帮助计算RCC变压器,如有需要找我,一次优化设计成功!
帮助计算RCC变压器,如有需要找我,一次优化设计成功!
全部回复(292)
正序查看
倒序查看
现在还没有回复呢,说说你的想法
@药师佛
回colinzou:你的6V/0.6A变压器参数如下:磁心EE16S=19mm2得:初级感量LP=3.9mH 初级匝数NP=145TS线径=0.15mm 次级匝数NS=10TS线径=0.55mm 反馈绕组ND=7TS 线径=0.15mm(以上反馈绕组的匝数以MOSFET开关计算)
变压器的绕法:初级145匝分两段绕夹次级绕组于其中,由于输出功率小也可以不分段绕,但变压器的热端(MOS管的D极)一定放在绕组的最里面,此EE16的变压器由于窗口面积小所以不便加挡墙,但由于安规爬电距离的要求次级采用三重绝缘线绕制,反馈绕组放在最外面均绕,初级与次级绕组间加一层屏蔽(非闭合铜箔或正逆向绕线屏蔽),变压器外磁心加一层闭合铜箔屏蔽(包住磁心面接合处),为了减少匝间电容初级绕组也可采用“Z”形绕法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建议采用....
0
回复
提示
@药师佛
变压器的绕法:初级145匝分两段绕夹次级绕组于其中,由于输出功率小也可以不分段绕,但变压器的热端(MOS管的D极)一定放在绕组的最里面,此EE16的变压器由于窗口面积小所以不便加挡墙,但由于安规爬电距离的要求次级采用三重绝缘线绕制,反馈绕组放在最外面均绕,初级与次级绕组间加一层屏蔽(非闭合铜箔或正逆向绕线屏蔽),变压器外磁心加一层闭合铜箔屏蔽(包住磁心面接合处),为了减少匝间电容初级绕组也可采用“Z”形绕法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建议采用....
也帮我设计一个变压器,输入电压AC176V-AC264V,输出:5V/0.6A;+/-15V/50mA;15V/30mA;15V/200mA.用EE28或着EI28的变压器
谢谢!
谢谢!
0
回复
提示
@药师佛
变压器的绕法:初级145匝分两段绕夹次级绕组于其中,由于输出功率小也可以不分段绕,但变压器的热端(MOS管的D极)一定放在绕组的最里面,此EE16的变压器由于窗口面积小所以不便加挡墙,但由于安规爬电距离的要求次级采用三重绝缘线绕制,反馈绕组放在最外面均绕,初级与次级绕组间加一层屏蔽(非闭合铜箔或正逆向绕线屏蔽),变压器外磁心加一层闭合铜箔屏蔽(包住磁心面接合处),为了减少匝间电容初级绕组也可采用“Z”形绕法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建议采用....
看得出来你在这方面很有经验.变压器的绕法也很地道,适用.如果搞得好的话还可以少加一层屏蔽.但对于你这点MOS热端(D)一定要放在绕组的最里面这点存在疑惑,看过一些厂确是这样设计的,也听过N多朋友这样说.但不知你有没有实践经验,是否事实证明是这样的?听过一个从PI公司出来的人说他们的产品很少是热端放里面的,而且听他分析似乎也很有道理.他说,如果是热端放最里面,这样就会形成一个动态磁场,会对EMI不利的.
有PI公司的人来证明一下吗?遗憾的是没时间,有时间一定要自己亲自去证实一下.
有PI公司的人来证明一下吗?遗憾的是没时间,有时间一定要自己亲自去证实一下.
0
回复
提示
@xiaodong
看得出来你在这方面很有经验.变压器的绕法也很地道,适用.如果搞得好的话还可以少加一层屏蔽.但对于你这点MOS热端(D)一定要放在绕组的最里面这点存在疑惑,看过一些厂确是这样设计的,也听过N多朋友这样说.但不知你有没有实践经验,是否事实证明是这样的?听过一个从PI公司出来的人说他们的产品很少是热端放里面的,而且听他分析似乎也很有道理.他说,如果是热端放最里面,这样就会形成一个动态磁场,会对EMI不利的.有PI公司的人来证明一下吗?遗憾的是没时间,有时间一定要自己亲自去证实一下.
热端放在里面的原因是让自己的其他绕组层来做自己的屏蔽,你也可在最里面靠磁心中柱加一层屏蔽
0
回复
提示
@xiaodong
药师傅兄弟在设计变压器时反馈都是按这个比例设计的吗?一般来说,晶体管是按5V来计算的,MOS管则按10左右来计算的.但我曾设计过一个产品,36W的,用ER28,反馈一定得按14V来计算,否则在90V时就不能很好的保证起动OK.一时找不到原因来解释.
补充一点,这样设计出来的产品和按10V设计出来的产品,在待机功耗是差不多,AC264时是0.5W.
一直想做个40W的把待机功耗降到0.3W以下,却未能成.听过很多人说可以,而且效果不错,各项指标都不错,包括空载纹波.也听过很多人说40W以下不用Y电容,却没有真正见识过.
一直想做个这样的东西出来却摸不着要领啊.
一直想做个40W的把待机功耗降到0.3W以下,却未能成.听过很多人说可以,而且效果不错,各项指标都不错,包括空载纹波.也听过很多人说40W以下不用Y电容,却没有真正见识过.
一直想做个这样的东西出来却摸不着要领啊.
0
回复
提示
@xiaodong
补充一点,这样设计出来的产品和按10V设计出来的产品,在待机功耗是差不多,AC264时是0.5W.一直想做个40W的把待机功耗降到0.3W以下,却未能成.听过很多人说可以,而且效果不错,各项指标都不错,包括空载纹波.也听过很多人说40W以下不用Y电容,却没有真正见识过.一直想做个这样的东西出来却摸不着要领啊.
降低待机功耗可以采用空载跳周模式,去掉Y电容需要在减弱共模干扰上下工夫,主要是从3个方面入手:1.减小dv/dt 2.减小分布电容 3.减小共模电流环路面积,( 变压器的绕制工艺,MOS管漏极与变压器的节点和变压器次级与整流管的节点,散热片,PCB布局等)
0
回复
提示
@xiaodong
补充一点,这样设计出来的产品和按10V设计出来的产品,在待机功耗是差不多,AC264时是0.5W.一直想做个40W的把待机功耗降到0.3W以下,却未能成.听过很多人说可以,而且效果不错,各项指标都不错,包括空载纹波.也听过很多人说40W以下不用Y电容,却没有真正见识过.一直想做个这样的东西出来却摸不着要领啊.
可能是你的变压器设计的匝比不正确导致低压无法带载起动,也或许你的反馈回授环路设计不当,但要具体电路具体分析才行,也不感冒然说出结论,据我所设计的RCC电路一般空载30V左右起动,带载65V-70V就能起动,而且在高低压输入时效率相差不大
0
回复
提示
@xiaodong
看得出来你在这方面很有经验.变压器的绕法也很地道,适用.如果搞得好的话还可以少加一层屏蔽.但对于你这点MOS热端(D)一定要放在绕组的最里面这点存在疑惑,看过一些厂确是这样设计的,也听过N多朋友这样说.但不知你有没有实践经验,是否事实证明是这样的?听过一个从PI公司出来的人说他们的产品很少是热端放里面的,而且听他分析似乎也很有道理.他说,如果是热端放最里面,这样就会形成一个动态磁场,会对EMI不利的.有PI公司的人来证明一下吗?遗憾的是没时间,有时间一定要自己亲自去证实一下.
你說的是功率比較大點的﹐這時一般不把熱點放在最裡面﹐這樣很難補償平衡.如這樣做﹐一般會加銅箔屏蔽來補償﹐增加成本.
0
回复
提示