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AC/DC 电源控制芯片---GS175 GS176 GS178 GS286 GS288

GS17X——具有OTP功能的新型反激功率开关

概述

    GS17X是内置高压功率MOSFET的电流模反激PWM控制芯片,适用于5-18W以内的全电压范围离线式反激开关电源,具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。设计了完善的保护功能,包括软启动、过温保护(OTP)、VDD欠压锁定保护(UVLO)、过压保护(OVP)及箝位、逐周期电流限制(OCP)、过载保护(OLP)和图腾柱输出驱动高箝位等,特别对音频噪声和FM干扰进行了处理。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术可容易地获得良好的EMI性能。GS17X采用DIP-8L封装,GS175D(600V MOSFET)支持12W以内的适配器应用,GS176D(600V MOSFET)支持15W以内全电压适配器应用,GS178支持18W(600V MOSFET)以内全电压适配器应用。

特征

内置600V功率开关MOSFET

过温保护功能

低的启动电流:3uA(Typ)低的工作电流:2mA(Typ)

内置软启动以减小MOSFET应力

内置频率抖动以改善EMI特性

应用

ü AC/DC电源适配器

ü 电池充电器

ü DVB机顶盒电源

ü 开放式电源

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陈R   联系电话 :+86-189-8084-8815          

 E-mail: green_source@126.com    

QQ: 5827-54568

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GS28X——5%精度的恒流/恒压PSR功率开关

概述

GS28X是一款内置高压功率MOSFET、内建高精度基准(±1%)的基于原边控制模式,输出±5%精度的脉宽调制功率开关,内置了恒流/恒压两种控制方式,无需TL431和光耦,适用于小功率AC /DC电源适配器、充电器及LED照明电源,最大功率为12W。GS285推荐5-6W应用,GS286推荐6-7.5W应用,GS288推荐8-12W应用。

特征

原边控制模式,无需TL431和光耦

内置600V功率开关MOSFET

恒压和恒流精度可达5%

频率抖动

过温保护OTP功能

恒流和输出功率可调

应用

ü 手机、无绳电话、PDA、数码相机等电池充电器

ü 小功率适配器

ü LED照明

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GS5232——高精度原边控制PWM控制器

概述

    GS5232是一款内建高精度基准(±1%)基于原边控制模式,输出±5%精度的脉宽调制控制器,内置了恒流/恒压两种控制方式,无需TL431和光耦,配合外置功率MOSFET应用于18W以内中小功率AC /DC电源适配器、充电器及LED照明电源。完善的保护措施,包括逐周期电流限制、峰值电流限制、过温保护、过压保护、电源箝位和欠压锁定功能。此外,芯片内部设置的频率抖动功能和软驱动功能保证了芯片在工作时具有良好的抗电磁干扰性能。

特征

原边控制模式,无需TL431和光耦

恒压和恒流精度可达5%

频率抖动

过温保护OTP功能

应用灵活可实现超小体积

恒流和输出功率可调

应用

ü 手机、无绳电话、PDA、数码相机等电池充电器

ü 小功率适配器

ü LED照明

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GS6562D——有源功率因子校正控制芯片

概述

    GS6562D是一款基于临界导通模式(CRM)的有源功率因数校正控制器(PFC),适用中大功率的AC/DC开关电源,能应用于LCD-TV、LED照明等领域,采用SOP-8L封装,兼容ST L6561和L6562各种版本。采用高线性乘法器和频率补偿技术,优化系统谐波失真,提高PF值。内建优良的保护机制,包括动态过压保护和静态过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、逐周期电流限制、乘法器输出箝位、系统开环保护和图腾柱输出驱动高箝位等。

特征

临界导通模式

低功耗、高基准精度

最小开关频率限制

频率补偿技术

逐周期电流控制

优良的保护措施 

应用

ü 电子镇流器

ü AC/DC电源

ü LED照明电源

ü LCD-TV/显示器等电源

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GS5842—— 低成本大功率反激式绿色节能PWM控制器

概述

    GS5842 是一款高集成度,低功耗的电流模PWM控制器,适用于100W以内离线式AC-DC反激拓扑的电源模块。优化的流控图腾驱动电路配以频率抖动技术,可以减小开关损耗同时获得良好的EMI特性。为了获得良好的效率和待机功耗,GS5842 在重载或中等负载时,工作在 PWM 模式,在空载和轻载时,电路采用绿色模式,有效的降低了待机功耗。GS5842内置了多种保护功能:欠压锁定、过载保护、过温保护、过压保护及钳位等,保护解除后均可自动恢复工作。 

特征

零OCP/OPP恢复间隙控制技术

低的启动电流:7.5uA(Typ)、低的工作电流:3mA(Typ)

内置频率抖动以改善EMI特性

内置前沿消隐(LEB)电路和同步斜率补偿 

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2014-02-28 15:42
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