法工作，甚至还炸鸡了。后来接到电源地就好了。
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xiwangcumt
LV.4
9
2012-02-17 12:45
@zq841102
我以前按照原有产品画过一个图，就是源级和3844的驱动ICTC4420的地接在了一起，结果使得电源无法工作，甚至还炸鸡了。后来接到电源地就好了。
希望有过类似经验的也谈一谈哈
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