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MT7930 电源驱动板常见问题及解决方法,大家看还缺什么问题,欢迎及时补充

1. MT7930 的有源 PFC 及恒流原理

MT7930 是一款单级 APFC(有源 PFC)及 CC(恒流)的 LED 驱动芯片。BOM 少,成本

低,设计简单,保护功能齐全。

由于辅助绕组的电压波形在功率 MOS 管关断期间与输出电压成比例关系,因此 MT7930

通过对辅助绕组的电压波形进行检测来对输出电流、电压进行间接检测。然后第 4 COMP

脚的外接补偿电容,对高开关频率的输出电流进行长程平均(滤波周期小于 10ms,也即是

小于市电经过全桥整流后的 10ms 周期)。该长程平均值再与内部的参考电平(400mV)进

行比较,从而产生 PWM 控制波形对功率 MOS 管进行控制。从而达到恒流输出的目的。由

MT7930 是采用平均电流模式来对输出电流进行恒流,因此输出电流与输入电压,输出电

压均无关,同时也对变压器电感不敏感。

MT7930 通过 COMP 脚(第 4 脚)的补偿电容进行长程平均,因此 COMP 脚上的电压信

号在一个正弦波周期内基本保持不变。而 MT7930 内部正是通过 COMP 脚的电压来控制源边

的开关导通时间。当输入市电的电压确定后,COMP 脚的平均电压就确定了,也即是开关导

通时间确定了,因此源边的峰值电流就会跟随输入正弦波电压变化而变化(源边峰值电流


 

= I P _ PK =


Vin · sin(ùt )

Lp


· Ton ,式中 Lp 为源边电感,Ton 为导通时间。Lp Ton 确定了,


 

源边峰值电流就随着输入的正弦电压变化而变化)。这样源边电流就随着输入电压变化而变

化,高 PF 值就达到了。

从上面的说明可以看出,COMP 脚的补偿电容越大,系统的平均时间越长,则 COMP

的电压信号越稳定,即开关导通时间越恒定,就可以达到更高的 PF 值。但 COMP 电容越大,

系统的环路响应也就越慢,同时,启动的时间也越长(因为 COMP 脚要花更长的时间达到

稳定值)。因此 COMP 脚电容也不是越大越好,一般取值在 470nF ~ 1uF680nF 是一个比较

好的折中值。

 

2. 线性调整率差或负载调整率差

1 如果变压器的空闲时间不够,会造成线性调整率差;

尤其是在 AC85V 输入时,测量 MOS 漏极波形在导通前的振铃信号的时间(即最小

空闲时间),这段时间需要大于 2uS 或周期的 10%

2 Comp 脚的电容小到 pF 量级;

3 MOS 管栅极是否有二极管;

4 检查 MOS 管栅极的驱动二极管方向是否正确;

如果方向错误,则会导致 Io AC 电压的升高而升高,Io 可能变化 50mA 以上;

5 检查 PCB 排版,主要有以下几个方面:

辅助供电电容和 CS 脚的缓冲电阻靠近芯片放置;

芯片 Dsen 引脚与 GND 间的电容和电阻靠近芯片放置;

变压器的端(电压交变点)走线尽量短而粗,且远离芯片的 Dsen 脚和 CS

脚,使其不受干扰;

6 AC 输入端的串联阻抗大,如串联的差模电感、共模电感、热敏电阻等的阻抗太大;

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2012-03-27 23:18

7 辅助绕组是否夹绕在初次级之间;

8 变压器的干扰:如果变压器离 Dsen 脚走线和 CS 脚走线距离太近,则会干扰导通时间和周期;

此时,应该在变压器安装完成后,再加一层外屏蔽铜箔,铜箔需要接初级 GND

9 MOS 管的 Rds_on 太大;

10MOS 管的 Ciss 太大;

11)在计算表格中,“MOS 管的导通压降取值太小,需根据高温时的压降来取值;

12芯片的 Dsen 引脚与芯片的 GND 引脚间电容值大于 33pF

 

3. 输出电流偏低

1 MOS 管漏极检流电阻的地与芯片的地之间的走线要短而宽!

2 用示波器观察芯片的 CS 脚波形是否异常的尖脉冲干扰,如有,检查 PCB 走线。

 

4. 高温或老化时输出电流下降,常温下正常

1 在高温时 MOS 管的导通电阻 Rds_on 会增大,在 120时会是常温 25的一倍,

如果 MOS 管的质量不好,在 120时其 Rds_on 会增大更多,影响输出电流;

2 变压器饱和:磁芯在高温的饱和磁通密度会下降,在设计变压器时最大饱和磁

通密度 Bmax 的取值需小于 0.3

3 输出二极管为肖特基二极管且散热不好;

4 使用劣质磁芯,劣质磁芯在高温时最大饱和磁通密度 Bmax 下降得过低,标准的

磁芯此值在 100时为 0.39,在 120时为 0.35

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2012-03-27 23:19
@山鸣电子小刘
(7)辅助绕组是否夹绕在初次级之间;(8)变压器的干扰:如果变压器离Dsen脚走线和CS脚走线距离太近,则会干扰导通时间和周期;此时,应该在变压器安装完成后,再加一层外屏蔽铜箔,铜箔需要接初级GND;(9)MOS管的Rds_on太大;(10)MOS管的Ciss太大;(11)在计算表格中,“MOS管的导通压降”取值太小,需根据高温时的压降来取值;(12)芯片的Dsen引脚与芯片的GND引脚间电容值大于33pF 3.输出电流偏低(1)MOS管漏极检流电阻的地与芯片的地之间的走线要短而宽!(2)用示波器观察芯片的CS脚波形是否异常的尖脉冲干扰,如有,检查PCB走线。 4.高温或老化时输出电流下降,常温下正常(1)在高温时MOS管的导通电阻Rds_on会增大,在120℃时会是常温25℃的一倍,如果MOS管的质量不好,在120℃时其Rds_on会增大更多,影响输出电流;(2)变压器饱和:磁芯在高温的饱和磁通密度会下降,在设计变压器时最大饱和磁通密度Bmax的取值需小于0.3;(3)输出二极管为肖特基二极管且散热不好;(4)使用劣质磁芯,劣质磁芯在高温时最大饱和磁通密度Bmax下降得过低,标准的磁芯此值在100℃时为0.39,在120℃时为0.35。

5. 不恒流

1 芯片 Comp 引脚的电容值太小;

2 PCB 布线不好,Dsen 脚和 CS 脚受到干扰;

3 辅助绕组与次级绕组耦合不好,改善变压器绕法,使其两绕组紧挨着绕制,辅

助绕组疏绕,最好多股细线并绕平铺疏绕。

 

6. 开机烧 MOSFET

1 MOS 管漏极的检流电阻计算是否合理;

2 变压器电感量是否合理;

3 MOS 管栅极是否被拉高。

 

7. PF 值低

1 芯片的 comp 脚电容值太小;

2 若只在高温时偏低或者电源工作一段时间后功率因数值偏低,则此电容热稳定

性差,请使用稳定性好的 NPO X7R 系列瓷片电容。

(提高功率因数值也会降低 THD 谐波失真)

 

8. 启动时间长 @ AC85V、输出有电解的方案中

STP 脚的启动电阻值给芯片供电电容的充电时间长导致;

1 减小 STP 脚的启动电阻值,但总电阻值不能低于 300kΩ

2 减小电容芯片供电电容的容量,但也不能太小,要保证一次启动成功,一般可

4.7uF22uF 电解电容,或选 10uF33uF 贴片电容。

3 MOS 管的栅极 Ciss 电容大,需要启动电阻和 VDD 供电电容提供更多的能量,这种情况需加大 VDD 供电电容值

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2012-03-27 23:19
@山鸣电子小刘
5.不恒流(1)芯片Comp引脚的电容值太小;(2)PCB布线不好,Dsen脚和CS脚受到干扰;(3)辅助绕组与次级绕组耦合不好,改善变压器绕法,使其两绕组紧挨着绕制,辅助绕组疏绕,最好多股细线并绕平铺疏绕。 6.开机烧MOSFET(1)MOS管漏极的检流电阻计算是否合理;(2)变压器电感量是否合理;(3)MOS管栅极是否被拉高。 7.PF值低(1)芯片的comp脚电容值太小;(2)若只在高温时偏低或者电源工作一段时间后功率因数值偏低,则此电容热稳定性差,请使用稳定性好的NPO或X7R系列瓷片电容。(提高功率因数值也会降低THD谐波失真) 8.启动时间长@AC85V、输出有电解的方案中STP脚的启动电阻值给芯片供电电容的充电时间长导致;(1)减小STP脚的启动电阻值,但总电阻值不能低于300kΩ;(2)减小电容芯片供电电容的容量,但也不能太小,要保证一次启动成功,一般可选4.7uF~22uF电解电容,或选10uF~33uF贴片电容。(3)MOS管的栅极Ciss电容大,需要启动电阻和VDD供电电容提供更多的能量,这种情况需加大VDD供电电容值

9. 效率偏低

1 MOS 管栅极是否有二极管

2 输出电流波形低频纹波大,需加大输出电容量

3 变压器是三明治绕法吗?

4AC 输入端的串联阻抗大,如串联的差模电感、共模电感、热敏电阻等的阻抗太大;

5 次级整流二极管是否为低压降的快恢复型;

6 MOS 管的体电阻 Rds_on 太大

7 初级绕组吸收电路电阻值小、电容值大。

 

10. 开路限压

Dsen 脚两电阻的比值大会导致开路输出电压高;

如果比值太小,不能兼容最高输出电压,同时如果输出使用延时时间比较长的电子负载

时,在电子负载还没有正式进入正常工作状态电源会进入开路保护模式;

 

11. 短路保护功能失效

1 Dsen 脚两电阻的比值过小;

2 芯片的 Dsen 引脚与芯片的 GND 引脚间的信号受到其它信号的干扰,使其在输

出短路的情况下,Dsen 脚检测的电压高于 200mV,请检查 PCB 走线;

3 芯片的 Dsen 引脚与芯片的 GND 引脚间电容有,且不小于 22pF,且靠近芯片放

置,此电容不能太大,一般取值 22pF

4 在高温时短路保护功能失效,检查芯片的 Dsen 引脚与芯片的 GND 引脚间电容

值是 22pF 是否是热稳定性好的 NPO 或者 X7R 类型;

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2012-03-27 23:21
@山鸣电子小刘
9.效率偏低(1)MOS管栅极是否有二极管(2)输出电流波形低频纹波大,需加大输出电容量(3)变压器是三明治绕法吗?(4)AC输入端的串联阻抗大,如串联的差模电感、共模电感、热敏电阻等的阻抗太大;(5)次级整流二极管是否为低压降的快恢复型;(6)MOS管的体电阻Rds_on太大(7)初级绕组吸收电路电阻值小、电容值大。 10.开路限压Dsen脚两电阻的比值大会导致开路输出电压高;如果比值太小,不能兼容最高输出电压,同时如果输出使用延时时间比较长的电子负载时,在电子负载还没有正式进入正常工作状态电源会进入开路保护模式; 11.短路保护功能失效(1)Dsen脚两电阻的比值过小;(2)芯片的Dsen引脚与芯片的GND引脚间的信号受到其它信号的干扰,使其在输出短路的情况下,Dsen脚检测的电压高于200mV,请检查PCB走线;(3)芯片的Dsen引脚与芯片的GND引脚间电容有,且不小于22pF,且靠近芯片放置,此电容不能太大,一般取值22pF;(4)在高温时短路保护功能失效,检查芯片的Dsen引脚与芯片的GND引脚间电容值是22pF是否是热稳定性好的NPO或者X7R类型;

以上情况是我司工程师在应用过程中发现的问题,大家可以帮忙来补充,以完善我们的应用.如需资料请联系:

Tiffany/刘艳
深圳市山鸣电子有限公司

地址:深圳市福田区深南大道6023号创建大厦2407室

传真:0755-88309223

手机:13728739939/13923436938

E-mail:tiffanyliu@hillsoundelectronics.com

QQ:1187444761

LED高级技术群1:89245665(少许空位)
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ufw00
LV.5
6
2012-03-28 08:51
@山鸣电子小刘
以上情况是我司工程师在应用过程中发现的问题,大家可以帮忙来补充,以完善我们的应用.如需资料请联系:Tiffany/刘艳深圳市山鸣电子有限公司地址:深圳市福田区深南大道6023号创建大厦2407室传真:0755-88309223手机:13728739939/13923436938E-mail:tiffanyliu@hillsoundelectronics.comQQ:1187444761LED高级技术群1:89245665(少许空位)LED高级技术群2:89257803(少许空位)LED高级技术群3:17154563(此群已满)LED高级技术群4:125725241(此群已满)
小刘,老化后电流上漂如何处理?
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zq2007
LV.11
7
2012-03-28 14:20
@ufw00
小刘,老化后电流上漂如何处理?
恒流精度如何细调?
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2012-03-30 13:30
@zq2007
恒流精度如何细调?

MT7930问题来了,经过测试发现以下几个问题,

1、输出电流随输入电压升高而增加,220-240V,近10mA左右。

2、输出电流随温度升高而增加,近30mA左右。

3、一致性的问题,同一批IC参数也有差异。

4、为什么整个调节过程中电流不下降反而上升,需要FAE反思呀。

5、带载工作24小时后,电流居然增加了5mA。

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larry98012
LV.10
9
2012-03-31 17:52
@小巩
MT7930问题来了,经过测试发现以下几个问题,1、输出电流随输入电压升高而增加,220-240V,近10mA左右。2、输出电流随温度升高而增加,近30mA左右。3、一致性的问题,同一批IC参数也有差异。4、为什么整个调节过程中电流不下降反而上升,需要FAE反思呀。5、带载工作24小时后,电流居然增加了5mA。

看来MT7930,巩工是对他很失望啦!!!

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2012-03-31 22:47
@larry98012
看来MT7930,巩工是对他很失望啦!!!

用倒是可以用,只是希望能改进。

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zengtx
LV.6
11
2012-04-01 09:09
@小巩
用倒是可以用,只是希望能改进。

输出电流随温度上升而上升?这有点危险哦

会不会有其它原因引起的?一般来说任何芯片做的都会随温度上升而下降的啊

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2012-04-01 10:16
@zengtx
输出电流随温度上升而上升?这有点危险哦会不会有其它原因引起的?一般来说任何芯片做的都会随温度上升而下降的啊

我几年前测过一家台湾非隔离的驱动DEMO板,电压和温度上升输出电流都是下降的。

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zj7800018
LV.4
13
2012-05-14 20:10
@山鸣电子小刘
9.效率偏低(1)MOS管栅极是否有二极管(2)输出电流波形低频纹波大,需加大输出电容量(3)变压器是三明治绕法吗?(4)AC输入端的串联阻抗大,如串联的差模电感、共模电感、热敏电阻等的阻抗太大;(5)次级整流二极管是否为低压降的快恢复型;(6)MOS管的体电阻Rds_on太大(7)初级绕组吸收电路电阻值小、电容值大。 10.开路限压Dsen脚两电阻的比值大会导致开路输出电压高;如果比值太小,不能兼容最高输出电压,同时如果输出使用延时时间比较长的电子负载时,在电子负载还没有正式进入正常工作状态电源会进入开路保护模式; 11.短路保护功能失效(1)Dsen脚两电阻的比值过小;(2)芯片的Dsen引脚与芯片的GND引脚间的信号受到其它信号的干扰,使其在输出短路的情况下,Dsen脚检测的电压高于200mV,请检查PCB走线;(3)芯片的Dsen引脚与芯片的GND引脚间电容有,且不小于22pF,且靠近芯片放置,此电容不能太大,一般取值22pF;(4)在高温时短路保护功能失效,检查芯片的Dsen引脚与芯片的GND引脚间电容值是22pF是否是热稳定性好的NPO或者X7R类型;
挺好的,对调试7930大有帮助。我这两天正要干这个活
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david ge
LV.4
14
2012-06-26 14:56
@山鸣电子小刘
以上情况是我司工程师在应用过程中发现的问题,大家可以帮忙来补充,以完善我们的应用.如需资料请联系:Tiffany/刘艳深圳市山鸣电子有限公司地址:深圳市福田区深南大道6023号创建大厦2407室传真:0755-88309223手机:13728739939/13923436938E-mail:tiffanyliu@hillsoundelectronics.comQQ:1187444761LED高级技术群1:89245665(少许空位)LED高级技术群2:89257803(少许空位)LED高级技术群3:17154563(此群已满)LED高级技术群4:125725241(此群已满)
问一下 此IC 是否可以做到35W输出2.5A 电流.
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2012-07-10 10:40
@山鸣电子小刘
以上情况是我司工程师在应用过程中发现的问题,大家可以帮忙来补充,以完善我们的应用.如需资料请联系:Tiffany/刘艳深圳市山鸣电子有限公司地址:深圳市福田区深南大道6023号创建大厦2407室传真:0755-88309223手机:13728739939/13923436938E-mail:tiffanyliu@hillsoundelectronics.comQQ:1187444761LED高级技术群1:89245665(少许空位)LED高级技术群2:89257803(少许空位)LED高级技术群3:17154563(此群已满)LED高级技术群4:125725241(此群已满)
楼主能否写写MT7930 电源驱动板的调试方法以及各点的波形和电位。如果没有输出怎办? 谢谢
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lumenchip
LV.4
16
2012-08-14 20:56
@zq2007
恒流精度如何细调?

流明芯LED照明恒流驱动解决方案选型指南下载
SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)规格书
SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)应用设计指南
SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)应用于18W LED日光灯驱动方案
SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)应用于7W LED球泡灯、筒灯驱动方案
SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)应用于9W LED球泡灯、筒灯、PAR灯驱动方案
SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)应用于12W LED球泡灯、筒灯、PAR灯驱动方案

SD6857产品概述:

        SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)是集成 PFC 功能的原边控制模式的 LED 驱动控制芯片。它采用 PFM 调制技术,提供精确的恒流控制,具有非常高的平均效率 ,采用 SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动) 设计的系统,可以省去光耦、次级反馈控制、环路补偿,精简电路,降低成本。
       SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)是一款原边控制副边LED电流的芯片,并有PFC功能。大大减化了系统复杂程度,降低成本,同时,PF高达0.95以上,THD低于10%.可以防止较低的PF值引起的供电效率降低和产生过多的高次谐波 (大量的高次谐波会反馈到市电供电网,会造成电网被高次谐波污染) 。成功应用于PAR灯,球泡灯和日光灯系统中。 特别在在T8灯管中,可以很好的替代以往用PFC芯片做成的驱动器,最大程度的节省了成本和空间。
     SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)芯片采用原边控制模式,可以省去光耦,次级反馈控制和环路补偿电路,仅需极少的外围元器件即可构成完整的系统,大幅精简了电路规模,减少系统耗电并缩小了电路板体积,有利于用户精简设计布局,降低开发和制造成本。
      此外,SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)芯片内部集成了温度保护电路,环路开路保护、线损补偿、峰值电流补偿、限流电路、过压保护、欠压锁定等保护电路,以保证芯片的工作环境正常,延长其使用寿命。
      SD6857(PSR+PFC控制模式LED驱动)芯片基于士兰微电子自行研发的BiCMOS/BCD工艺制造,采用了SOP-8封装形式,具有集成度高、占板面积小、便于整机调试等突出的特点。


SD6857主要特点:

*采用原边反馈控制结构,系统经济,无光耦和TL431。
*低启动电流,低至5uA启动电流
*前沿消隐, PFM 调制,一次侧控制模式
*逐周期限流
*峰值电流补偿
*过压保护 ,欠压锁定 ,过温保护
*环路开路保护
*很好的PFC值(≥0.95 ),总谐波THD≤10%
*高可靠长寿命设计,恒流精度高(±1%)
*SO8封装
 
SD6857优势:

*SD6857 工作于 DCM 模式,具有非常高的平均效率
*SD6857 集成 PFC 功能,全电压 PF 值>0.92
*SD6857对 THD 的控制非常优秀,可以轻松使 THD <10%,典型 值 5%
*相对于 SA7527/L6562 等单级 PFC 电路来说, SD6857为原边控制,不需要加上光耦,TL431,LM358 等器件,进一步提高可靠性及降低BOM 成本
*SD6857采样电阻可调,可调整因变压器感量设计不合理而产生的误差,得到±3%的线性调整率和 ±3%的负载调整率,减少对变压器的依赖
*SD6857具有高达 20W的输出 驱动能力,满足多种LED 驱动电源的需求
*专利的抖频技术使得良好的 EMI 性能得已实现,EMI 器件大为减少

SD6857典型电路:





基于SD6857设计的7W LED球泡灯基本电气测试数据



基于SD6857设计的7W LED球泡灯电源板



基于SD6857设计的18W LED日光灯效率优化



基于SD6857设计的18W LED日光电源板


基于SD6857设计LED驱动电源的EMI测试(传导/辐射)





几中隔离式主流LED驱动方案比较





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bill620769
LV.8
17
2012-08-18 16:11
@zj7800018
挺好的,对调试7930大有帮助。我这两天正要干这个活

专业生产LED变压器 

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zb814
LV.5
18
2012-09-14 16:36
@bill620769
专业生产LED变压器[图片] 

你好 有这样电感么 有请联系我 403770588@ qq.com文档 1 

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bill620769
LV.8
19
2012-09-15 08:35
@zb814
你好有这样电感么有请联系我403770588@ qq.com[图片]文档1 
不好意思没有
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周礼剑
LV.3
20
2012-10-30 08:37
@山鸣电子小刘
9.效率偏低(1)MOS管栅极是否有二极管(2)输出电流波形低频纹波大,需加大输出电容量(3)变压器是三明治绕法吗?(4)AC输入端的串联阻抗大,如串联的差模电感、共模电感、热敏电阻等的阻抗太大;(5)次级整流二极管是否为低压降的快恢复型;(6)MOS管的体电阻Rds_on太大(7)初级绕组吸收电路电阻值小、电容值大。 10.开路限压Dsen脚两电阻的比值大会导致开路输出电压高;如果比值太小,不能兼容最高输出电压,同时如果输出使用延时时间比较长的电子负载时,在电子负载还没有正式进入正常工作状态电源会进入开路保护模式; 11.短路保护功能失效(1)Dsen脚两电阻的比值过小;(2)芯片的Dsen引脚与芯片的GND引脚间的信号受到其它信号的干扰,使其在输出短路的情况下,Dsen脚检测的电压高于200mV,请检查PCB走线;(3)芯片的Dsen引脚与芯片的GND引脚间电容有,且不小于22pF,且靠近芯片放置,此电容不能太大,一般取值22pF;(4)在高温时短路保护功能失效,检查芯片的Dsen引脚与芯片的GND引脚间电容值是22pF是否是热稳定性好的NPO或者X7R类型;
学习了。
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2012-12-27 15:16
@山鸣电子小刘
以上情况是我司工程师在应用过程中发现的问题,大家可以帮忙来补充,以完善我们的应用.如需资料请联系:Tiffany/刘艳深圳市山鸣电子有限公司地址:深圳市福田区深南大道6023号创建大厦2407室传真:0755-88309223手机:13728739939/13923436938E-mail:tiffanyliu@hillsoundelectronics.comQQ:1187444761LED高级技术群1:89245665(少许空位)LED高级技术群2:89257803(少许空位)LED高级技术群3:17154563(此群已满)LED高级技术群4:125725241(此群已满)

我最近做MT7930  发现其一致性不好 每个板子的电流相差30mA左右  而且电流值与理论计算相差也很远  差不多70mA左右  但是我把MOS管栅级的二极管去掉后上述问题都解决了   用示波器观察栅级波形  发现去掉二极管前比去掉二极管后的电压幅度低了0.6V左右,Ip的包罗的波形的幅度也比去掉二极管后的幅度低   难道这款芯片的Ton时间是确定的吗?  如果是怎么计算这个时间啊 ?根据以前贴给出的计算公式 I P _ PK =

Vin · sin(ùt )

Lp

· Ton可以得出峰值电流的结果与Rs电阻值无关   与Ton有关  那么Ton与Rs的阻值又有什么关系?  如果像传统的芯片计算的话Ip与Ton,Rs成比例关系,那么栅级的驱动电压应该不会影响到Ip的值,为什么这一款芯片的栅级电压值会影响Ip呢?麻烦高手帮忙解答一下啊 。。。

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